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Nano-Amp 100 pF 10V MOS Capacitores Ultra-baixo vazamento de fio Bondable SLC Chip para sensores IoT alimentados por bateria

Marca:	Hoan
Número do modelo:	HACC101S10V300
Quantidade mínima:	10 peças
Condições de pagamento:	T/T,L/C,D/A,D/P

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Shanxi, China

Certificação:

ISO 9001:2015

Sensibilidade de umidade:

MSL 1 (vida útil ilimitada de acordo com J-STD-020)

Classificação ESD:

De acordo com JESD22-A114, embalagem protegida contra ESD fornecida

Dados do parâmetro S:

Touchstone DC-40GHz de 2 portas, não incorporado, por lote de produção

Entrega de amostra:

Amostras de avaliação gratuitas dentro de 1-2 semanas

Conformidade:

RoHS 2015/863, REACH, livre de halogênio IEC 61249-2-21

Personalização:

Capacitância, tensão, geometria, dielétrico, metalização e atribuição de família de produtos configu

Destacar:

Capacitores MOS de 100 pF 10V

Capacitores MOS de Vazamento Ultra-Baixo

Capacitores de chip SLC ligáveis a fio

Descrição do produto

Especificações chave

Parâmetro	Valor	Condição de teste
Capacitância nominal	100 pF ±10%	1 MHz, 1,0 Vrms, 25 °C
Tensão DC nominal	10 V	Contínua, -55 °C a +125 °C
Corrente de fuga	<0,5 nA a 25 °C; <5 nA a 85 °C	Na tensão nominal completa
Resistência de isolamento	≥10⁶ MΩ	Tensão nominal, 25 °C
Tensão de suportabilidade dielétrica	>25 V	5 s de permanência, teste de produção 100%
Coeficiente de temperatura (TCC)	0 ±30 ppm/°C	-55 °C a +125 °C
Coeficiente de polarização DC (VCC)	<10 ppm/V	0 V a tensão nominal
Fator Q	>2000 a 1 MHz; >200 a 1 GHz	Típico
ESR	<0,1 Ω a 1 GHz	Desembutido
ESL intrínseca do chip	<0,05 nH	Desembutido de parâmetros S
Frequência de auto-ressonância	>2 GHz nível de chip; >900 MHz com um fio de ligação Au de 0,5 mm	Típico
Absorção dielétrica	<0,1%	1 kHz
Temperatura de operação	-55 °C a +125 °C	Conformidade paramétrica total
Sensibilidade à umidade	MSL 1	Tempo de vida ilimitado no piso por J-STD-020

Todos os valores são típicos para a peça padrão e são verificados lote a lote. Limites mais rigorosos e classificações alternativas estão disponíveis mediante solicitação.

Dados de parâmetros S e programa de amostra grátis

Cada lote de produção é fornecido com um pacote de dados medidos para que os modelos de projeto possam ser validados sem um ciclo de medição separado:

Arquivos de parâmetros S de dois portos (Touchstone .s2p), DC a 40 GHz, desembutidos para as pastilhas do die
Curvas de fator Q e ESR versus frequência
Histograma de corrente de fuga e relatório de distribuição de capacitância
Registro de teste de tensão de suportabilidade dielétrica e folha de rastreabilidade do lote
Amostras de avaliação gratuitas despachadas em 1–2 semanas, incluindo pares combinados para estruturas diferenciais ou baluns mediante solicitação

Conformidade, testes e rastreabilidade

Compatível com RoHS 2015/863; declaração REACH disponível; livre de halogênio por IEC 61249-2-21
Sistema de qualidade certificado ISO 9001:2015
Triagem de tensão de suportabilidade dielétrica 100% em cada die; parâmetros elétricos amostrados por lote
Sensibilidade à descarga eletrostática classificada por JESD22-A114; embalagem ESD segura fornecida como padrão
Cada remessa carrega um número de lote que mapeia para seus registros de teste e arquivo de parâmetros S

Aplicações típicas

Nós de sensores IoT alimentados por bateria e tags de ativos (LoRa, BLE, UWB, NB-IoT)
Instrumentos portáteis de monitoramento de saúde e vestíveis onde a corrente de sono é crítica
Front-ends de colheita de energia e desacoplamento de gerenciamento de energia
Inlays de RFID, medidores inteligentes e gabinetes selados que não podem ser reparados
Integradores de precisão, contadores de Coulomb e filtragem de referência
Bloqueio de DC e casamento de impedância em módulos de RF compactos

Nano-Amp 100 pF 10V MOS Capacitores Ultra-baixo vazamento de fio Bondable SLC Chip para sensores IoT alimentados por bateria

Etiquetas:

Indutor Cônico

Indutores de banda larga

Indutor do núcleo do ar

Indutor de bobina de ar

Capacitores MOS