Транзиентный шпик прочные конденсаторы MOS 470pF 50V Диэлектрическая пассивация однослойный чип для защиты от перенапряжения ESD

HACC471S50V402 Конденсатор MOS с прохожими шипами с прочностью 470 pF 50 V однослойный чип с диэлектрической пассивацией

HACC471S50V402 представляет собой 470 pF ± 10% однослойный MOS (металлооксид-полупроводник) конденсатор с номинальным напряжением 50 В постоянного тока, изготовленный на кремнии плавающей зоны (> 1000 Ω·cm) с аморфным тепловым SiO₂диэлектрическая и TiW-Au / TiW-Pt-Au металлизация.MOS конденсатор - это однослойный конденсатор, сформированный из структуры металлического оксида-полупроводника (термальный диоксид кремния, выращенный на проводящем кремниевом субстрате), ценится в частотных и гибридных схемах мощности за его низкий ESL, стабильную емкость и высокую изоляционную устойчивость.

Это устройство предназначено для гибридных микросхем и силовых модулей, подвергающихся повторяющимся переходам напряжения и влажной рабочей среде, где стабильная емкость,требуется высокая изоляционная устойчивость и работа с свободной дугой в условиях преимущества постоянного токаСтандартный контур чипа составляет 0,60 мм × 0,60 мм × 0,18 мм (± 25 мкм); на заказ доступны специальная емкость, номинальное напряжение, геометрия штамповки и металлизация.

Прочность при переходных перепадах напряжения подтверждена испытаниями ESD и DWV

Устойчивость к перенапряжению конденсатора MOS определяется измеримыми, проверенными в производстве параметрами.

• ESD выдерживает напряжение > 2 кВ HBM(класс 2 по JESD22-A114) для обработки и сборки событий ESD;
• Диэлектрическое стойкое напряжение (DWV) 125 В постоянного тока(250% от номинального напряжения, 5 s пребывания), испытанные на 100% производственных деталей;
• Диэлектрическая пассивация на ступенчатом краюподавляет дугу и поверхностный флеш-овер между верхним и нижним электродами при высоком уклоне постоянного тока и работе при пониженном давлении;
• смещение емкости менее 2% и отсутствие деламинации после 500 температурных циклов от -65°C до +150°C (ΔT = 215°C);
• Сопротивление изоляции остается стабильным при номинальном напряжении после повторного переходного напряжения и теплового цикла.

Электрические характеристики (типичный, 25°C, если не указано)

Типичные применения

Отсоединение отклонения постоянного тока и преходящее подавление в стадиях GaN и SiC; сети снятия и зажимания двигателей и преобразователей промышленной мощности; сети склонения усилителей мощности RF;Модули наружной беспроводной связи и базовой станции, подверженные воздействию влаги; авионика и гибридные микросхемы спутниковой полезной нагрузки, требующие временной и влагостойкости.