Возможна нестандартная емкость от 10 до 1000 пФ, шаг выступа и геометрия кристалла.
Тип удара:
Медный столбик с колпачком под припой SnAg
Ударный шаг:
80 мкм (доступно по индивидуальному заказу)
РоХС:
Соответствует (ЕС 2015/863)
Уровень чувствительности к влаге:
МСЛ 1 (J-STD-020)
Выделить:
Dipole MOS Capacitor 220 pF
,
Fatigue Resistant MOS Capacitor 30V
,
Flip-Chip Ready MOS Capacitor
Характер продукции
HFC221S30V220 Dipole Fatigue Resistant MOS Capacitor — 220 pF 30V Flip-Chip Ready In short: The HFC221S30V220 is a 220 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. It is designed for circuits that must hold a stable capacitance over many field and thermal cycles, and it is supplied with wafer-level micro-bump termination for flip-chip, bondwire-free assembly. Custom capacitance values and bump layouts