Ultra Niski ESR Cienkie pojemności Krok MOS Kondensatory Precyzyjne dostrojenie Wire Bond Design

Niestandardowy kondensator MOS o ultra niskiej rezystancji szeregowej (ESR), wielogigabitowy, precyzyjne strojenie z drobnymi krokami pojemności, zoptymalizowana powierzchnia do połączeń drutowych

HACC-CUSTOM-ES: Kondensator MOS o ultra niskiej rezystancji szeregowej (ESR) dla wielogigabitowych SERDES z drobnymi krokami pojemności i zoptymalizowaną powierzchnią do połączeń drutowych

Zaprojektowana ultra niska rezystancja szeregowa (ESR) dla łączy wielogigabitowych

Kondensatory blokujące DC dla wielogigabitowych SERDES (Serializer/Deserializer) muszą spełniać rygorystyczne wymagania dotyczące rezystancji szeregowej (ESR). Przy 10 Gb/s i wyższych, nawet 0,1 oma ESR przyczynia się do strat wtrąceniowych, zamknięcia oka i deterministycznego drgania. HACC-CUSTOM-ES osiąga ESR <0,05 oma przy 10 GHz i <0,02 oma przy 40 GHz dzięki trzem równoczesnym optymalizacjom projektu:

• Gruba na 3-5 µm złota elektroda górna: Zredukowana rezystancja powierzchniowa minimalizuje wkład efektu naskórkowego przy częstotliwościach mikrofalowych, utrzymując niską ESR w paśmie Nyquista wielogigabitowym.
• Układ elektrod wielopalczastych: Równoległe ścieżki prądowe rozdzielają prąd RF, eliminując zagęszczenie prądu na krawędziach elektrod — główny mechanizm awarii ESR w projektach jednopalczastych.
• Podłoże o niskiej rezystywności (N+ Si, <0,01 oma·cm): Minimalizuje rezystancję szeregową w obszarze półprzewodnikowym, zapewniając, że podłoże nie stanowi wąskiego gardła ESR.

ESR jest weryfikowana dla każdego pasma częstotliwości: <0,05 oma od 1-10 GHz, <0,1 oma od 10-20 GHz i <0,15 oma od 20-40 GHz — zapewniając projektantom gwarantowane marginesy ESR dla ich konkretnej szybkości transmisji danych SERDES.

Ultra-drobne kroki pojemności i precyzyjne strojenie wartości

Strojenie szybkich łączy szeregowych wymaga precyzyjnych wartości pojemności — nie tylko w ramach tolerancji, ale dokładnie takiej wartości, która została zoptymalizowana poprzez symulację. HACC-CUSTOM-ES oferuje krok pojemności o minimalnym przyroście 1 pF z rozdzielczością laserowego przycinania do 0,1 pF, osiągając ±2% wartości docelowej. Dostępny w serii z drobnymi krokami (1p, 2p, 3p, 5p, 7p, 10p, 15p, 22p, 33p, 47p, 68p, 100p) od 0,5 pF do 1000 pF. Każdy dysk przechodzi pomiar pojemności in-situ z zamkniętą pętlą sprzężenia zwrotnego z laserowym przycinaniem, a weryfikacja parametrów S po przycinaniu potwierdza wartość pojemności w rzeczywistym środowisku RF — nie tylko przy częstotliwości miernika LCR 1 MHz.

Metalizacja powierzchni zoptymalizowana pod kątem połączeń drutowych

Niezawodność połączeń drutowych w szybkich zespołach zależy od jakości metalizacji górnej. HACC-CUSTOM-ES posiada złotą metalizację powierzchni o grubości 3 µm z <50 nm Ra chropowatości powierzchni i kontrolowaną strukturą ziarna — osiągając siłę rozciągania przekraczającą 3,0 g zarówno dla drutów o średnicy 25 µm, jak i 18 µm, kompatybilną z procesami zgrzewania klinowego i kulkowego. Kontrolowana powierzchnia minimalizuje zmienność deformacji połączenia i zapewnia spójną impedancję kontaktu elektrycznego we wszystkich połączeniach w module wielodyskowym.

Kluczowe specyfikacje

Zastosowania

• Blokowanie DC SERDES PAM4/NRZ — ESR <0,05 oma dla marginesu oka 56/112 Gbps, równomierne rozłożenie prądu wielopalczastego
• Filtrowanie biasu wzmacniacza transimpedancyjnego (TIA) — dokładność przycinania laserowego 0,1 pF, weryfikacja parametrów S po przycinaniu dla precyzyjnego umiejscowienia bieguna filtra
• Interposery modułów fotonicznych dużej prędkości — zoptymalizowane pod kątem połączeń drutowych Au o grubości 3 µm, kompatybilne z eutektyką AuSn, powierzchnia 50 nm Ra dla spójnej impedancji połączeń
• Sieci biasu DSP optyki koherentnej — seria z drobnymi krokami 1 pF od 0,5 pF do 1000 pF, precyzyjne strojenie wartości do ±2% dla dokładnej pojemności odczepu DSP

Skontaktuj się z nami, podając docelową rezystancję ESR, wartość pojemności i wymagania dotyczące połączeń drutowych. Niestandardowe kondensatory MOS o ultra niskiej rezystancji ESR z precyzyjnym strojeniem krok po kroku wysyłane są w ciągu 5-7 dni roboczych.