Condensateur MOS à très faible fuite 150pF 100V, haute rigidité diélectrique, endurance thermique extrême, puce SLC

Condensateur MOS à très faible fuite HACC151S100V200 : 150pF 100V avec une résistance diélectrique élevée à la rupture et une endurance thermique extrême

Le HACC151S100V200 est un condensateur MOS monocouche de 150pF ±10% nominal à 100V DC, conçu pour un fonctionnement continu à des températures allant jusqu'à 200°C. Fabriqué sur silicium flottant (>1000Ω·cm) avec un diélectrique SiO2 de 300nm à croissance thermique, ce dispositif offre une tension de tenue diélectrique leader de l'industrie de 250V.<10nA leakage current at 25°C along with>Dimensions de la puce : 0,50 x 0,50 x 0,15 mm avec métallisation supérieure TiW-Au (2,5 µm Au minimum) et face arrière TiW-Pt-Au (1,0 µm Au minimum, barrière de diffusion Pt).

1. Courant de fuite ultra-faible - Performance sub-nanoampère

Le courant de fuite dans les condensateurs MOS est dominé par le tunneling assisté par pièges à travers le diélectrique SiO2 et la fuite de surface le long des bords de la puce. Le HACC151S100V200 minimise ces deux mécanismes grâce à une oxydation thermique optimisée et une passivation avancée :

• Fuite à 25°C : <10nA à 100V DC - Exceptionnellement faible par rapport aux condensateurs MOS de capacité équivalente typiques de l'industrie (<10nA). Obtenu grâce à une densité de pièges d'interface ultra-faible issue d'une oxydation sèche optimisée avec recuit à l'azote.Fuite à 200°C :
• <500nA à 100V DC - Fuite maintenue faible même à la température de fonctionnement extrême de 200°C. La large bande interdite (8,9 eV) du diélectrique thermique SiO2 assure une suppression intrinsèque des fuites à haute température.Passivation des bords par anneau de garde
• supprime les courants de fuite de surface le long des parois latérales de la puce, maintenant l'intégrité de l'isolation après 1000 heures de HAST (130°C/85%HR) avec moins de 10% de dégradation de la fuite.2. Haute résistance diélectrique à la rupture - Marge de 250% pour une fiabilité critique

La rupture diélectrique est un mécanisme de défaillance de champ majeur dans les condensateurs de puce haute tension. Le HACC151S100V200 élimine ce risque grâce à des marges de conception conservatrices :

Tension nominale : 100V DC continu

• - Convient pour les réseaux de polarisation de drain des amplificateurs de puissance GaN (28-50V) avec une marge de 2-3x, le filtrage des convertisseurs DC-DC haute tension et le stockage d'énergie pulsée.Tension de tenue diélectrique (DWV) : >250V DC (250% nominal)
• - Testé à 100% en production sur chaque puce avec une durée de maintien de 5 secondes. Cette marge de 2,5x dépasse la directive standard de détarage 2x recommandée pour les applications aérospatiales et de défense haute fiabilité.Résistance diélectrique intrinsèque : >10MV/cm
• - Le SiO2 thermique de 300 nm assure une distribution de champ uniforme sans les effets de concentration des bords des électrodes internes qui limitent la tension de claquage des MLCC. La durée de vie TDDB dépasse 10 ans à 125°C et à la tension nominale.3. Endurance thermique extrême - Fonctionnement continu de -55°C à +200°C

Les condensateurs MOS conventionnels sont nominalement jusqu'à 125°C maximum. Le HACC151S100V200 étend cela de 75°C grâce à l'ingénierie des matériaux :

Fonctionnement continu à 200°C

• - Qualifié par 1000 heures de HTOL à 200°C avec une polarisation DC de 100V. Critères d'acceptation : moins de 2% de décalage de capacité, moins de 2x le courant de fuite initial. La barrière de diffusion TiW empêche l'interdiffusion Au-Si jusqu'à >250°C, vérifiée par profilage en profondeur Auger.TCC : +35ppm/°C de -55°C à +200°C
• - Variation de capacité inférieure à ±0,9% sur toute la plage de température de 255°C.Eutectique AuSn recommandé pour >175°C
• - La pâte conductrice argentée est acceptable jusqu'à 175°C ; la soudure eutectique AuSn (point de fusion 280°C) assure une fixation de puce fiable sans dégradation à 200°C.Caractéristiques principales

Fuite ultra-faible :

• <10nA à 25°C/100V, <500nA à 200°C/100V - idéal pour les réseaux de polarisation de précision et les circuits sensibles à la charge Résistance d'isolement :
• ≥10¹⁴ Ω à la tension nominale — assure un blocage DC fiable dans les circuits à haute impédanceTempérature de stockage :
• -65°C à +150°C — large plage de température hors fonctionnement supporte la logistique et le stockage dans des environnements non contrôlésHaute résistance à la rupture :
• >250V DWV (250% nominal) avec distribution de champ uniforme - élimine les modes de défaillance par concentration de bord des MLCCEndurance thermique extrême :
• Fonctionnement continu à 200°C, qualifié par 1000 heures de HTOL avec moins de 2% de décalage paramétriqueStabilité du diélectrique SiO2 :
• Paraélectrique avec vieillissement ferroélectrique nul, absorption diélectrique quasi nulle (<0,1%) et caractéristiques C-V linéairesQualifié pour environnements difficiles : Testé à 100% au niveau du wafer pour la capacité, la fuite et la rupture ; durée de vie illimitée en salle blanche MSL 1
• Spécifications électriques (T = 25°C sauf indication contraire)Paramètre

Valeur

Électronique de surveillance de moteur aérospatial fonctionnant dans des environnements de compartiment moteur non refroidis

• Découplage de polarisation de drain (28-50V) pour amplificateurs de puissance GaN-on-SiC avec une marge de tension substantielle
• Filtrage de sortie de convertisseur DC-DC haute tension où le courant de fuite a un impact direct sur l'efficacité de conversion
• Électronique de capteur pour le contrôle de fours et de procédés industriels fonctionnant en continu à 175-200°C
• Instrumentation scientifique pour expériences de physique à haute température nécessitant une fuite sub-nA et une capacité stable
• Référence rapide d'assemblage
• Fixation de puce :

Soudure eutectique AuSn (300-320°C, gaz formant N2/H2) pour fonctionnement >175°C. Pâte conductrice Ag (Epotek H20E, 120°C/30min) acceptable jusqu'à 175°C. Préformes AuGe ou AuSi pour les applications à très haute température.

Bonding de fils : Bonding par boule thermosonique Au de 25 µm (étage 120-150°C, force 15-35gf, résistance à la traction >6gf). Le bonding par coin Al n'est pas recommandé pour un fonctionnement continu à 200°C.

Stockage : Emballage en plateau ou gel-pak, scellé sous vide avec purge d'azote. Durée de vie illimitée en salle blanche MSL 1 à 30°C/85%HR.

Contactez-nous dès aujourd'hui avec vos exigences de tension, de capacité et d'environnement. Des échantillons d'évaluation standard de 150pF 100V sont expédiés sous 2-3 semaines. Des valeurs personnalisées de 10pF à 1000pF, des tensions nominales jusqu'à 200V et une qualification de température étendue à 225°C sont disponibles avec un délai de prototypage de 4-6 semaines.