รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
คอนเดสเซเตอร์ชั้นเดียว
Created with Pixso.

100pF 50V แบรดแบนด์ คอนเดสซิเตอร์ชั้นเดียว 0.4GHz ถึง 40GHz ESR ต่ํา

100pF 50V แบรดแบนด์ คอนเดสซิเตอร์ชั้นเดียว 0.4GHz ถึง 40GHz ESR ต่ํา

ชื่อแบรนด์: Hoan
หมายเลขรุ่น: HACC101S15V500
ขั้นต่ำ: 10
เงื่อนไขการชำระเงิน: L/C, D/A, D/P, T/T ตะวันตกสหภาพ
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
หมวดหมู่สินค้า:
ตัวเก็บประจุชิปชั้นเดียว (SLC)
ความจุ:
100 พิโคเอฟ ± 10%
ช่วงความถี่:
0.4 - 40.0 กิกะเฮิร์ตซ์
กระบวนการกาว:
Conductive Epoxy H20E (บ่ม: 120°C / 30 นาที)
ประเภทพื้นผิว:
ซิลิคอนชนิด P หรือชนิด N
วัสดุประตู:
โพลีซิลิคอนหรือโลหะ
ช่วงอุณหภูมิ:
-55°C ถึง 125°C
เน้น:

เครื่องประปาชั้นเดียว 100pF 50V

,

เครื่องประกอบความเข้มข้นเบนด์กว้าง 0.4GHz ถึง 40GHz

,

เครื่องประกอบความเข้มข้นต่อสายทอง ESR ต่ํา

คําอธิบายสินค้า

HACC101S15V500 ชิปชั้นเดียว คอนเดสซิเตอร์ 100pF 50V Bordered SLC (0.4-40GHz)


สรุปเทคนิคความถี่สูง
HACC101S15V500 เป็น ultra-miniature, ความน่าเชื่อถือสูง Single Layer Chip Capacitor (SLC) ออกแบบโดยเฉพาะสําหรับบล็อกแบนด์ DC (การเชื่อม), RF bypassing,และการปรับอัมพานซ์ในวงจรไมโครเวฟที่ทํางานขนาดเพียง 0.38 มิลลิเมตร × 0.38 มิลลิเมตร กับความสูงโปรไฟล ultra-low ของ 0.15 มิลลิเมตรชิปขนาดเล็กนี้ให้ความจุคงที่ 100 pF ± 10% และมีค่าเฉพาะสําหรับความกระชับกําลังทํางานต่อเนื่อง 50 V.

ออกแบบด้วยโครงสร้างที่มีขอบข้างเดียว HACC101S15V500 มีขอบเซรามิกที่สะอาดรอบแผ่นอิเล็กทรอัดด้านบนป้องกันทางกายภาพนี้ป้องกัน epoxy conductive รัน-up หรือ solder เลือดออกจากวงจรสั้นของอุปกรณ์ระหว่างการติดตั้ง dieปรับปรุงให้กับช่วงความถี่ 0.4 GHz ถึง 40.0 GHz มันให้ความสูญเสียการใส่ที่ดีมากและพาราเมตร S ที่มั่นคงในสภาพความร้อนที่ต้องการของระดับแท็กติก จาก -55 °C ถึง + 125 °C.


ข้อดีสําคัญในการทํางาน
•การเชื่อมโยงคลื่นมิลลิเมตรเบนด์กว้าง (0.4 - 40.0 GHz) ส่งผลให้การสูญเสียการใส่ที่ต่ํามากและความถี่ที่สะท้อนตัวเองสูง (SRF) ทําหน้าที่เป็นบล็อก DC ที่เหมาะสม
•ป้องกันการเชื่อมต่อ (การออกแบบขอบเขต): ขอบหนอนรอบด้านบนของอิเล็กทรอนทองป้องกันตัวประกอบความเร็วจากวงจรสั้นโดยอุบัติเหตุระหว่างการติดตั้ง epoxy เงินนํา
•โลหะทองหนัก: มีอิเล็กทรอัดด้านบน TiW-Au ขนาดหนา (4.0 μm Min) ที่ให้ผิวที่ดีสําหรับการเชื่อมสายทอง thermosonic, การเชื่อมลูกบอล, หรือการเชื่อมเทป.
• Eutectic & Epoxy Ready Bottom: สร้างขึ้นด้วยอิเล็กทรอัดด้านล่าง Ti-Pt-Au (0.5 μm Min) ให้บริการอินเตอร์เฟซที่แข็งแกร่งและไม่ย้ายที่สอดคล้องกับ H20E conductive epoxy และ Au-Sn eutectic soldering


มิติรวม

100pF 50V แบรดแบนด์ คอนเดสซิเตอร์ชั้นเดียว 0.4GHz ถึง 40GHz ESR ต่ํา


แผ่นข้อมูลพารามิเตอร์ที่ครบถ้วน

สาขาวิศวกรรม คุณสมบัติเฉพาะ มูลค่าที่รับรอง หน่วยวัด / สภาพ
ประสิทธิภาพไฟฟ้า ความจุชื่อ 100 pF (+10% ความอนุญาต @ 1kHz,IVrms, 25°C)
ความดันการทํางานเฉพาะ (DC) 50 V (ต่อเนื่องสูงสุด)
ช่วงความถี่ที่แนะนํา 0.4-40.0 กิโลกรัม (Broadband Coupling/DC Blocking)
กณิตศาสตร์ทางกายภาพ ขนาดลักษณะ 0.38 x 0.38 x 015 mm (ความยาว x ความกว้าง x ความสูง)
สถาปัตยกรรมทางกายภาพ ขอบเขตข้างเดียว ขอบเซรามิคประกอบด้วยเครื่องกันหนาว
ระบบโลหะ การทําโลหะอิเล็กทรอนด์สูงสุด TiW-Au ทองเหลืองไทตานี-ทองเทงสแตน (ความหนา ≥4.0 m)
โลหะไฟฟ้าด้านล่าง Ti-Pt-Au ไทเทเนียม-พลาตินูม-ทองคํา (ความหนา ≥0.5)
กระบวนการประกอบ การผูกพันของภูเขา อีโป็กซี่ที่นําไฟ / สับ ปรับปรุงให้เหมาะสมกับ epoxy เงิน H20E / AuSn
การเชื่อมต่อต่อกัน สายทอง / สายพันธนาการริบอน สอดคล้องกับการเชื่อมต่อสาย Thermosonic
ความน่าเชื่อถือและคุณภาพ อุณหภูมิการทํางาน -55 ถึง +125 °C (ประเภทอุตสาหกรรมและการปฏิบัติการ)
การจัดเก็บที่แนะนํา 20-25°C 40%-60%RH สภาพห้องสะอาด
ประกันอายุการใช้ 1 ปี (ตามสภาพการเก็บรักษา)


S-Parameter Engineering & Sub-Millimeter Assembly Guide การนําทางในการประกอบ
เพื่อให้มีผลตอบสนองที่สูงสุดในการเชื่อมต่อเบนด์กว้าง และป้องกันความล้มเหลวทางกลหรือทางไฟฟ้าระหว่างการประกอบแบบไฮบริด


Epotek H20E SOP การเชื่อมต่อเอโปกซี่เงิน
อิเล็กทรอัดด้านล่างของ HACC101S15V500 ได้ถูกปรับปรุงให้เหมาะสําหรับการติดตั้ง epoxy เงินนํา:

•การคัดเลือกสารติดใช้ epoxy ที่มีประสิทธิภาพสูง (เช่น Epoxy Technology H20E)
•การแจก:ใช้ยี่ห้อยี่ห้อยี่ห้อยี่ห้อยี่ห้อยี่ห้อยี่ห้อยี่ห้อยี่ห้อ
•โปรไฟล์การรักษา:ผัก / รักษาชุดที่ 120 °C เป็นเวลา 30 นาทีอย่างแม่นยํา ให้แน่ใจว่าอัตราการปรับอุณหภูมิถูกควบคุมเพื่อหลีกเลี่ยงการกระแทกทางความร้อนต่อพื้นฐานเซรามิกที่มีความแรงสูง


ขอบเขตการผูกสายทองคําความแม่นยํา
•วัสดุสาย:0แนะนําการใช้สายทองคํา (Au) ความบริสุทธิ์สูง.7 มิลลิลิเมตร ถึง 1.0 มิลลิลิเมตร (18 มิลลิลิเมตร ถึง 25 มิลลิลิเมตร)
•การปลดสินค้าที่ปลอดภัย:ช่องเชื่อมหรือเส้นประสาทลูกบอลต้องชนแผ่นทองคําบนอย่างน้อย 25 μm จากขอบนอกของอิเล็กทรอนด์ (ขอบขอบ)การเชื่อมต่อใกล้กับขอบเซรามิกมากเกินไปจะทําให้ความเครียดการตัดเครื่องจักรกลส่งผลให้อิเล็กทรอร์โด้ทองหัก ช่องแตกในแบบดียิเลคทริก หรือความล้มเหลวในความจุ
•พารามิเตอร์หลอดเลือดดํา:ลดความแรง ultrasonic และแรงผูกพันให้น้อยที่สุด เพื่อป้องกันการแตกของกระดาษเซรามิกละอ่อน 0.15 มิลลิเมตร


แมตริกซ์เทคนิคเปรียบเทียบ (HACC101S15V500 vs SLC มาตรฐาน)

ปัจจัยการเปรียบเทียบวิศวกรรม HACC101S15V500 (SLC ขอบเขต) SLC แบบสแตนดาร์ด
โครงสร้างทางกายภาพ แพดทองรอบตัวด้วยขอบเซรามิก การโลหะทองครอบคลุม 100% ของพื้นผิวบน
ป้องกันการหลั่งเลือดออกของเอโป๊กซี่ ดีมาก ขอบหนอนป้องกันการสร้างสะพาน epoxy เงิน ความเสี่ยงสูง เอโป็กซี่เงินสามารถปีนผ่านผนังข้างได้ง่าย
สายพันธุ์พัฟเฟอร์ TiW-Au หนา (> 4.0 um) ทองคําดูดซึมความเครียด ultrasonic ทองแฟลชสแตนดาร์ด (< 1.0 μm)
ความอดทนในการประกอบ solder ดีเยี่ยมสําหรับการผสมผสาน AuSn eutectic สามารถเชื่อมสะพานตามผนังภายนอก
ความเหมาะสมของระบบอัตโนมัติ สูงสุด สามารถรับรองการเลือกและสถานที่ความเร็วสูง ต้องการการจัดสรรยาพัดที่มีความละเอียดต่ํา


ข้อมูลการทดสอบ

100pF 50V แบรดแบนด์ คอนเดสซิเตอร์ชั้นเดียว 0.4GHz ถึง 40GHz ESR ต่ํา


FAQ
Q1: ประโยชน์ของ TiW-Au ท็อปเมทัลเลชั่นที่มีความหนาอย่างน้อย 4.0 μm คืออะไร?
A:อิเล็กตรอดบนทองหนาเป็นสิ่งจําเป็นสําหรับการเชื่อมต่อสายทองที่น่าเชื่อถือ0 μm) อาจมี "การผูกพันผ่าน" หรือทอง Epoxy ระหว่างโลหะ, ทําให้สายเชื่อมผูกผิวหรือยกขึ้นภายใต้ความเครียดทางความร้อน ทองคําความหนาอย่างน้อย 4.0 μm บน HACC101S15V500 ปฏิบัติหน้าที่เป็นผูกผ่อนกลไกที่แข็งแรงดับซึมพลังงานลูก/ลูกรัง ultrasonic และให้ความมั่นคงที่แข็งแรงสายผสมไฟฟ้าที่ทนทาน

Q2: ทําไม HACC101S15V500 จึงถูกแนะนําสําหรับการเชื่อมต่อความถี่สูงถึง 40 GHz?
A:ไม่เหมือนกับเครื่องประกอบเซรามิกหลายชั้น (MLCCs) ที่มีอัตราการดึงดูดปรสิตสูง (ESL) และมีเสียงสะท้อนตัวเองหลายครั้งในช่วง gigahertz ต่ําเครื่องปรับระดับชั้นเดียว (SLC) เช่น HACC101S15V500 มีเส้นทางกระแสกระแสกระแสกระแสแบบโคเอชเชียลตรง. นี้ผลิตอัตราต่อรองและความต้านทานในลําดับเท่าเทียมที่ต่ํามาก (ESR) มันประพฤติเป็นองค์ประกอบการส่งที่เกือบสมบูรณ์แบบปริมาตร S การเชื่อมต่อการสูญเสียการใส่ที่ต่ําจนถึง 40 GHz.

Q3: คอนเดซเตอร์นี้สามารถผสมด้วยทองแดงมาตรฐานหรือ lead-free reflow ได้หรือไม่
A:ไม่ ไม่แนะนําการใช้แบบมาตรฐาน เพราะขนาดชิปเล็ก 0.38 มมวิธีการติดตั้งที่นิยมสําหรับอิเล็กทรอนด้านล่างคือ epoxy conductive (เช่น H20E) หรือทอง-tin (80/20 AuSn)สะพายหมึก-หมูแบบธรรมดา จะล้างทองคําบนไฟฟ้า ทําให้ความอ่อนแอของเชื่อมต่อทางกลและไฟฟ้า