szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Kondensatory MOS
Created with Pixso.

Kondensatory MOS Nano-Amp 100 pF 10 V o bardzo niskim upływie prądu Klejony układ SLC do czujników IoT zasilanych bateryjnie

Kondensatory MOS Nano-Amp 100 pF 10 V o bardzo niskim upływie prądu Klejony układ SLC do czujników IoT zasilanych bateryjnie

Nazwa marki: Hoan
Numer modelu: HACC101S10V300
MOQ: 10 sztuk
Warunki płatności: T/T, L/C, D/A, D/P
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Shaanxi, Chiny
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015
Wrażliwość na wilgoć:
MSL 1 (nieograniczona trwałość podłogi zgodnie z J-STD-020)
Klasyfikacja ESD:
Zgodnie z JESD22-A114, dostarczone opakowanie zabezpieczone przed ESD
Dane parametrów S:
2-portowy Touchstone DC-40 GHz, wbudowany, w każdej partii produkcyjnej
Dostawa próbki:
Bezpłatne próbki ewaluacyjne w ciągu 1-2 tygodni
Zgodność:
RoHS 2015/863, REACH, bezhalogenowy IEC 61249-2-21
Personalizacja:
Możliwość konfiguracji pojemności, napięcia, geometrii, dielektryka, metalizacji i przypisania rodzi
Podkreślić:

Kondensatory MOS 100 pF 10V

,

Kondensatory MOS o ultra-niskim prądzie upływu

,

Kondensatory chipów SLC wiązające się z drutem

Opis produktu

Kluczowe specyfikacje

Parametr Wartość Warunek testu
Nominalna pojemność 100 pF ±10% 1 MHz, 1,0 Vrms, 25 °C
Znamionowe napięcie DC 10 V Ciągłe, od -55 °C do +125 °C
Prąd upływu <0,5 nA przy 25 °C; <5 nA przy 85 °C Przy pełnym napięciu znamionowym
Rezystancja izolacji ≥106 MΩ Napięcie znamionowe, 25 °C
Napięcie przebicia dielektryka >25 V Czas przyłożenia 5 s, 100% test produkcji
Współczynnik temperaturowy (TCC) 0 ±30 ppm/°C Od -55 °C do +125 °C
Współczynnik napięcia stałego (VCC) <10 ppm/V Od 0 V do napięcia znamionowego
Współczynnik dobroci >2000 przy 1 MHz; >200 przy 1 GHz Typowy
ESR <0,1 Ω przy 1 GHz Zdejmowane
Wewnętrzna indukcyjność pasożytnicza chipa <0,05 nH Zdejmowane z parametrów S
Częstotliwość rezonansowa własna >2 GHz na poziomie chipa; >900 MHz z jednym drutem wiążącym Au o długości 0,5 mm Typowy
Pochłanianie dielektryczne <0,1% 1 kHz
Temperatura pracy Od -55 °C do +125 °C Pełna zgodność parametryczna
Wrażliwość na wilgoć MSL 1 Nieograniczony czas przechowywania na podłodze zgodnie z J-STD-020

Wszystkie wartości są typowe dla standardowej części i są weryfikowane partiami. Zaostrzone limity i alternatywne oceny są dostępne na żądanie.


Dane parametrów S i bezpłatny program próbek

Każda partia produkcyjna jest dostarczana z pakietem zmierzonych danych, dzięki czemu modele projektowe mogą być walidowane bez oddzielnego cyklu pomiarowego:

  • Pliki parametrów S dwuportowych (Touchstone .s2p), od DC do 40 GHz, zdejmowane do padów matrycy
  • Krzywe współczynnika dobroci i ESR w funkcji częstotliwości
  • Histogram prądu upływu i raport dystrybucji pojemności
  • Zapis testu napięcia przebicia dielektryka i arkusz identyfikowalności partii
  • Bezpłatne próbki ewaluacyjne wysyłane w ciągu 1-2 tygodni, w tym dopasowane pary do struktur różnicowych lub balun na żądanie


Zgodność, testowanie i identyfikowalność

  • Zgodność z RoHS 2015/863; dostępna deklaracja REACH; bezhalogenowe zgodnie z IEC 61249-2-21
  • System jakości certyfikowany zgodnie z ISO 9001:2015
  • 100% badanie napięcia przebicia dielektryka na każdej matrycy; parametry elektryczne próbkowane na partię
  • Czułość na wyładowania elektrostatyczne klasyfikowana zgodnie z JESD22-A114; standardowo dostarczane opakowanie ESD-safe
  • Każda przesyłka zawiera numer partii, który odnosi się do jej rekordów testowych i plików parametrów S


Typowe zastosowania

  • Zasilane bateryjnie węzły czujników IoT i tagi lokalizacyjne (LoRa, BLE, UWB, NB-IoT)
  • Przenośne instrumenty do monitorowania zdrowia i urządzenia noszone, gdzie prąd spoczynkowy jest krytyczny
  • Układy front-end do pozyskiwania energii i odsprzęgania zarządzania energią
  • Wkłady RFID, inteligentne liczniki i zamknięte obudowy, które nie mogą być serwisowane
  • Precyzyjne integratory, liczniki Coulomba i filtrowanie referencyjne
  • Blokowanie DC i dopasowanie impedancji w kompaktowych modułach RF


Kondensatory MOS Nano-Amp 100 pF 10 V o bardzo niskim upływie prądu Klejony układ SLC do czujników IoT zasilanych bateryjnie