P

HACC151S100V200 Ultra-Lage Lekstroom MOS Condensator: 150pF 100V met Hoge Diëlektrische Doorslagsterkte en Extreme Thermische Duurzaamheid

De HACC151S100V200 is een 150pF ±10% enkellaagse MOS-condensator met een nominale spanning van 100V DC, ontworpen voor continu bedrijf bij temperaturen tot 200°C. Vervaardigd op float-zone silicium (>1000Ω·cm) met 300nm thermisch gegroeid SiO2-diëlektricum, levert dit apparaat toonaangevende<10nA leakage current at 25°C along with>250V diëlektrische weerstandsspanning. Chipafmetingen zijn 0,50 x 0,50 x 0,15 mm met TiW-Au topmetallisatie (minimaal 2,5 µm Au) en TiW-Pt-Au achterkant (minimaal 1,0 µm Au, Pt-diffusiebarrière).

1. Ultra-lage lekstroom - Sub-nanoampère prestaties

Lekstroom in MOS-condensatoren wordt gedomineerd door val-geassisteerde tunneling door het SiO2-diëlektricum en oppervlaktelekkage langs de chipranden. De HACC151S100V200 minimaliseert beide mechanismen door geoptimaliseerde thermische oxidatie en geavanceerde passivering:

• Lekstroom bij 25°C:<10nA bij 100V DC- Uitzonderlijk laag vergeleken met de industrie-typische<10nA voor MOS-condensatoren met equivalente capaciteit. Bereikt door ultra-lage interface-valdichtheid door geoptimaliseerde droge oxidatie met stikstof-annealing.
• Lekstroom bij 200°C:<500nA bij 100V DC- Lage lekstroom gehandhaafd, zelfs bij de extreme bedrijfstemperatuur van 200°C. De brede bandkloof (8,9 eV) van het thermische SiO2-diëlektricum zorgt voor inherente onderdrukking van lekstromen bij hoge temperaturen.
• Guard-ring randpassiveringonderdrukt oppervlaktelekstroom langs de chipzijwanden, waardoor de isolatie-integriteit behouden blijft na 1000 uur HAST (130°C/85% RH) met minder dan 10% lekdegradatie.

2. Hoge diëlektrische doorslagsterkte - 250% marge voor missiekritische betrouwbaarheid

Diëlektrische doorslag is een leidend veldfaalmechanisme in hoogspanningschipcondensatoren. De HACC151S100V200 elimineert dit risico door conservatieve ontwerpmarges:

• Nominale spanning: 100V DC continu- Geschikt voor GaN-vermogenversterker drain-biasnetwerken (28-50V) met 2-3x hoofdruimte, hoogspannings DC-DC-converterfiltering en gepulste energieopslag.
• Diëlektrische weerstandsspanning (DWV): >250V DC (250% nominaal)- 100% productie getest op elke chip met 5 seconden verblijf. Deze 2,5x marge overschrijdt de standaard 2x derating-richtlijn die wordt aanbevolen voor hoogbetrouwbare lucht- en ruimtevaart- en defensietoepassingen.
• Intrinsieke diëlektrische sterkte: >10MV/cm- Het 300nm thermische SiO2 zorgt voor een uniforme veldverdeling zonder de interne elektrode-randconcentratie-effecten die de doorslagspanning van MLCC's beperken. TDDB-levensduur overschrijdt 10 jaar bij 125°C en nominale spanning.

3. Extreme thermische duurzaamheid - Continu bedrijf van -55°C tot +200°C

Conventionele MOS-condensatoren zijn geschikt tot maximaal 125°C. De HACC151S100V200 breidt dit uit met 75°C door middel van materiaaltechniek:

• 200°C continu bedrijf- Gekwalificeerd door 1000 uur HTOL bij 200°C met 100V DC-bias. Acceptatiecriteria: minder dan 2% capaciteitsverschuiving, minder dan 2x initiële lekstroom. TiW-diffusiebarrière voorkomt Au-Si interdiffusie tot >250°C, geverifieerd door Auger-diepteprofilering.
• TCC: +35ppm/°C over -55°C tot +200°C- Capaciteitsvariatie onder ±0,9% over het volledige temperatuurbereik van 255°C.
• AuSn-eutectisch aanbevolen voor >175°C- Geleidende zilverepoxy acceptabel tot 175°C; AuSn-eutectische soldeer (smeltpunt 280°C) zorgt voor betrouwbare chipbevestiging met nul degradatie bij 200°C.

Belangrijkste kenmerken

• Ultra-lage lekstroom: <10nA bij 25°C/100V, <500nA bij 200°C/100V - ideaal voor precisie-biasnetwerken en ladingsgevoelige circuits
• Isolatieweerstand:≥10¹⁴ MΩ bij nominale spanning — zorgt voor betrouwbare DC-blokkering in hoogohmige circuits
• Opslagtemperatuur:-65°C tot +150°C — breed niet-operationeel temperatuurbereik ondersteunt logistiek en opslag in ongecontroleerde omgevingen
• Hoge doorslagsterkte:>250V DWV (250% nominaal) met uniforme veldverdeling - elimineert MLCC-randconcentratie-foutmodi
• Extreme thermische duurzaamheid:200°C continu bedrijf, 1000 uur HTOL gekwalificeerd met minder dan 2% parametrische verschuiving
• SiO2-diëlektrische stabiliteit:Parëlektrisch met nul ferro-elektrische veroudering, bijna nul diëlektrische absorptie (<0,1%) en lineaire C-V-kenmerkenGekwalificeerd voor zware omstandigheden:
• 100% wafer-niveau getest op capaciteit, lekstroom en doorslag; MSL 1 onbeperkte vloerlevensduurElektrische specificaties (T = 25°C tenzij anders vermeld)

Parameter

Downhole boor- en loggingapparatuur (150-200°C omgeving) die DC-blokkering en bypass vereist met stabiele parametrische prestaties bij formatie-temperaturen

• Aerospace motorbewakingselektronica die werkt in ongekoelde motorruimtes
• GaN-on-SiC vermogenversterker hoogspannings drain-bias ontkoppeling (28-50V) met aanzienlijke spanningsruimte
• Hoogspannings DC-DC-converter uitgangsfiltering waarbij lekstroom direct de conversie-efficiëntie beïnvloedt
• Industriële oven- en procesregelingssensorelektronica die continu werkt bij 175-200°C
• Wetenschappelijke instrumentatie voor hogetemperatuur natuurkunde-experimenten die sub-nA lekstroom en stabiele capaciteit vereisen
• Assemblage Snelreferentie

Chipbevestiging:

AuSn-eutectische soldeer (300-320°C, N2/H2 beschermgas) voor >175°C bedrijf. Geleidende Ag-epoxy (Epotek H20E, 120°C/30min) acceptabel tot 175°C. AuGe of AuSi pre-forms voor toepassingen bij de hoogste temperaturen.Draadbonding:

25µm Au thermosonische balbonding (120-150°C podium, 15-35gf kracht, >6gf treksterkte). Al-wig bonding niet aanbevolen voor continu 200°C bedrijf.Opslag:

Wafelbakje of gel-pak, vacuüm verzegeld met stikstofspoeling. MSL 1 onbeperkte vloerlevensduur bij 30°C/85% RH.Neem vandaag nog contact met ons op met uw spannings-, capaciteits- en omgevingsvereisten. Standaard 150pF 100V evaluatiemonsters worden binnen 2-3 weken verzonden. Aangepaste waarden van 10pF tot 1000pF, spanningsclassificaties tot 200V en uitgebreide temperatuurkwalificatie tot 225°C beschikbaar met een prototyping doorlooptijd van 4-6 weken.