Ultra Lage ESR Fijne Capaciteit Stap MOS Condensatoren Precisie Afstemming Draad Bonding Ontwerp

Custom MOS condensator Ultra Low ESR Multi Gigabit fijne capaciteit Stap Precision Tuning Draadbinding Geoptimaliseerd oppervlak

HACC-CUSTOM-ES: Ultra-Low ESR MOS condensator voor multi-Gigabit SERDES met een optimaal oppervlak voor stap- en draadbinding met een fijne capaciteit

Ontworpen ultra-lage ESR voor multi-gigabitverbindingen

Multi-gigabit SERDES (Serializer/Deserializer) DC-blokkerende condensatoren hebben strikte eisen aan equivalent serieweerstand (ESR).1 Ohm van ESR draagt bij aan insetverliesDe HACC-CUSTOM-ES bereikt ESR <0,05 ohm bij 10 GHz en <0,02 ohm bij 40 GHz door middel van drie gelijktijdige ontwerpoptimalisaties:

• Elektrode van goud met een dikte van 3 μm:Verminderde plaatweerstand minimaliseert de bijdrage van huideffect bij microgolffrequenties, waardoor een lage ESR wordt gehandhaafd over de multi-gigabit Nyquist-bandbreedte.
• Verdeling van de elektrode met meerdere vingers:Parallelle stroompaden verdelen RF-stroom, waardoor stroomophoping aan de elektrodenrand wordt geëlimineerd.
• Substraat met een lage weerstand (N+ Si, < 0,01 Ohm·cm):Minimaliseert serieweerstand in het halfgeleidergebied, zodat het substraat niet de ESR-flesskloof is.

De ESR wordt geverifieerd per frequentieband: < 0,05 Ohm vanaf 1 ∼10 GHz, < 0,1 Ohm vanaf 10 ∼20 GHz en < 0,015 Ohm vanaf 20 – 40 GHz – ontwerpers met gegarandeerde ESR-marges voor hun specifieke SERDES-gegevenssnelheid.

Ultra-fijncapaciteitsstap & precisiewaarde-tuning

Bij de hoge snelheid van de seriële verbinding moet de capaciteitswaarde niet alleen binnen een tolerantieband worden bepaald, maar ook op de door simulatie geoptimaliseerde exacte waarde.De HACC-CUSTOM-ES biedt een capaciteitsstap van 1 pF minimale toename met laser-trimmable resolutie tot 0.1 pF, waarbij ±2% van de streefwaarde wordt bereikt. Beschikbaar in een fijnstapsreeks (1p, 2p, 3p, 5p, 7p, 10p, 15p, 22p, 33p, 47p, 68p, 100p) van 0,5 pF tot 1000 pF.Elke matrijs ondergaat in-situ capaciteitsmeting met een gesloten lus laser trim feedback, en de verificatie van de S-parameter na het trimmen bevestigt de capaciteitswaarde in de werkelijke RF-omgeving, niet alleen bij 1 MHz LCR-meterfrequentie.

Optimalisatie van het oppervlak met draadbinding

De betrouwbaarheid van de draadbinding in hogesnelheidsassemblages wordt bepaald door de hoogste kwaliteit van de metallisatie.De HACC-CUSTOM-ES is voorzien van 3 μm dikke goudoppervlakte met metallisatie met < 50 nm Ra oppervlakte ruwheid en gecontroleerde korrelstructuur ­ met een treksterkte van meer dan 3.0 g op draden met een diameter van zowel 25 μm als 18 μm, compatibel met zowel wig- als kogelbindingsprocessen.Het gecontroleerde oppervlak minimaliseert de bonddeformatievariabiliteit en zorgt voor een consistente elektrische contactimpedantie over alle bindingen in een multi-die module.

Belangrijkste specificaties

Toepassingen

• PAM4/NRZ SERDES DC-blokkering ESR < 0,05 Ohm voor 56/112 Gbps oogmarge, gelijkmatige stroomverdeling met meerdere vingers
• Transimpedantieversterker (TIA) Bias Filtering ️ 0.1 pF laser-trim nauwkeurigheid, S-parameter geverifieerd na trim voor de exacte plaatsing van de filterpool
• High-Speed Photonics Module Interposers 3μm Au draadbinding geoptimaliseerd, AuSn eutectic compatibel, 50nm Ra oppervlak voor consistente bandimpedantie
• Coherente optische DSP-biasnetwerken 1 pF fijnstapsreeks van 0,5 pF-1000 pF, nauwkeurige waarde afgestemd op ±2% voor de exacte DSP-kraangewichtscapaciteit

Contact met ons met uw doel ESR, capaciteitswaarde, en draad band vereisten.