HongAn Microwave Co., Ltd.
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| ब्रांड का नाम: | Hoan |
| मॉडल नंबर: | HACC101S10V500 |
| MOQ: | 10 |
| भुगतान की शर्तें: | एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन |
HACC101S10V500 डबल-साइडेड बॉर्डर्ड एसएलसी (100pF,50V)
डबल-साइडेड बॉर्डर्ड सिंगल लेयर कैपेसिटर क्या है?
उच्च-विश्वसनीयता वाले माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक पैकेजिंग के लिए, चिप कैपेसिटर के ऊपर और नीचे दोनों को सुरक्षित करना महत्वपूर्ण है। HACC101S10V500 को डबल-साइडेड बॉर्डर्ड (मार्जिन) सिंगल लेयर कैपेसिटर के रूप में डिज़ाइन किया गया है।
सिंगल-बॉर्डर्ड वेरिएंट के विपरीत, इस चिप में ऊपर और नीचे दोनों सतहों पर एक अन-मेटलाइज्ड, एक्सपोज़्ड सिरेमिक बॉर्डर (मार्जिन) है।
•टॉप मार्जिन:गलत संरेखण बहाव से सोने के तार-बॉन्डिंग शॉर्ट सर्किट को रोकता है।
•बॉटम मार्जिन:कंडक्टिव सिल्वर एपॉक्सी (जैसे, H20E) को बॉटम डाई अटैचमेंट के दौरान चिप की वर्टिकल साइडवॉल पर ऊपर की ओर माइग्रेट करने से रोकता है।
यह डुअल-बैरियर आर्किटेक्चर गारंटी देता है कि स्वचालित, उच्च-वॉल्यूम उत्पादन के तहत भी, एपॉक्सी-प्रेरित शॉर्ट-सर्किटिंग की दर बिल्कुल शून्य तक कम हो जाती है।
TaN/TiW/Ni/Au थिन-फिल्म मेटलाइजेशन के पीछे का विज्ञान
HACC101S10V500 दोनों इलेक्ट्रोड पर मल्टी-लेयर TaN/TiW/Ni/Au (टैंटलम नाइट्राइड / टाइटेनियम-टंगस्टन / निकेल / गोल्ड) मेटलाइजेशन के कारण अलग दिखता है (मोटाई ≥ 2.5 µm मिन)। यहाँ बताया गया है कि यह जटिल फिल्म सिस्टम माइक्रोवेव मॉड्यूल के लिए महत्वपूर्ण क्यों है:
1.TaN (टैंटलम नाइट्राइड) लेयर:एक अल्ट्रा-रॉबस्ट एडहेसन लेयर के रूप में कार्य करता है, मेटलाइजेशन को सिरेमिक डाइइलेक्ट्रिक बॉडी से लॉक करता है और उच्च-तापमान बेकिंग के तहत इलेक्ट्रोड छीलने से रोकता है।
2.TiW (टाइटेनियम-टंगस्टन) बैरियर:गोल्ड लेयर में कॉपर या अंतर्निहित सब्सट्रेट सामग्री के प्रसार को रोकता है।
3.Ni (निकेल) बैरियर लेयर:एक उद्योग-मानक एंटी-लीचिंग बैरियर के रूप में कार्य करता है। यह उच्च-तापमान रीफ्लो या सिल्वर-एपॉक्सी क्योरिंग के दौरान गोल्ड-लीचिंग (सोल्डर या एपॉक्सी में सोने का विघटन) को रोकता है।
4.Au (गोल्ड) टॉप कोट:थर्मसोनिक गोल्ड वायर बॉन्डिंग (Au वायर-बॉन्डिंग) के लिए अनुकूलित एक अत्यधिक सोल्डेबल, नॉन-ऑक्सीडाइजिंग सतह प्रदान करता है, जो उत्कृष्ट पुल-स्ट्रेंथ सुनिश्चित करता है।
आयाम
तकनीकी विनिर्देश (HACC101S10V500)
| तकनीकी पैरामीटर | प्रमाणित विनिर्देश मान | परीक्षण / पर्यावरणीय स्थितियाँ |
| मॉडल संख्या | HACC101S10V500 | |
| कैपेसिटर प्रकार | सिंगल लेयर सिरेमिक चिप (SLC) | डबल-साइडेड बॉर्डर्ड (मार्जिन) प्रकार |
| कैपेसिटेंस मान | 100 pF ± 20% | 1kHz, 1Vrms, 25°C, No DCBias पर मापा गया |
| रेटेड वोल्टेज | 50 V DC | अत्यधिक स्थिर वोल्टेज हैंडलिंग |
| ऑपरेटिंग टेम्प. रेंज | -55°C से +125°C तक | एयरोस्पेस मानकों के साथ पूरी तरह से अनुपालन |
| टॉप फिल्म संरचना | TaN/TiW/Ni/Au (> 2.5 um Min) | उत्कृष्ट वायर-बॉन्डिंग पुल-स्ट्रेंथ |
| बॉटम फिल्म संरचना | TaN/TiW/Ni/Au (> 2.5 um Min) | सिल्वर एपॉक्सी डाई-अटैच के लिए अनुकूलित |
| संगत असेंबली | कंडक्टिव एपॉक्सी (H20E) / सोल्डरिंग | गोल्ड वायर बॉन्डिंग का समर्थन करता है |
माइक्रो-असेंबली और वायर बॉन्डिंग सर्वोत्तम अभ्यास
आपके हाइब्रिड माइक्रोसर्किट में HACC101S10V500 की यांत्रिक दीर्घायु सुनिश्चित करने के लिए:
1.कंडक्टिव एपॉक्सी माउंटिंग:
•कंडक्टिव सिल्वर एपॉक्सी (जैसे, H20E) के लिए अत्यधिक अनुकूलित।
•अनुशंसित बेकिंग प्रोफाइल: इष्टतम शीयर स्ट्रेंथ और इलेक्ट्रिकल कंडक्टिविटी के लिए 30 मिनट के लिए 120°C पर क्योर करें।
2.वायर बॉन्डिंग लैंडिंग एरिया:
•सिंगल-लेयर सिरेमिक संरचना में स्थानीयकृत माइक्रो-फ्रैक्चर को रोकने के लिए, गोल्ड-वायर बॉन्डिंग वेज/बॉल को गोल्ड पैड के बाहरी किनारे से कम से कम 25 µm दूर लैंड करना चाहिए।
3.साइडवॉल निरीक्षण:
•डबल-साइडेड मार्जिन के कारण, बॉटम एपॉक्सी फिलेट सुरक्षित रूप से समाहित है। यह सुनिश्चित करने के लिए माइक्रोस्कोप के तहत नेत्रहीन निरीक्षण करें कि कोई एपॉक्सी टॉप गोल्ड पैड तक न पहुंचे।
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
Q1: HACC101S10V500 को 50V पर रेट क्यों किया गया है जबकि अन्य 100V हैं?
A: 50V रेटिंग एक अनुकूलित डाइइलेक्ट्रिक मोटाई के उपयोग की अनुमति देती है, जिससे एक अत्यंत कॉम्पैक्ट भौतिक पैकेज में 100pF का उच्च कैपेसिटेंस मान सक्षम होता है। यह RF बायस टीज़ में लोअर-वोल्टेज हाई-कैपेसिटी डिकपलिंग पाथ के लिए आदर्श है।
Q2: क्या मैं सीधे TaN/TiW/Ni/Au इलेक्ट्रोड पर सोल्डर कर सकता हूँ?
A: हाँ। निकेल (Ni) बैरियर लेयर सोल्डर जोड़ की अखंडता को बनाए रखते हुए, उच्च-तापमान रीफ्लो के दौरान गोल्ड को लेड-फ्री या लेडेड सोल्डर में लीच होने से रोकता है।
Q3: बॉन्डिंग विफलता को रोकने के लिए भंडारण की आवश्यकताएं क्या हैं?
A: कैपेसिटर को मानक वफ़ल पैक या जेल-पैक में नाइट्रोजन कैबिनेट या ड्राई बॉक्स के अंदर 20–25°C और 40%–60% RH पर स्टोर करें। इन परिस्थितियों में, शेल्फ लाइफ 1 वर्ष के लिए बेदाग बॉन्डेबिलिटी के साथ गारंटीकृत है।
