รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ตัวเก็บประจุ MOS แบบนาโนแอมป์ 100 pF 10V ชิป SLC แบบลวดรั่วต่ำเป็นพิเศษสำหรับเซ็นเซอร์ IoT ที่ใช้พลังงานแบตเตอรี่

ชื่อแบรนด์:	Hoan
หมายเลขรุ่น:	HACC101S10V300
ขั้นต่ำ:	10 ชิ้น
เงื่อนไขการชำระเงิน:	T/T,L/C,D/A,D/P

ข้อมูลรายละเอียด

คําอธิบายสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

มณฑลส่านซีประเทศจีน

ได้รับการรับรอง:

ISO 9001:2015

ความไวต่อความชื้น:

MSL 1 (อายุพื้นไม่จำกัดต่อ J-STD-020)

การจำแนกประเภท ESD:

ตาม JESD22-A114 มีบรรจุภัณฑ์ที่ปลอดภัยจาก ESD ให้มาด้วย

ข้อมูลพารามิเตอร์ S:

Touchstone 2 พอร์ต DC-40GHz ยกเลิกการฝัง ต่อล็อตการผลิต

การจัดส่งตัวอย่าง:

ตัวอย่างการประเมินผลฟรีภายใน 1-2 สัปดาห์

การปฏิบัติตาม:

RoHS 2015/863, REACH, ปราศจากฮาโลเจน IEC 61249-2-21

การปรับแต่ง:

สามารถกำหนดค่าความจุ แรงดันไฟฟ้า เรขาคณิต อิเล็กทริก การทำให้เป็นโลหะ และตระกูลผลิตภัณฑ์ได้

เน้น:

100 pF MOS ตัวเก็บประจุ 10V

Ultra-Low Leakage MOS ตัวเก็บประจุ

เครื่องประกอบชิป SLC ที่เชื่อมต่อสาย

คําอธิบายสินค้า

ข้อจํากัดหลัก

ปริมาตร	มูลค่า	สภาพการทดสอบ
ความจุชื่อ	100 pF ± 10%	1 MHz, 1.0 Vrms, 25 °C
ความแรงดันแบบเรียงลําดับ	10 วอล	ต่อเนื่อง, -55 °C ถึง +125 °C
กระแสรั่ว	< 0,5 nA ในอุณหภูมิ 25 °C; < 5 nA ในอุณหภูมิ 85 °C	ในระดับความดันเต็ม
ความต้านทานในการปิด	≥10⁶MΩ	ความดันชื่อ 25 °C
ความดันความดันแบบ Dielectric	> 25 V	การทดสอบการผลิต 100%
พันธมิตรอุณหภูมิ (TCC)	0 ± 30 ppm/°C	-55 °C ถึง +125 °C
คออฟเฟกชั่นความเบี่ยงเบนแบบ DC (VCC)	< 10 ppm/V	0 V ถึงความกระชับกําลังปริมาณ
ปัจจัย Q	> 2000 ที่ 1 MHz > 200 ที่ 1 GHz	แบบปกติ
ESR	< 0.1 Ω ที่ 1 GHz	กําจัดการจําแนก
ชิปภายใน ESL	< 0.05 nH	De-embedded from S-parameters ปริมาตรการของ S-parameters
ความถี่ที่สะท้อนตัวเอง	> 2 GHz ระดับชิป > 900 MHz ด้วยสายเชื่อม Au 0.5 mm	แบบปกติ
การดูดซึมไฟฟ้า	< 0.1%	1 kHz
อุณหภูมิการทํางาน	-55 °C ถึง +125 °C	ความสอดคล้องกับปริมาตรทั้งหมด
ความรู้สึกต่อความชื้น	MSL 1	อายุการใช้งานพื้นไม่จํากัดตาม J-STD-020

ค่าทั้งหมดเป็นตัวประกอบของชิ้นส่วนมาตรฐานและตรวจสอบชุดละชุด ขั้นต่ําที่เข้มงวดและการจัดอันดับอื่น ๆ สามารถใช้ได้ตามคําขอ

ข้อมูลปารามิเตอร์ S และโปรแกรมตัวอย่างฟรี

ทุกชุดการผลิตจะถูกส่งพร้อมกับแพคเกจข้อมูลที่วัด เพื่อให้รูปแบบการออกแบบสามารถรับรองได้โดยไม่ต้องใช้วงจรการวัดแยก:

ไฟล์ปารามิเตอร์ S สองพอร์ต (Touchstone.s2p) DC ถึง 40 GHz ถอนเข้ากับแผ่นเจอร์
Q factor และ ESR เทียบกับเส้นโค้งความถี่
ฮิสโตแกรมกระแสกระแสและรายงานการกระจายความจุ
บันทึกการทดสอบความแรงดันต่อความแรง Dielectric และใบการติดตามชุด
ตัวอย่างการประเมินฟรีที่ส่งภายใน 1 งวด 2 สัปดาห์ รวมถึงคู่ที่ตรงกันสําหรับโครงสร้างความแตกต่างหรือ Balun ตามคําขอ

ความสอดคล้อง การทดสอบและการติดตาม

สอดคล้องกับ RoHS 2015/863; ประกาศ REACH มี; ไม่มีฮาโลเจนตาม IEC 61249-2-21
ระบบคุณภาพที่ได้รับการรับรองตาม ISO 9001:2015
การสกรีนความแรงดันแบบดียิเลคทริก 100% ในทุกตัว; ปริมาตรไฟฟ้าที่เก็บตัวอย่างในแต่ละชุด
ความรู้สึกต่อการปล่อยไฟฟ้าสแตตติกจัดหมวดตาม JESD22-A114; บรรจุที่ปลอดภัยจาก ESD ส่งเป็นมาตรฐาน
แต่ละการจัดส่งมีจํานวนชุดที่การ์ปที่บันทึกการทดสอบและ S-parameter fil

การใช้งานทั่วไป

เครื่องเชื่อมต่อ IoT ที่ใช้พลังงานแบตเตอรี่ และสัญลักษณ์สินทรัพย์ (LoRa, BLE, UWB, NB-IoT)
อุปกรณ์ติดตามสุขภาพแบบพกพา และเครื่องมือที่ใส่ได้ในกรณีที่กระแสการนอนหลับมีความสําคัญ
การผ่อนผันการเก็บพลังงานและการแยกการจัดการพลังงาน
เครื่องประกอบ RFID, เครื่องวัดสมาธิ และอุปกรณ์ปิดปิดที่ไม่สามารถรับรอง
เครื่องบูรณาการความแม่นยํา เครื่องนับคูลัมบ์ และเครื่องกรองมาตรฐาน
การปิด DC และการสมองอัมพานซ์ในโมดูล RF compact

ตัวเก็บประจุ MOS แบบนาโนแอมป์ 100 pF 10V ชิป SLC แบบลวดรั่วต่ำเป็นพิเศษสำหรับเซ็นเซอร์ IoT ที่ใช้พลังงานแบตเตอรี่

แท็ก:

ตัวเหนี่ยวนำทรงกรวย

อินดูเตอร์เบนด์กว้าง

ตัวเหนี่ยวนำแกนอากาศ

ตัวเหนี่ยวนำขดลวดอากาศ

เครื่องปรับความแรง MOS