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HACC102S25V810 MOS Capacitors 1000 pF 25V 8 Bit Binary Weighted Taps Ultra Low Dielectric Absorption

Name: HACC102S25V810 MOS Capacitors 1000 pF 25V 8 Bit Binary Weighted Taps Ultra Low Dielectric Absorption
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC102S25V810
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Hoan
Número De Modelo:	HACC102S25V810
Cantidad Mínima De Pedido:	10 piezas
Condiciones De Pago:	T/T, L/C, D/P, D/A

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

Shaanxi, China

Certificación:

ISO 9001:2015

ESL intrínseco:

<0,05 nH

Corriente de fuga:

<10 nA a 25 °C, <100 nA a 125 °C (25 V CC)

Dimensiones de los chips:

1,20 × 1,20 × 0,20 mm (±25 µm)

Grado del ESD:

Clase 0 (HBM) según JESD22-A114

Temperatura de funcionamiento:

-55 °C a +125 °C

Sensibilidad de humedad:

MSL 1 según J-STD-020

Resaltar:

Zero Piezoelectric Noise Precision Signal

Binary Weighted Multi Tap Tuning

Ultra Low Dielectric Absorption

Descripción de producto

HACC102S25V810 MOS Capacitor 1000 pF 25 V 8-Bit Binary-Weighted Precision Tuning with Zero Piezoelectric Noise Model: HACC102S25V810Product name: Precision-signal single-layer MOS capacitor, 8-bit binary-weighted multi-tap, 1000 pF ±1%, 25 V DCProduct category: MOS Capacitors — wire-bondable single-layer chip (SLC)Brand: Hoan | Place of origin: Shaanxi, China | Certification: ISO 9001:2015, RoHS 2015/863, REACHModel coding: HACC + capacitance code (102 = 10 × 10² pF = 1000 pF

Etiquetas:

Capacitores MOS de chip RF personalizados, endurecidos contra la radiación, para mapas de obleas digitales de respuesta Q plana espacial

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