HongAn Microwave Co., Ltd.
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| ブランド名: | Hoan |
| モデル番号: | HACC221S50V500 |
| MOQ: | 10個 |
| 支払い条件: | T/T、L/C、D/A、D/P |
HACC221S50V500は,高熱伝導性のシリコン基板で製造された単層MOSコンデンサで,SiO2ダイレクトリックを熱的に栽培している.熱を捕らえる代わりに,アクティブダイから遠ざけるように設計されています連続RF電源操作中に冷却器を冷やし安定している.220 pF ±10% 50 V DC でA で0.50 × 0.50 × 0.15 mmチップだ
| 定数容量 | 220 pF ±10% (±5%可用) |
| 定数直流電圧 | 50V |
| 基板の熱伝導性 | >140 W/m·K |
| 熱抵抗 (キャリアへの接点) | <15 K/W |
| ダイレクトリック | 熱性シオ2,300nm |
| 基板 | 高熱伝導性シリコン |
| 固有のESL | <0.05 nH |
| 自動共鳴周波数 | >6 GHz (0.5mmのボンドワイヤーで) |
| Q因数 @ 1 MHz | >2000年 |
| TCCについて | +35 ppm/°C |
| 動作温度 | -55 °Cから+125 °C |
| チップの寸法 | 0.50 × 0.50 × 0.15 mm |
| 金属化 | 上部TiW-Au (2,5 μmmin),裏部TiW-Pt-Au (1,0 μmmin) |
| 湿度感度レベル | MSL 1 |
| RoHS | 適合している (EU 2015/863) |
| パラメータ | このMOSコンデンサは | セラミックキャリヤコンデンサター |
| 基板の熱伝導性 | >140 W/m·K | 通常は2〜30W/m·K |
| 接点とキャリアの熱抵抗 | <15 K/W | 高い,キャリアによって異なります |
| 熱経路 | シリコン基板からバックサイド金属 | 隔熱器によって制限される |
| 容量対DCバイアス | 定位電圧まで安定 | 落下できる (II級) |
