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HACC471S100V900 MOS Capacitors 470 pF 100V ESD Hardened Die Surge Tolerant SiC GaN CMOS Compatible

Name: HACC471S100V900 MOS Capacitors 470 pF 100V ESD Hardened Die Surge Tolerant SiC GaN CMOS Compatible
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S100V900
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Hoan
Número do modelo:	HACC471S100V900
Quantidade mínima:	10 peças
Condições de pagamento:	T/T,L/C,D/A,D/P

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Shanxi, China

Certificação:

ISO 9001:2015

Fator Q em 1 MHz:

Típico 1.500, mínimo 1.000

ESR em 1 GHz:

Típico 0,15 Ohm, máximo 0,20 Ohm (desincorporado)

ESL intrínseco:

<0,06nH

Morre o tamanho:

0,90 x 0,90 x 0,20 mm (+/- 25 um)

Substrato:

Silício de zona flutuante >1000 Ohm-cm

Força de tração da ligação do fio:

>6 gf para fio Au de 25 um, método MIL-STD-883 2011.7

Temperatura operacional:

-55ºC a +125ºC

Destacar:

MOS Capacitors 470 pF 100V

ESD Hardened MOS Capacitors

Surge Tolerant SiC GaN Capacitors

Descrição do produto

Photo: HACC471S100V900 single layer MOS capacitor die, 0.90 mm square, passivated top pad and backside plane HACC471S100V900 470 pF MOS Capacitor, 100 V, ESD Hardened Die, Surge Tolerant, SiC GaN and CMOS Compatible Single layer MOS capacitor with passivated dielectric and selectable gold or gold-free metallisation for wide-bandgap and CMOS assembly flows 470 pF ±5% 100 V DC DWV >250 V Surge 8/20 µs, 5 A peak Au or Au-free backside 0.90 × 0.90 × 0.20 mm Key Facts at a Glance

Etiquetas:

Indutor Cônico

Indutores de banda larga

Indutor do núcleo do ar

Indutor de bobina de ar

Capacitores MOS