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HACC102S25V810 MOS Capacitors 1000 pF 25V 8 Bit Binary Weighted Taps Ultra Low Dielectric Absorption

Name: HACC102S25V810 MOS Capacitors 1000 pF 25V 8 Bit Binary Weighted Taps Ultra Low Dielectric Absorption
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC102S25V810
Price: Verhandelbar USD
Availability: InStock

Markenname:	Hoan
Modellnummer:	HACC102S25V810
Mindestbestellmenge:	10 Stück
Zahlungsbedingungen:	T/T,L/C,D/P,D/A

Detailinformationen

Produkt-Beschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

Shaanxi, China

Zertifizierung:

ISO 9001:2015

Intrinsische ESL:

<0,05 nH

Leckstrom:

<10 nA bei 25 °C, <100 nA bei 125 °C (25 V DC)

Chipabmessungen:

1,20 × 1,20 × 0,20 mm (±25 µm)

Esd-Bewertung:

Klasse 0 (HBM) gemäß JESD22-A114

Betriebstemperatur:

-55 °C bis +125 °C

Feuchtigkeits-Empfindlichkeit:

MSL 1 gemäß J-STD-020

Hervorheben:

Zero Piezoelectric Noise Precision Signal

Binary Weighted Multi Tap Tuning

Ultra Low Dielectric Absorption

Produkt-Beschreibung

HACC102S25V810 MOS Capacitor 1000 pF 25 V 8-Bit Binary-Weighted Precision Tuning with Zero Piezoelectric Noise Model: HACC102S25V810Product name: Precision-signal single-layer MOS capacitor, 8-bit binary-weighted multi-tap, 1000 pF ±1%, 25 V DCProduct category: MOS Capacitors — wire-bondable single-layer chip (SLC)Brand: Hoan | Place of origin: Shaanxi, China | Certification: ISO 9001:2015, RoHS 2015/863, REACHModel coding: HACC + capacitance code (102 = 10 × 10² pF = 1000 pF

Umbauten:

Konischer Induktor

Breitband-Induktoren

Luft-Kern-Induktor

Luftspulen-Induktor

MOS Kondensatoren