HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| ब्रांड का नाम: | Hoan |
| मॉडल नंबर: | HACC101S50V200 |
| MOQ: | 10 टुकड़े |
| भुगतान की शर्तें: | टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी |
उत्पाद अवलोकन: HACC101S50V200 एक सिंगल-लेयर मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर (MOS) कैपेसिटर है जिसकी नाममात्र कैपेसिटेंस 100pF ±10% और 50V डीसी वर्किंग वोल्टेज है। यह फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन सब्सट्रेट पर 300nm थर्मल सिलिकॉन डाइऑक्साइड (SiO2) डाइइलेक्ट्रिक और TiW-Au मेटलाइजेशन स्टैक के साथ बनाया गया है। इसकी परिभाषित विशेषता ज़ीरो-टीसीईएसआर डिज़ाइन है — इक्विवेलेंट सीरीज़ रेजिस्टेंस का तापमान गुणांक शून्य के करीब है, इसलिए ईएसआर -55°C से +125°C तक लगभग स्थिर रहता है। यह आरएफ सिग्नल चेन के लिए उपयुक्त है जिन्हें तापमान पर स्थिर गेन की आवश्यकता होती है।
टीसीईएसआर का मतलब है इक्विवेलेंट सीरीज़ रेजिस्टेंस का तापमान गुणांक। ज़ीरो-टीसीईएसआर कैपेसिटर वह है जिसका ईएसआर तापमान के साथ बहुत कम बदलता है। आरएफ एम्पलीफायर या मैचिंग नेटवर्क में, ईएसआर सिग्नल पथ के साथ श्रृंखला में एक छोटा प्रतिरोधी नुकसान जोड़ता है। यदि बोर्ड गर्म होने पर वह नुकसान बढ़ता है, तो स्टेज का गेन गिर जाता है। लगभग शून्य टीसीईएसआर वाला कैपेसिटर उस नुकसान को अनिवार्य रूप से स्थिर रखता है, इसलिए अतिरिक्त मुआवजे नेटवर्क के बिना ऑपरेटिंग तापमान रेंज में गेन स्थिरता बनाए रखी जाती है।
| पैरामीटर | मान | स्थिति |
| कैपेसिटेंस | 100pF ±10% | 1MHz, 1.0Vrms |
| रेटेड डीसी वोल्टेज | 50V | निरंतर |
| डाइइलेक्ट्रिक शक्ति | >125V DC | 1 मिनट, 25°C |
| ईएसआर का तापमान गुणांक | ज़ीरो-टीसीईएसआर, <±5% भिन्नता | -55°C से +125°C |
| 1GHz पर ईएसआर | <0.08 Ω | विशिष्ट |
| 1MHz पर क्यू फैक्टर | >2000 | विशिष्ट |
| 1GHz पर क्यू फैक्टर | >300 | विशिष्ट |
| आंतरिक चिप ईएसएल | <0.05nH | एस-पैरामीटर से डी-एम्बेडेड |
| टीसीसी | +35ppm/°C | -55°C से +125°C |
| लीकेज करंट | <10nA | 50V DC, 25°C |
| डाइइलेक्ट्रिक | थर्मल SiO2, 300nm | — |
| सब्सट्रेट | फ्लोट-ज़ोन Si, >1000 Ω·cm | — |
| चिप आयाम | 0.50 × 0.50 × 0.15mm | ±0.025mm |
| टॉप मेटलाइजेशन | TiW + Au, 2.5µm न्यूनतम | वायर बॉन्डेबल |
| बैकसाइड मेटलाइजेशन | TiW-Pt-Au, Au 1.0µm न्यूनतम | डाई अटैच |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55°C से +125°C | — |
| आरओएचएस | अनुरूप | ईयू 2015/863 |
