HongAn Microwave Co., Ltd.

ελληνικά

বাংলা

हिन्दी



บ้าน

เกี่ยวกับเรา

โปรไฟล์บริษัท

ทัวร์โรงงาน

การควบคุมคุณภาพ

คำถามที่พบบ่อย

สินค้า

ตัวเหนี่ยวนำทรงกรวย

อินดูเตอร์เบนด์กว้าง

ตัวเหนี่ยวนำแกนอากาศ

ตัวเหนี่ยวนำขดลวดอากาศ

เครื่องปรับความแรง MOS

คอนเดสเซเตอร์ชั้นเดียว

ข่าว

ติดต่อเรา

อ้าง

บ้าน

HongAn Microwave Co., Ltd. แผนผังเว็บไซต์

Company

เกี่ยวกับเรา

ติดต่อเรา

บล็อก

สินค้า

ตัวเหนี่ยวนำทรงกรวย

220nH โคนิค อินดูเตอร์ อัลตร้าไวด์แบนด์ RF Choke 40GHz ออปติก แทรนซิเวอร์ สะอาดตา Diagram

ตัวเหนี่ยวนำทรงกรวยความแม่นยำ ตัวเหนี่ยวนำไมโครเวฟย่านความถี่กว้างพิเศษ ความจุไฟฟ้าปรสิตน้อยที่สุด

อินดูเตอร์เบนด์กว้าง

ตัวเหนี่ยวนำบรอดแบนด์ไมโครเวฟ 550nH ตัวเหนี่ยวนำ RF แบบลวดไมโครแบบบรอดแบนด์ 50MHz ถึง 40GHz

สายละเอียด อินดูเตอร์เบนด์กว้าง 160nH RF Choke อินดูเตอร์ 100MHz ถึง 22GHz RF

160nH Broadband Inductors Microwave High Frequency Choke Coil 200MHz to 20GHz RF

ตัวเหนี่ยวนำบรอดแบนด์ 130nH แบบกรวย Bias Tee Choke ความถี่วิทยุสำหรับ 22GHz RF

ตัวเหนี่ยวนำบรอดแบนด์ 120nH ตัวเหนี่ยวนำกรวยบรอดแบนด์พิเศษ ตัวเหนี่ยวนำกรวย 200MHz ถึง 40GHz RF Choke

ตัวเหนี่ยวนำแกนอากาศ

แกนอากาศแบบปรับรูปทรง ตัวเหนี่ยวนำ ค่าความเหนี่ยวนำที่แม่นยำ ลวดพัน ค่าความคลาดเคลื่อนที่แม่นยำ การสร้างต้นแบบอย่างรวดเร็ว

การปิดระดับความละเอียด อินดูเตอร์แกนอากาศ ตัวเลือกประกอบความละเอียด

โครงการออกแบบแบบแบบแบบเร่งรัด

แกนอากาศเหนี่ยวนำมิติที่ปรับแต่งได้ ไม่มีการอิ่มตัวของแม่เหล็ก ประสิทธิภาพเชิงเส้น การสร้างต้นแบบอย่างรวดเร็ว

48nH 20T ตัวเหนี่ยวนำแกนอากาศ ทนอุณหภูมิสูงมาก RF Choke ไม่มี Hysteresis ประสิทธิภาพสูง

ตัวเหนี่ยวนำขดลวดอากาศ

ตัวเหนี่ยวนำขดลวดอากาศ Ultra High Q 17nH ขดลวดพัน 400mA สำหรับการออกแบบ Micro RF

12 Turn Air Coil Inductors Micro Custom Wound Coil ชิป RF ความแม่นยําสูง

ตัวเหนี่ยวนำขดลวดอากาศความแม่นยำสูง ขดลวดอากาศขนาดเล็ก 10 รอบ RF Chip

ขดลวดเหนี่ยวนำขดลวดอากาศ 8 รอบ การออกแบบแกนอากาศแบบกำหนดเอง 4GHz สำหรับการใช้งาน 20GHz

คอยล์ RF ความถี่สูงเหนี่ยวนำคอยล์อากาศ 7nH สำหรับส่วนหน้าไร้สาย 5GHz

เครื่องปรับความแรง MOS

ตัวเก็บประจุ MOS ทนทาน แรงดันพังทลายสูง ขนาดเล็กพิเศษ รั่วไหลต่ำ 50V เชื่อมต่อด้วยลวดได้ SLC

คอนเดสซิเตอร์ MOS ความสูญเสียต่ําสุด ความมั่นคง TCC VCC ที่ดีเยี่ยม 100pF 50V ชิป Q สูงที่ RF

ตัวเก็บประจุ MOS กระแสสูง อายุการใช้งานยาวนาน อายุการเก็บรักษาไม่จำกัด 15V 220 pF ชั้นเดียว RF Chip

ตัวเก็บประจุ MOS CTE ที่ตรงกัน SRF สูงพิเศษ 15V ตัวเก็บประจุชั้นเดียวสำหรับไมโครวงจรไฮบริด

ตัวเก็บประจุ MOS ที่มีการนำความร้อนสูง AuSn ด้านหลัง 20V ตัวเก็บประจุชิป RF กำลังสูงแบบชั้นเดียวความหนาแน่นสูง

หนาทนทานความชื้น MOS Capacitors โปรไฟล์ตามสั่ง 30V 150 pF ชิปชั้นเดียวสําหรับไร้สายกลางแจ้ง

คอนเดสเซเตอร์ชั้นเดียว

100V 100pF แบรดแบนด์ คอนเดซิเตอร์ชั้นเดียว 0.1GHz ถึง 20GHz ESR ต่ํา 2 ด้าน ผนังบาง

100pF 50V แบรดแบนด์ คอนเดสซิเตอร์ชั้นเดียว 0.4GHz ถึง 40GHz ESR ต่ํา

ตัวเก็บประจุชั้นเดียวที่มีขอบสองด้าน 100pF 50V ชิปสัญญาณ RF ESR ต่ำ

ตัวเก็บประจุชั้นเดียวที่มีขอบ 10pF 100V ชิป RF Metallization ESR TiW-Au ต่ำ

1 2 3 4 5