高精度超低漏れ 150pF 100V MOSコンデンサ 高誘電破壊強度 SLCチップ

HACC151S100V200 超低漏れMOSコンデンサ 150pF 100V 高介電分解強度と極端な熱耐性

HACC151S100V200は,150pF ±10%の単層MOSコンデンサで,100VDCで評価され,200°Cまでの温度で連続動作するように設計されている.浮きゾーンシリコン (>1000Ω·cm) で製造され,300nmの熱成長SiO2ダイレクトリックこの装置は,25°Cで業界トップの<10nAの漏れ電流を, >250Vの電圧耐電電圧とともに供給する. チップの寸法は,TiW-Auトップ金属化 (2.5μm最小 Au) とTiW-Pt-Auの裏側 (1.0μm最小Au,Pt拡散障壁).

1超低流出電流 - 亜ナノアンペア性能

MOSコンデンサータの漏れ電流は,SiO2介電体を通るトラップ支援トンネリングとチップの縁に沿った表面漏れによって支配される.HACC151S100V200は,最適化された熱酸化と高度な消化によって両方のメカニズムを最小限に抑える:

• 25°Cでの漏れ:100V DCで<10nA- 同等容量MOSコンデンサーの業界特有の<10nAと比較して例外的に低い.極低のインターフェイス・トラップ密度により,窒素回焼による最適化された乾燥酸化により得られる..
• 200°Cでの漏れ:100V DCで<500nA- 極度の200°Cの動作温度でも低リークを維持する.SiO2熱介電の広帯域 (8.9eV) は,固有の高温のリーク抑制を提供します.
• 保護リングの縁の消化チップ側壁に沿った表面漏れ電流を抑制し,1000時間のHAST (130°C/85%RH) 後に10%未満の漏れ劣化で絶縁の整合性を維持する.

2高度な電解断裂強度 - ミッション・クリティカル・信頼性の250%の幅

ダイレクトリック崩壊は高電圧チップコンデンサターにおける主要なフィールド障害メカニズムである.HACC151S100V200は保守的な設計幅によってこのリスクを排除する:

• 定位電圧:連続100VDC- 高電圧DC変換フィルタリングとパルス電源エネルギー貯蔵と2〜3倍ヘッドルームを持つGaN電源増幅器排出偏差ネットワーク (28-50V) に適しています.
• ダイエレクトリック抵抗電圧 (DWV): >250V DC (250%名目)- 5秒間のリハビリですべてのダイで100%の生産がテストされました.この幅は,高度な信頼性の航空宇宙および防衛アプリケーションに推奨される標準的な2倍のリハビリガイドラインを超えています.
• 固有電解強度: > 10MV/cm- 300nm 熱性SiO2は,MLCC分解電圧を制限する内部電極端濃度効果なしに,均等なフィールド分布を提供します.TDDBの寿命は125°Cと定位電圧で10年以上.

3-55°Cから+200°Cまでの連続動作

従来のMOSコンデンサータは最大125°Cで,HACC151S100V200は材料工学によって75°Cで拡張します.

• 200°C連続運転- 100V DCバイアスで200°Cで1000時間のHTOLで合格. 受け入れ基準: 2%未満の容量シフト, 2倍未満の初期漏電電流.TiW 拡散障壁は,Au-Si の間拡散を > 250°C に防ぐオーガーの深度プロファイリングで確認された
• TCC: +35ppm/°C -55°Cから+200°Cの横断で- 全255°C温度範囲で容量変動が ±0.9%未満
• AuSnユーテクティック 推奨 > 175°C- 175°Cで許容される伝導性銀エポキシス; AuSnユーテキス溶接 (280°Cの溶融点) は,200°Cで分解がゼロで信頼性の高いダイア付着を提供します.

主要 な 特徴

• 超低漏れ:25°C/100Vで<10nA,200°C/100Vで<500nA - 精密偏差ネットワークや電荷感受性回路に最適
• 断熱抵抗:≥104 MΩ 定位電圧で 高阻力回路で信頼性の高いDCブロックを保証します
• 保存温度:-65°C~+150°C 広範囲の非動作温度範囲は,制御されていない環境での物流と貯蔵をサポートします
• 高度な分解強度:>250V DWV (250%名目) 均等なフィールド分布 - MLCCの縁集中障害モードを排除する
• 極度の耐熱性200°C連続動作,HTOL資格の1000時間,パラメータシフトが2%未満
• SiO2 ダエレクトリック安定性:パラエレクトリック,フェロエレクトリック老化ゼロ,ダイエレクトリック吸収がゼロに近い (<0.1%),C-Vの線形特性
• 厳しい環境 資格容量,漏れ,破損の100%のウエファーレベル試験;MSL 1 制限のない床寿命

電気仕様 (T = 25°C 記載がない限り)

典型的な用途

• ダウンホール掘削と伐採ツール (環境150〜200°C) 形成温度で安定したパラメータ性能を持つDCブロックとバイパスを必要とする
• 冷却されていないエンジン室環境で動作する航空宇宙エンジンモニタリング電子機器
• 高電圧流出偏差解離 (28-50V) のGaN対SiC電源増幅器
• 高電圧直流電源変換器の出力フィルタリング 流出電流が直接変換効率に影響する場合
• 産業用炉およびプロセス制御センサー電子機器,連続で175〜200°Cで動作する
• サブナナ漏れと安定容量を必要とする高温物理実験のための科学機器

アセンブリの速要情報

デイアタッチ:AuSnユーテキス溶接器 (300〜320°C,N2/H2を形成するガス) > 175°Cでの動作.導電性アグエポキシ (Epotek H20E,120°C/30min) 175°Cで受け入れられる.高温アプリケーションのためのAuGeまたはAuSiプレフォーム.

ワイヤー結合:25μm Au熱音球結合 (120-150°C段階,15-35gf力,>6gf引力).Alクイン結合は200°C連続動作では推奨されません.

保存:ワッフルパックまたはゲルパック,窒素浄化で真空密封.MSL 1 30°C/85%RHで無制限の耐久性.

標準150pF 100V評価サンプルは 2-3週間以内に出荷します. 10pFから1000pFまでのカスタム値,定位電圧200Vまで試験試験試験試験試験試験試験試験試験試験試験試験試験試験試験試験