4700pF 50V การแยกกัน คอนเดสซิเตอร์ชั้นเดียว SiO2 ไดเลคทริก การรั่วไหลต่ําสําหรับความถี่สูง

HACC472S50V500 ตัวเก็บประจุ MOS ที่ปรับให้เหมาะสมกับการแยกสำหรับวงจรที่มีความสมบูรณ์ของสัญญาณสูง

HACC472S50V500 เป็นตัวเก็บประจุ MOS แบบชั้นเดียวที่ได้รับการปรับปรุงคุณสมบัติเฉพาะสำหรับการใช้งานที่การแยกทางไฟฟ้า กระแสไฟรั่วไหลน้อยที่สุด และความเที่ยงตรงของสัญญาณเป็นข้อกำหนดด้านประสิทธิภาพที่สำคัญที่สุด ค่าความจุที่ระบุคือ 4700pF (4.7nF) ที่แรงดันไฟฟ้าทำงานที่กำหนด 50V DC อุปกรณ์นี้ใช้ชั้นฉนวน SiO ที่เติบโตด้วยความร้อนแบบเดียวกัน₂ และกระบวนการเคลือบโลหะทองเช่นเดียวกับซีรีส์ HACC โดยเน้นที่การเพิ่มความต้านทานการแยกให้สูงสุดและลดกระแสไฟรั่วไหล DC ให้เหลือน้อยที่สุดตลอดช่วงอุณหภูมิการทำงานทั้งหมด

ความเข้าใจเกี่ยวกับประสิทธิภาพการแยกของตัวเก็บประจุ MOS

การแยกของตัวเก็บประจุ MOS กำหนดโดยคุณภาพของชั้นฉนวน SiO ที่เติบโตด้วยความร้อนเป็นหลัก₂ และความต้านทานของชั้นรองรับซิลิคอน ด้านล่าง HACC472S50V500 ให้การแยกสูงผ่านปัจจัยการออกแบบสามประการ:

• ออกไซด์ความร้อนคุณภาพสูง: ชั้น SiO₂ ถูกเติบโตในเตาออกซิเดชันแบบแห้งที่ควบคุมได้ ทำให้เกิดฉนวนที่หนาแน่น ปราศจากรูเข็ม ที่มีความต้านทานปริมาตรสูงกว่า 10¹⁶Ω·cm.
• ชั้นรองรับซิลิคอนแบบ Float-zone: ความต้านทานของชั้นรองรับสูงกว่า 1000Ω·cm ช่วยลดเส้นทางการนำไฟฟ้าแบบปรสิตผ่านซิลิคอน รักษาความต้านทานการแยกสูงกว่า 10GΩ ที่อุณหภูมิห้อง.
• การพาสซิเวชันขอบ: ขอบชิปจะถูกพาสซิเวตเพื่อยับยั้งกระแสไฟรั่วไหลบนพื้นผิว ซึ่งอาจทำให้การแยกแย่ลง โดยเฉพาะอย่างยิ่งในสภาวะความชื้นสูง

ความต้านทานการแยกที่วัดได้สูงกว่า 10GΩ ที่ 25°C และแรงดันไบแอส 50V DC โดยมีกระแสไฟรั่วไหลโดยทั่วไปต่ำกว่า 5nA ที่อุณหภูมิห้อง และต่ำกว่า 50nA ที่ 125°C.

คุณสมบัติหลัก

• การแยกที่เหนือกว่า — >10GΩ ที่ 25°C: ความต้านทานการแยกสูงช่วยให้มั่นใจได้ว่ามีการรบกวนข้ามช่องสัญญาณน้อยที่สุดระหว่างช่องสัญญาณที่อยู่ติดกันในโมดูลแบบหลายชิปและการประกอบ RF ที่มีความหนาแน่นสูง พารามิเตอร์นี้วัดที่แรงดันไฟฟ้าที่กำหนดเต็ม 50V DC เพื่อสะท้อนสภาวะการทำงานจริง
• การรั่วไหลต่ำพิเศษ — <5nA ที่ 25°C: กระแสไฟรั่วไหล DC ต่ำช่วยรักษาประจุในวงจร sample-and-hold ลดข้อผิดพลาดออฟเซ็ตในวงจรรวมความแม่นยำ และรักษาความสมบูรณ์ของสัญญาณในวงจรหน้าแอนะล็อกที่มีอิมพีแดนซ์สูง การรั่วไหลยังคงต่ำกว่า 50nA ที่อุณหภูมิสูงสุดที่กำหนด 125°C.
• การเคลือบโลหะทองที่สามารถต่อสายได้: อิเล็กโทรดด้านบนทองคำขั้นต่ำ 2.5µm เข้ากันได้กับการต่อสายทองคำแบบ thermosonic ball (สาย 25µm, อุณหภูมิแท่น 120-150°C, แรงดึง >6g โดยทั่วไป) และการต่อสายอลูมิเนียมแบบ ultrasonic wedge (สาย 25µm หรือ 33µm, อุณหภูมิห้อง) การเคลือบโลหะด้านหลังทองคำขั้นต่ำ 1.0µm รองรับการยึดติดชิปแบบ eutectic AuSn และการติดตั้งด้วยอีพ็อกซี่นำไฟฟ้า
• ตัวเลือกการประกอบที่ยืดหยุ่น: รูปแบบชิปสนับสนุนการรวมเข้ากับไมโครวงจรไฮบริด โมดูลซับสเตรตเซรามิก และการประกอบแบบชิปบนบอร์ด รูปแบบการจัดส่งแบบ waffle-pack หรือ gel-pak มาตรฐานเข้ากันได้กับอุปกรณ์ pick-and-place อัตโนมัติที่ใช้เครื่องมือที่ปลอดภัยต่อ ESD
• ความจุ 4700pF ที่แรงดัน 50V: การรวมกันของความจุ 4.7nF และแรงดันไฟฟ้าทำงาน 50V ครอบคลุมการใช้งานการเชื่อมต่อ การบายพาส และการกรองที่หลากหลาย ซึ่งค่าความจุที่สูงขึ้นช่วยลดจำนวนส่วนประกอบที่ต้องใช้แบบขนาน
• เสถียรภาพตลอดช่วงอุณหภูมิ: TCC ประมาณ +35ppm/°C ในช่วง -55°C ถึง +125°C โดยมีการเปลี่ยนแปลงความจุโดยทั่วไปภายใน ±2% ตลอดช่วงทั้งหมด ความเสถียรนี้ช่วยให้การสอบเทียบวงจรง่ายขึ้นและลดความต้องการการปรับแต่งที่ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิ

คู่มือการประกอบและการรวมระบบ

การยึดติดชิป: บัดกรีทอง-ดีบุก (AuSn) แบบยูเทคติกให้เส้นทางความต้านทานความร้อนต่ำสุด ใช้โปรไฟล์การรีโฟลว์สูงสุด 320°C ด้วยก๊าซฟอร์มมิ่ง (N₂/H₂) เพื่อป้องกันการเกิดออกซิเดชัน อีพ็อกซี่นำไฟฟ้าที่เติมเงินเป็นทางเลือกสำหรับซับสเตรตที่ไวต่ออุณหภูมิ ปฏิบัติตามตารางการบ่มของผู้ผลิตอีพ็อกซี่ และตรวจสอบให้แน่ใจว่าพื้นผิวด้านหลังทองคำเปียกทั่วถึง

แนวทางปฏิบัติที่ดีที่สุดในการต่อสาย:

• การต่อสายทองคำแบบบอล: ลวด Au เส้นผ่านศูนย์กลาง 25µm, อุณหภูมิแท่น 120-150°C, แรงยึด 25-35gf, กำลังอัลตราโซนิก 80-120mW ความแข็งแรงในการดึงโดยทั่วไปสูงกว่า 6gf โดยมีโหมดความล้มเหลวแบบ heel break.
• การต่อสายอลูมิเนียมแบบเวดจ์: ลวด Al-1%Si ขนาด 25µm หรือ 33µm ที่อุณหภูมิห้อง, แรงยึด 20-30gf, กำลังอัลตราโซนิก 100-150mW ให้กระบวนการขั้นตอนเดียวที่ต้นทุนต่ำกว่า เหมาะสำหรับแพ็คเกจที่ไม่ปิดสนิท.
• รูปแบบแผ่นรองรับการต่อสาย: แผ่นรองรับด้านบนขนาด 0.50 มม. * 0.50 มม. รองรับลวดต่อสายเส้นเดียว สำหรับการต่อสายหลายเส้น ให้พิจารณาการเชื่อมต่อที่ระดับซับสเตรตแทนแผ่นรองรับชิป.

ข้อควรระวัง ESD: ความไว HBM คลาส 0 ตามมาตรฐาน JESD22-A114 รักษาพื้นผิวการทำงานที่ต่อสายดิน สายรัดข้อมือ และการไหลของอากาศที่มีประจุไอออนตลอดขั้นตอนการประกอบทั้งหมด จัดเก็บชิปในภาชนะนำไฟฟ้าก่อนใช้งาน

ข้อมูลจำเพาะทางไฟฟ้า (T = 25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

แอปพลิเคชันทั่วไป

• การเก็บประจุแอมพลิร์ฟายเออร์ Sample-and-hold โดยที่การรั่วไหลต่ำกว่า 5nA ช่วยให้มั่นใจได้ว่าแรงดันไฟฟ้าจะลดลงน้อยที่สุดระหว่างช่วงการสุ่มตัวอย่าง
• วงจรอินทิเกรตเตอร์แอนะล็อกความแม่นยำและวงจรสร้างสัญญาณลาดเอียงที่ต้องการการดูดซับไดอิเล็กทริกต่ำ
• การเชื่อมต่อ AC ด้านหน้าเซ็นเซอร์อิมพีแดนซ์สูง รักษาอัตราส่วนสัญญาณต่อสัญญาณรบกวนของสัญญาณจากโฟโตไดโอดและทรานสดิวเซอร์เพียโซอิเล็กทริก
• การกรองอินพุตของระบบเก็บข้อมูลแบบหลายช่องสัญญาณ โดยที่การแยกสูงระหว่างช่องสัญญาณป้องกันการรบกวนข้ามช่องสัญญาณ
• อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทางการแพทย์ รวมถึงอินเทอร์เฟซทรานสดิวเซอร์อัลตราซาวด์และวงจรการอ่านค่าตัวตรวจจับ CT
• เครื่องมือควบคุมกระบวนการอุตสาหกรรมพร้อมการปรับสภาพเซ็นเซอร์แบบ 4-20mA ที่ใช้พลังงานจากลูป
• การบายพาสและการแยกในวงจรผสมสัญญาณที่สัญญาณรบกวนจากการสลับดิจิทัลต้องถูกแยกออกจากโหนดแอนะล็อกที่ละเอียดอ่อน

ความน่าเชื่อถือและการรับรองคุณสมบัติ

อุปกรณ์จะได้รับการทดสอบ DC probe 100% ที่ระดับเวเฟอร์ก่อนการตัด ตัวอย่างการทดสอบความน่าเชื่อถือประกอบด้วย: การทำงานอายุการใช้งานที่อุณหภูมิสูง (HTOL) ที่ 125°C และแรงดันไบแอส 50V เป็นเวลา 1000 ชั่วโมง การหมุนเวียนอุณหภูมิ (-65°C ถึง +150°C, 500 รอบตาม MIL-STD-883 วิธี 1010) และการทดสอบความชื้นแบบมีไบแอส 85°C/85%RH เป็นเวลา 500 ชั่วโมง ติดต่อเราสำหรับรายงานการรับรองคุณสมบัติฉบับเต็มและข้อมูลการทดสอบเฉพาะล็อต.

หากต้องการขอตัวอย่าง หารือเกี่ยวกับค่าความจุที่กำหนดเอง หรือรับบันทึกแอปพลิเคชันโดยละเอียดเกี่ยวกับการปรับการต่อสายให้เหมาะสม โปรดติดต่อทีมขายของเราเพื่อขอใบเสนอราคา