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HACC102S25V810 MOS Capacitors 1000 pF 25V 8 Bit Binary Weighted Taps Ultra Low Dielectric Absorption

Name: HACC102S25V810 MOS Capacitors 1000 pF 25V 8 Bit Binary Weighted Taps Ultra Low Dielectric Absorption
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC102S25V810
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Hoan
Número do modelo:	HACC102S25V810
Quantidade mínima:	10 peças
Condições de pagamento:	T/T,L/C,D/P,D/A

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Shanxi, China

Certificação:

ISO 9001:2015

ESL intrínseco:

<0,05nH

Corrente de vazamento:

<10 nA a 25 °C, <100 nA a 125 °C (25 V CC)

Dimensões do chip:

1,20 × 1,20 × 0,20 mm (±25 µm)

Avaliação do ESD:

Classe 0 (HBM) por JESD22-A114

Temperatura operacional:

-55 °C a +125 °C

Sensibilidade de umidade:

MSL 1 por J-STD-020

Destacar:

Zero Piezoelectric Noise Precision Signal

Binary Weighted Multi Tap Tuning

Ultra Low Dielectric Absorption

Descrição do produto

HACC102S25V810 MOS Capacitor 1000 pF 25 V 8-Bit Binary-Weighted Precision Tuning with Zero Piezoelectric Noise Model: HACC102S25V810Product name: Precision-signal single-layer MOS capacitor, 8-bit binary-weighted multi-tap, 1000 pF ±1%, 25 V DCProduct category: MOS Capacitors — wire-bondable single-layer chip (SLC)Brand: Hoan | Place of origin: Shaanxi, China | Certification: ISO 9001:2015, RoHS 2015/863, REACHModel coding: HACC + capacitance code (102 = 10 × 10² pF = 1000 pF

Etiquetas:

Indutor Cônico

Indutores de banda larga

Indutor do núcleo do ar

Indutor de bobina de ar

Capacitores MOS