جزئیات محصولات

Created with Pixso. خونه Created with Pixso. محصولات Created with Pixso.
هک کننده های MOS
Created with Pixso.

تراشه SLC قابل اتصال سیم با نشتی فوق العاده کم خازن های MOS 100 pF 100 ولت نانو آمپر برای سنسورهای اینترنت اشیاء با باتری

تراشه SLC قابل اتصال سیم با نشتی فوق العاده کم خازن های MOS 100 pF 100 ولت نانو آمپر برای سنسورهای اینترنت اشیاء با باتری

نام تجاری: Hoan
شماره مدل: HACC101S10V300
MOQ: 10 عدد
شرایط پرداخت: T/T، L/C، D/A، D/P
اطلاعات جزئیات
محل منبع:
شانشی، چین
گواهی:
ISO 9001:2015
حساسیت به رطوبت:
MSL 1 (عمر طبقه نامحدود در هر J-STD-020)
طبقه بندی ESD:
طبق JESD22-A114، بسته بندی ایمن ESD عرضه شده است
داده های پارامتر S:
2 پورت Touchstone DC-40GHz، غیر تعبیه شده، در هر تعداد تولید
تحویل نمونه:
نمونه های ارزیابی رایگان در عرض 1-2 هفته
انطباق:
RoHS 2015/863، REACH، بدون هالوژن IEC 61249-2-21
سفارشی سازی:
ظرفیت، ولتاژ، هندسه، دی الکتریک، متالیزاسیون و تخصیص خانواده محصول قابل تنظیم
برجسته کردن:

خازن‌های MOS 100 پیکوفاراد 10 ولت

,

خازن‌های MOS با نشتی فوق‌العاده کم

,

خازن‌های تراشه‌ای SLC قابل سیم‌بندی

توضیحات محصول

مشخصات کلیدی

پارامتر مقدار شرایط تست
ظرفیت خازنی اسمی 100 پیکوفاراد ±10% 1 مگاهرتز، 1.0 ولت RMS، 25 درجه سانتیگراد
ولتاژ نامی DC 10 ولت پیوسته، -55 درجه سانتیگراد تا +125 درجه سانتیگراد
جریان نشتی <0.5 نانوآمپر در 25 درجه سانتیگراد؛ <5 نانوآمپر در 85 درجه سانتیگراد در ولتاژ نامی کامل
مقاومت عایقی ≥106 مگا اهم ولتاژ نامی، 25 درجه سانتیگراد
ولتاژ دی الکتریک تحمل شده >25 ولت 5 ثانیه زمان ماند، تست تولید 100%
ضریب دمایی (TCC) 0 ±30 ppm/درجه سانتیگراد -55 درجه سانتیگراد تا +125 درجه سانتیگراد
ضریب بایاس DC (VCC) <10 ppm/ولت 0 ولت تا ولتاژ نامی
ضریب Q >2000 در 1 مگاهرتز؛ >200 در 1 گیگاهرتز معمولاً
ESR <0.1 اهم در 1 گیگاهرتز جداسازی شده
ESL تراشه ذاتی <0.05 نانو هانری جداسازی شده از پارامترهای S
فرکانس خود تشدید >2 گیگاهرتز در سطح تراشه؛ >900 مگاهرتز با یک سیم اتصال طلای 0.5 میلی‌متری معمولاً
جذب دی الکتریک <0.1% 1 کیلوهرتز
دمای عملیاتی -55 درجه سانتیگراد تا +125 درجه سانتیگراد انطباق کامل پارامترها
حساسیت به رطوبت MSL 1 عمر نامحدود در کف انبار طبق J-STD-020

تمام مقادیر برای قطعه استاندارد معمولاً هستند و به صورت دسته‌ای تأیید می‌شوند. محدودیت‌های سخت‌گیرانه‌تر و رتبه‌بندی‌های جایگزین در صورت درخواست موجود است.


داده‌های پارامتر S و برنامه نمونه رایگان

هر دسته تولید با یک بسته داده اندازه‌گیری شده عرضه می‌شود تا مدل‌های طراحی بدون چرخه اندازه‌گیری جداگانه تأیید شوند:

  • فایل‌های پارامتر S دو پورت (Touchstone .s2p)، DC تا 40 گیگاهرتز، جداسازی شده تا پدهای دای
  • منحنی‌های ضریب Q و ESR در مقابل فرکانس
  • هیستوگرام جریان نشتی و گزارش توزیع ظرفیت خازنی
  • رکورد تست ولتاژ دی الکتریک تحمل شده و برگه قابلیت ردیابی دسته
  • نمونه‌های ارزیابی رایگان ظرف 1-2 هفته ارسال می‌شوند، شامل جفت‌های مطابق برای ساختارهای دیفرانسیلی یا بالون در صورت درخواست


انطباق، تست و قابلیت ردیابی

  • مطابق با RoHS 2015/863؛ اعلامیه REACH موجود است؛ بدون هالوژن طبق IEC 61249-2-21
  • سیستم کیفیت گواهی شده ISO 9001:2015
  • غربالگری 100% ولتاژ دی الکتریک تحمل شده روی هر دای؛ پارامترهای الکتریکی به صورت دسته‌ای نمونه‌برداری می‌شوند
  • حساسیت به تخلیه الکترواستاتیکی طبق JESD22-A114 طبقه‌بندی شده است؛ بسته‌بندی ایمن ESD به صورت استاندارد عرضه می‌شود
  • هر محموله دارای شماره دسته‌ای است که به سوابق تست و فایل پارامتر S آن نگاشت می‌شود


کاربردهای معمول

  • گره‌های سنسور IoT با باتری و تگ‌های دارایی (LoRa، BLE، UWB، NB-IoT)
  • دستگاه‌های نظارت سلامت قابل حمل و پوشیدنی که در آن‌ها جریان خواب حیاتی است
  • ورودی‌های برداشت انرژی و جداسازی مدیریت توان
  • لایه‌های RFID، کنتورهای هوشمند و محفظه‌های مهر و موم شده که قابل سرویس‌دهی نیستند
  • یکپارچه‌سازهای دقیق، شمارنده‌های کولن و فیلترینگ مرجع
  • مسدود کردن DC و تطبیق امپدانس در ماژول‌های RF فشرده


تراشه SLC قابل اتصال سیم با نشتی فوق العاده کم خازن های MOS 100 pF 100 ولت نانو آمپر برای سنسورهای اینترنت اشیاء با باتری