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Dipole Fatigue Resistant MOS Capacitor 220 pF 30V Flip-Chip Ready Chip for Wafer-Level BGA Assembly

Name: Dipole Fatigue Resistant MOS Capacitor 220 pF 30V Flip-Chip Ready Chip for Wafer-Level BGA Assembly
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HFC221S30V220
Price: Verhandelbar USD
Availability: InStock

Markenname:	Hoan
Modellnummer:	HFC221S30V220
Mindestbestellmenge:	10 Stück
Zahlungsbedingungen:	L/C, D/A, D/P, T/T

Detailinformationen

Produkt-Beschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

Shaanxi, China

Zertifizierung:

ISO 9001:2015, RoHS

Kapazität:

220 pF ±10 %

Anpassung:

Kundenspezifische Kapazität 10 pF-1000 pF, Bump-Pitch und Chip-Geometrie verfügbar

Bump-Typ:

Kupfersäule mit SnAg-Lötkappe

Bump Pitch:

80 µm (kundenspezifisch erhältlich)

RoHS:

Konform (EU 2015/863)

Feuchtigkeitsempfindlichkeit:

MSL 1 (J-STD-020)

Hervorheben:

Dipole MOS Capacitor 220 pF

Fatigue Resistant MOS Capacitor 30V

Flip-Chip Ready MOS Capacitor

Produkt-Beschreibung

HFC221S30V220 Dipole Fatigue Resistant MOS Capacitor — 220 pF 30V Flip-Chip Ready In short: The HFC221S30V220 is a 220 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is designed for circuits that must hold a stable capacitance over many field and thermal cycles, and it is supplied with wafer-level micro-bump termination for flip-chip, bondwire-free assembly. Custom capacitance values and bump layouts

Umbauten:

Konischer Induktor

Breitband-Induktoren

Luft-Kern-Induktor

Luftspulen-Induktor

MOS Kondensatoren