Miniaturisierter Hochleistungs-MOS-Kondensator 220pF 30V mit außergewöhnlicher Hochfrequenzstabilität, kundenspezifischer SLC-Chip auf Wafer-Ebene

HACC221S30V120 Miniaturisierter MOS-Kondensator mit hoher Dichte: 220pF 30V mit außergewöhnlicher Hochfrequenzstabilität und Anpassung auf Waferebene

Der HACC221S30V120 ist ein 220pF ±10% einlagiger MOS-Kondensator mit einer Leistung von 30 V Gleichstrom, hergestellt auf Float-Zone-Silizium (>1000Ω·cm) mit einem 300nm-thermisch angebauten SiO2-Dielectric.Mit einem ultra-miniaturen Fußabdruck von nur 0.35 x 0,35 x 0,15 mm ∙ eine Flächenreduzierung von 51% gegenüber Standard 0.50 mm-Chips Die TiW-Au-Obermetallisierung (minimal 2,5 μm Au) und die TiW-Pt-Au-Hinterseite (minimal 1,0 μm Au, Pt-Diffusionsbarriere) sorgen für eine zuverlässige Drahtbindung und universelle Druckfestkompatibilität.Vollständig anpassbar durch Wafer-Level-Design: Kapazität, Spannungsbewertung, Werkstoffgeometrie, Metallisierungstapel und Multi-Kondensator-Array-Konfigurationen sind alle auf Ihre Spezifikationen zugeschnitten mit OEM-Unterstützung vom Prototyp bis zur Serienproduktion.

1. Miniaturisiertes Hochdichte-Design 1796pF/mm2 in 0,35mm Fußabdruck

Der unermüdliche Wunsch nach kleineren, leichteren und integrierteren HF-Modulen erfordert Kondensatoren, die maximale Kapazität in minimalem Bereich liefern.Die HACC221S30V120 erreicht dies durch fortschrittliche Fotolithographie und Präzisionswaferferfertigung:

• 0.35 x 0,35 mm Fußabdruck (0,1225 mm2)- 51% kleiner als der Industriestandard 0,50 mm MOS-Kondensator (0,25 mm2). Passt zwischen dicht voneinander entfernten GaAs und GaN MMICs auf dichten fassierten Array-Beamformer-Fliesen,die eine höhere Kanaldensität ohne Erweiterung der Trägerfläche ermöglicht.
• 1796pF/mm2 Kapazitätsdichte220 pF in 0,1225 mm2 liefert 2x die Flächenkapazität von Standard 100pF/0,50 mm MOS-Kondensatoren (400pF/mm2).Erreicht durch eine optimierte Elektrodengeometrie, die die aktive Kondensatorfläche als Bruchteil der gesamten Verformungsfläche maximiert.
• 0.15mm sehr niedriges ProfilDie Hälfte der Höhe eines 0402 MLCC (0,30 mm) passt in die hermetischen Deckelräume des Moduls und ermöglicht eine 3D- gestapelte Hybridmontage, bei der der vertikale Raum ein Vorteil ist.

2. Aussergewöhnliche Hochfrequenzstabilität ¢ SRF >2 GHz für mmWave-Anwendungen

Bei Millimeterwellenfrequenzen wird die Kondensator-Selbstresonanz zum dominierenden Leistungsbegrenzer.Die HACC221S30V120 erreicht durch ihre einlagige Koaxial-Architektur und minimale parasitäre Induktivität eine außergewöhnliche Hochfrequenzstabilität:

• Schaltfläche: > 2 GHzDie Messung durch De-Embedded bestätigt die Selbstresonanz über den typischen MLCC-Grenzen (600-800 MHz) und bis in die Mikrowellenfrequenzen.Dies wird durch den einlagigen Stromweg ohne interne Elektroden erreicht, keine Durchgänge und keine serpentine Routing
• System-SRF mit 0,5 mm Bindungsdraht: > 500 MHzFür die Anwendung von Sub-6GHz 5G NR, Satelliten-L/S-Band und Wi-Fi 6E-Bypass-Anwendungen.
• Innerer Chip ESL: < 0,03nH- 15-20-mal niedriger als die MLCC mit gleichwertiger Kapazität in der Verpackung 0402 (0,4-0,6nH).Die ultra-niedrige ESL sorgt dafür, dass der Kondensator durch wesentlich höhere Frequenzen als MLCC-Alternativen ein kapazitives Verhalten aufrechterhält (Impedanz nimmt mit der Frequenz ab).
• ESR < 0,08 Ohm bei 1 GHzBei einem 5G n77 PA-Ausgangsmatch erholt dies im Vergleich zu einem gleichwertigen MLCC 0,3-0,8 dB Durchlaufverlust.

3. Wafer-Level-Anpassung und OEM-Unterstützung

Der HACC221S30V120 basiert auf einer konfigurierbaren MOS-Kondensatorplattform auf Waferebene.

• Benutzerdefinierte Kapazitätswerte:5pF bis 1000pF auf der 0,35mm-Plattform, mit einer Toleranz von ±5% oder enger.
• Geometrie für die Anpassung:Rechteckige Seitenverhältnisse bis zu 4:1, unregelmäßige Formen (L-Form, ringförmig) für nicht standardmäßige Hybrid-Schaltkreis-Footprints und Multi-Capacitor-Array-Konfigurationen (2-8 Kanäle).
• Benutzerdefinierte Metallisierung:Oberseite: TiW-Au (Standard), Al-metallisiert oder AuSn-Vorablagerung. Rückseite: TiW-Pt-Au (Standard), Au-only, AuSn, AuGe oder AuSi für spezifische Montageverfahren.
• Optionen für die Lieferung auf Waferebene:Volle Wafer (geprobt, mit Tinte versehen, abgebildet), gesähte Wafer auf Rahmen, Gel-Pak-Träger mit Vakuum-Ausgabe, Waffel-Packs mit KGD-Karten oder Klebeband und Rolle für die automatisierte Montage.
• Test auf 100% Wafer-Ebene:Jede Matrize wird einem Gleichspannungsparametertest (Kapazität, Leckage, DWV) und einer RF-S-Parametercharakterisierung von 100 MHz bis 20 GHz unterzogen.67) je Los.
• Kontinuität vom Prototyp bis zur Produktion:Der gleiche Wafer-Fertigungsprozess, das gleiche Testprogramm, die gleichen Qualitätsstandards vom Prototyp (MOQ 10 Stück) bis zur Massenproduktion.

Wesentliche Merkmale

• Miniaturisierte Hochdichte:0.35mm Fußabdruck, 1796pF/mm2 Dichte, 0,15mm Profil ermöglicht 51% Flächenreduktion gegenüber Standard 0,50mm MOS Kondensatoren
• Außergewöhnliche Hochfrequenzstabilität:>2GHz-Chip SRF, <0.03nH ESL, <0.08 Ohm ESR
• Anpassung auf Waferebene:Benutzerdefinierte Kapazität, Spannung, Geometrie, Metallisierung und Arraykonfigurationen vom Prototyp bis zum Volumen
• Vollständiger OEM-Support:Entwurfskooperation von der Spezifikation bis zur Qualifizierung, 100% Wafer-Level-Test mit KGD-Wafer-Karten und SPC-Daten pro Charge
• SiO2 Dielektrische Stabilität:Paraelektrisch mit null ferroelektrischer Alterung, null DC-Bias-Kapazitätsabfall und +35ppm/°C TCC

Elektrische Spezifikationen (T = 25°C, sofern nicht angegeben)

Typische Anwendungen

• 5G FR2 mmWave-Phased-Array-Beamformer-Fliesen, für die eine maximale Kanaldichte und Chip-SRF > 2 GHz für Mikrowellen-Bypass und -Kopplung erforderlich sind
• Mehrkanal-Satellitenkommunikations-Nutzlasten (LEO/MEO), bei denen eine um 51% geringere Ausdehnung die Anzahl der Kanäle pro Trägerbereich um das Zweimal erhöht
• Hochdichte Hybridmikrokreise, die Kondensatoren zwischen dicht voneinander entfernten GaAs/GaN-MMICs integrieren
• Automobilradar-MMIC-Bias-Netzwerke, die ein nahezu ideales Kapazitätsverhalten über den typischen MLCC-Grenzwerten erfordern
• Hochgeschwindigkeits-optische Transceiver (100G/400G/800G), bei denen das Profil von 0,15 mm innerhalb des hermetischen TOSA/ROSA-Deckels passt
• Individuelle Anwendungen für Multi-Kondensator-Arrays, bei denen die Designflexibilität auf Waferebene Single-Chip-Lösungen ermöglicht, die mehrere diskrete Komponenten ersetzen

OEM-Anpassung und Montage Schnelle Referenz

Die Anlage:AuSn eutektisches Lötmittel (300-320°C, N2/H2) für die niedrigste Bodeninduktivität. Leitfähiges Ag-Epoxid (Epotek H20E, 120°C/30min) für die Niedertemperatur-Budgetmontage.

Wirbeverbindung:18 μm oder 25 μm Au-Thermosonische Kugelbindung (120-150 °C-Stufe, >6gf Zugkraft). Für die SRF-Optimierung verwenden Sie zwei parallele Bindungen oder ein 25 μm x 75 μm Au-Band.

Anpassung auf Waferebene:Kontaktieren Sie unser OEM-Team mit Ihren Anforderungen an Kapazität, Spannung, Werkstoffgeometrie, Metallisierung und Lieferformat.Prototypen werden in 3-4 Wochen mit vollständigen Parametertestdaten und KGD-Waferkarten ausgeliefert.

AufbewahrungWaffelpack, Gel-Pak oder Wafer-Level nach Kundenspezifikation.

Kontaktieren Sie uns noch heute, um Ihre Anforderungen an einen miniaturisierten Hochdensitätskondensator zu besprechen.Kundenspezifische Waferkonstruktionen mit voller OEM-Unterstützung mit einer Vorlaufzeit von 3-4 Wochen für die Prototyping.