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Capacitores MOS Balanceados TCESR Zero 100pF 50V Chip de Camada Única para Ganho de RF Ultra-Estável

Name: Capacitores MOS Balanceados TCESR Zero 100pF 50V Chip de Camada Única para Ganho de RF Ultra-Estável
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC101S50V200
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Hoan
Número do modelo:	HACC101S50V200
Quantidade mínima:	10 peças
Condições de pagamento:	T/T,L/C,D/A,D/P

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Shanxi, China

Certificação:

ISO 9001:2015, RoHS

Dimensões do chip:

0,50x0,50x0,15mm

Metalização Superior:

TiW + Au, 2,5 µm min

Tipo de montagem:

Fixação de matriz eutética/fio ligável

Temperatura operacional:

-55°C a +125°C

RoHS:

Em conformidade (UE 2015/863)

Personalização:

Capacitância 10pF-1000pF, geometria até 4:1, eletrodo com bordas, parte traseira flutuante

Destacar:

Capacitor MOS TCESR zero 100 pF

Capacitor de chip de camada única de 50 V

Capacitor MOS de ganho de RF ultra-estável

Descrição do produto

HACC101S50V200 Capacitor MOS Zero-TCESR 100pF 50V Chip RF de camada única

Resumo do produto:O HACC101S50V200 é um condensador de metal-óxido-semicondutor (MOS) de uma única camada com uma capacitância nominal de 100pF ± 10% e uma tensão de trabalho de 50V DC.É construído sobre um substrato de silício de zona flutuante com um dióxido de silício térmico de 300 nm (SiO₂A sua propriedade definidora é uma concepção Zero-TCESR, cujo coeficiente de temperatura da resistência equivalente em série é próximo de zero.Assim, a ESR permanece quase constante de -55°C a +125°CIsto é adequado para cadeias de sinal de RF que requerem ganho estável sobre a temperatura.

O que é o Zero-TCESR?

TCESR significa Coeficiente de Temperatura de Resistência de Série Equivalente. Um capacitor zero-TCESR é aquele cujo ESR muda muito pouco com a temperatura.ESR adiciona uma pequena perda de resistência em série com o caminho do sinalSe essa perda crescer à medida que a placa aquece, o ganho do estágio cai.Assim, a estabilidade do ganho é mantida em toda a faixa de temperatura de funcionamento sem redes de compensação adicionais.

Principais especificações (T = 25°C, salvo indicação em contrário)

Parâmetro	Valor	Condição
Capacidade	100 pF ± 10%	1MHz, 1,0Vrms
Tensão nominal de CC	50 V	Contínuo
Força dielétrica	> 125 V CC	1 minuto, 25°C
Coeficiente de temperatura do ESR	Cero TCESR, variação < ± 5%	-55°C a +125°C
ESR a 1 GHz	< 0,08 Ω	Tipico
Fator Q a 1 MHz	> 2000	Tipico
Fator Q a 1 GHz	> 300	Tipico
ESL de chip intrínseco	< 0,05nH	Desintegrado dos parâmetros S
TCC	+35 ppm/°C	-55°C a +125°C
Corrente de fuga	< 10nA	50 V de corrente contínua, 25°C
Dieléctricos	SiO térmico₂, 300 nm	- Não.
Substrato	Zona de flutuação Si, > 1000 Ω·cm	- Não.
Dimensões do chip	0.50 × 0,50 × 0,15 mm	± 0,025 mm
Metalização superior	TiW + Au, 2,5 μm min.	Fios ligáveis
Metalização posterior	TiW-Pt-Au, Au 1,0 μm min	Acerte
Temperatura de funcionamento	-55°C a +125°C	- Não.
RoHS	Conformidade	A partir de 1 de janeiro de 2015

Aplicações típicas

Fases de correspondência e ganho do amplificador de baixo ruído (LNA)
Desacoplagem do bias do amplificador de RF e de microondas
Canais de RF de matriz de fases e de formação de feixe
Fronteiras de rádio de telecomunicações
Fronteiras de instrumentos de ensaio e medição
Redes de filtragem, acoplamento e correspondência

Capacitores MOS Balanceados TCESR Zero 100pF 50V Chip de Camada Única para Ganho de RF Ultra-Estável

Etiquetas:

Indutor Cônico

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Indutor de bobina de ar

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