HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Название бренда: | Hoan |
| Номер модели: | ХАСС331С50В150 |
| минимальный заказ: | 10 шт. |
| Условия оплаты: | Т/Т,Л/К,Д/А,Д/П |
HACC331S50V150 — это однослойный МОП (металл-оксид-полупроводник) конденсатор, в котором используется термически выращенный диэлектрик из диоксида кремния (SiO2) на подложке из кремния зонной плавки. Его конструкция с самовосстанавливающимся диэлектриком изолирует локализованный участок пробоя, чтобы переходное перенапряжение не переросло в постоянное короткое замыкание. Это проводно-сварной ВЧ-конденсатор с номиналом330 пФ ±10% при 50 В постоянного токав0,50 × 0,50 × 0,15 ммчипе, и он также известен как однослойный керамический конденсатор (SLC) или проводно-сварной конденсатор.
| Номинальная емкость | 330 пФ ±10% (доступно ±5%) |
| Номинальное напряжение постоянного тока | 50 В |
| Диэлектрическая прочность | >125 В постоянного тока (250% от номинального) |
| Функция самовосстановления | Изоляция локализованного участка пробоя |
| Диэлектрик | Термический SiO2, 300 нм |
| Подложка | Кремний зонной плавки, >1000 Ом·см |
| Собственная индуктивность | <0,05 нГ |
| Собственная резонансная частота | >4 ГГц (с проводным соединением 0,5 мм) |
| Коэффициент добротности при 1 МГц | >2000 |
| ТКЕ | +35 ppm/°C |
| Рабочая температура | -55 °C до +125 °C |
| Размеры чипа | 0,50 × 0,50 × 0,15 мм |
| Металлизация | Верхняя TiW-Au (минимум 2,5 мкм), нижняя TiW-Pt-Au (минимум 1,0 мкм) |
| Уровень влагочувствительности | MSL 1 |
| RoHS | Соответствует (ЕС 2015/863) |
| Параметр | Этот МОП-конденсатор | Многослойный керамический конденсатор (0402) |
| Конструкция | Однослойная, вертикальный путь тока | Многослойный стек |
| Собственная индуктивность | <0,05 нГ | 300-500 пГ |
| Емкость в зависимости от напряжения постоянного тока | Стабильна до номинального напряжения | Может снижаться при номинальном напряжении (класс II) |
| Поведение при пробое | Конструкция с самовосстанавливающимся диэлектриком | Постоянный отказ |
| Монтаж | Проводное соединение / эвтектическое крепление кристалла | SMD пайка |
