HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| ชื่อแบรนด์: | Hoan |
| หมายเลขรุ่น: | HACC101S10V500 |
| ขั้นต่ำ: | 10 |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | L/C, D/A, D/P, T/T ตะวันตกสหภาพ |
HACC101S10V500 ตัวเก็บประจุแบบชั้นเดียวมีขอบสองด้าน (100pF,50V)
ตัวเก็บประจุแบบชั้นเดียวมีขอบสองด้านคืออะไร?
สำหรับการบรรจุไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่มีความน่าเชื่อถือสูง การยึดทั้งด้านบนและด้านล่างของตัวเก็บประจุแบบชิปเป็นสิ่งสำคัญ HACC101S10V500 ได้รับการออกแบบให้เป็นตัวเก็บประจุแบบชั้นเดียวมีขอบสองด้าน (Margin) แบบ Single Layer Capacitor.
แตกต่างจากรุ่นที่มีขอบด้านเดียว ชิปนี้มีขอบเซรามิกที่ไม่มีการเคลือบโลหะ (Margin) ที่สัมผัสได้ทั้งที่พื้นผิวด้านบนและด้านล่าง.
•ขอบด้านบน: ป้องกันการลัดวงจรของสายทองจากการเคลื่อนที่ผิดแนวโดยไม่ได้ตั้งใจ.
•ขอบด้านล่าง: ป้องกันอีพ็อกซี่เงินนำไฟฟ้า (เช่น H20E) ไม่ให้ไหลขึ้นไปตามผนังด้านข้างของชิประหว่างการติดชิปด้านล่าง.
สถาปัตยกรรมแบบสองชั้นนี้รับประกันว่าแม้ภายใต้การผลิตอัตโนมัติปริมาณมาก อัตราการลัดวงจรที่เกิดจากอีพ็อกซี่จะลดลงจนเป็นศูนย์อย่างแน่นอน.
หลักการทางวิทยาศาสตร์เบื้องหลังการเคลือบฟิล์มบาง TaN/TiW/Ni/Au
HACC101S10V500 โดดเด่นด้วยการเคลือบฟิล์มหลายชั้น TaN/TiW/Ni/Au (Tantalum Nitride / Titanium-Tungsten / Nickel / Gold) บนขั้วไฟฟ้าทั้งสองด้าน (ความหนา ≥ 2.5 µm Min) นี่คือเหตุผลที่ระบบฟิล์มที่ซับซ้อนนี้มีความสำคัญต่อโมดูลไมโครเวฟ:
1.ชั้น TaN (Tantalum Nitride): ทำหน้าที่เป็นชั้นยึดเกาะที่แข็งแรงเป็นพิเศษ ยึดการเคลือบโลหะเข้ากับตัวไดอิเล็กทริกเซรามิกและป้องกันการลอกของขั้วไฟฟ้าภายใต้การอบที่อุณหภูมิสูง.
2.ชั้นกั้น TiW (Titanium-Tungsten): ป้องกันการแพร่กระจายของทองแดงหรือวัสดุรองพื้นเข้าไปในชั้นทอง.
3.ชั้นกั้น Ni (Nickel): ทำหน้าที่เป็นชั้นกั้นการรั่วไหลตามมาตรฐานอุตสาหกรรม ป้องกันการกัดกร่อนของทอง (การละลายของทองในบัดกรีหรืออีพ็อกซี่) ระหว่างการบัดกรีที่อุณหภูมิสูงหรือการอบอีพ็อกซี่เงิน.
4.ชั้นเคลือบทอง Au (Gold) ด้านบน: ให้พื้นผิวที่บัดกรีได้ง่าย ไม่เกิดออกซิเดชัน เหมาะสำหรับการเชื่อมต่อสายทองแบบเทอร์โมโซนิค (การเชื่อมต่อสายทอง Au) เพื่อให้มั่นใจในความแข็งแรงในการดึงที่ยอดเยี่ยม.
ขนาด
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค (HACC101S10V500)
| พารามิเตอร์ทางเทคนิค | ค่าจำเพาะที่ได้รับการรับรอง | เงื่อนไขการทดสอบ / สภาพแวดล้อม |
| หมายเลขรุ่น | HACC101S10V500 | |
| ประเภทตัวเก็บประจุ | ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชั้นเดียว (SLC) | ประเภทมีขอบสองด้าน (Margin) |
| ค่าความจุ | 100 pF ± 20% | วัดที่ 1kHz, 1Vrms, 25°C, ไม่มี DCBias |
| แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด | 50 V DC | รองรับแรงดันไฟฟ้าได้ดีเยี่ยม |
| ช่วงอุณหภูมิการทำงาน | -55°C ถึง +125°C | สอดคล้องกับมาตรฐานการบินและอวกาศอย่างสมบูรณ์ |
| โครงสร้างฟิล์มด้านบน | TaN/TiW/Ni/Au (> 2.5 um Min) | ความแข็งแรงในการดึงสายไฟที่ยอดเยี่ยม |
| โครงสร้างฟิล์มด้านล่าง | TaN/TiW/Ni/Au (> 2.5 um Min) | เหมาะสำหรับการติดชิปด้วยอีพ็อกซี่เงิน |
| การประกอบที่เข้ากันได้ | อีพ็อกซี่นำไฟฟ้า (H20E) / การบัดกรี | รองรับการเชื่อมต่อสายทอง |
แนวปฏิบัติที่ดีที่สุดสำหรับการประกอบขนาดเล็กและการเชื่อมต่อสายไฟ
เพื่อให้มั่นใจในความทนทานเชิงกลของ HACC101S10V500 ในวงจรรวมขนาดเล็กแบบไฮบริดของคุณ:
1.การติดตั้งด้วยอีพ็อกซี่นำไฟฟ้า:
•เหมาะอย่างยิ่งสำหรับอีพ็อกซี่เงินนำไฟฟ้า (เช่น H20E).
•โปรไฟล์การอบที่แนะนำ: อบที่ 120°C เป็นเวลา 30 นาที เพื่อความแข็งแรงในการเฉือนและการนำไฟฟ้าที่ดีที่สุด.
2.พื้นที่เชื่อมต่อสายไฟ:
•เพื่อป้องกันการแตกหักระดับจุลภาคเฉพาะจุดในโครงสร้างเซรามิกชั้นเดียว หัวจับ/ลูกบอลเชื่อมต่อสายทองจะต้องวางห่างจากขอบนอกของแผ่นทองอย่างน้อย 25 µm.
3.การตรวจสอบผนังด้านข้าง:
•ด้วยขอบสองด้าน ฟิล์ตอีพ็อกซี่ด้านล่างจึงถูกกักเก็บไว้อย่างปลอดภัย ตรวจสอบด้วยกล้องจุลทรรศน์เพื่อให้แน่ใจว่าไม่มีอีพ็อกซี่ถึงแผ่นทองด้านบน.
คำถามที่พบบ่อย
คำถามที่ 1: ทำไม HACC101S10V500 จึงมีพิกัด 50V ในขณะที่บางรุ่นมี 100V?
คำตอบ: พิกัด 50V ช่วยให้สามารถใช้ความหนาของไดอิเล็กทริกที่เหมาะสมที่สุด ทำให้ได้ค่าความจุที่สูงขึ้น 100pF ในแพ็คเกจขนาดเล็กมาก เหมาะอย่างยิ่งสำหรับเส้นทางการแยกสัญญาณความจุสูงแรงดันต่ำใน RF bias tees.
คำถามที่ 2: ฉันสามารถบัดกรีโดยตรงกับขั้วไฟฟ้า TaN/TiW/Ni/Au ได้หรือไม่?
คำตอบ: ได้ ชั้นกั้นนิกเกิล (Ni) ป้องกันไม่ให้ทองละลายเข้าไปในบัดกรีไร้สารตะกั่วหรือมีสารตะกั่วระหว่างการบัดกรีที่อุณหภูมิสูง รักษาความสมบูรณ์ของรอยต่อบัดกรี.
คำถามที่ 3: ข้อกำหนดในการจัดเก็บเพื่อป้องกันความล้มเหลวในการเชื่อมต่อคืออะไร?
คำตอบ: จัดเก็บตัวเก็บประจุในแพ็คเกจแบบวอฟเฟิลหรือเจลแพ็คมาตรฐานภายในตู้ไนโตรเจนหรือกล่องแห้งที่อุณหภูมิ 20–25°C และความชื้นสัมพัทธ์ 40%–60% ภายใต้เงื่อนไขเหล่านี้ อายุการเก็บรักษาจะรับประกัน 1 ปี พร้อมความสามารถในการเชื่อมต่อที่สมบูรณ์แบบ.
