極電圧 ダイエレクトリック 単層 MOS コンデンサ ウェーファーレベル 高容量 ゲルパック配送

カスタムMOSコンデンサ ダイレクトリック厚さ 極電圧 ウェーファーレベル ゲルパック 配送 ドーピング抵抗制御

HACC-CUSTOM-DV: 柔軟なウェーファーレベルとジェルパック配送の極電圧MOSコンデンサ

極端な電圧のためのカスタマイズされた介電体厚さ

HACC-CUSTOM-DVは,設計された介電体厚さによって単層MOSコンデンサーの電圧範囲を拡張します.標準的な熱栽培SiO2介電器 (505000Å) は,500Vまでの名値電圧に対応します.高い電圧の要求のために,堆積型電解構造 │ SiO2 をストレス制御された SiN または高k Al2O3 層と組み合わせる │ 容量密度を維持しながら最大 1000V の定位電圧を達成する耐電電圧 (DWV) は,各ウエファーで名値電圧の250~300%で検証され,最大名値温度では時間依存型電解障害 (TDDB) の寿命は10年以上である.厚さの許容量は,ウエファーレベルでは ±2%,ダイ内では ±1%,各ウエファーでスペクトロスコープの Ellipsometryによって確認されます.

空気のない単層MOSアーキテクチャは,高電圧グラディエントで多層セラミックコンデンサター (MLCC) に伴う脱層および部分放出リスクを排除する.MLCCとは異なり,内部電極の辺は電場を集中させる.MOSコンデンサターの平面金属隔離体半導体構造はコンデンサの全領域に均等なフィールド分布を保証します. これは高電圧信頼性の重要な利点です.

柔軟 な ワッフル レベル,ワッフル パック,または ゲル パック 配送

HACC-CUSTOM-DVは,各生産ラットごとに個別に選択できる,またはワッフル分割ごとに混合できる3つの配送オプションで,下流の組み立て流程に対応します.

• ワッファーレベル:完全なウエファー配送 探査,インク,および知られた良いダイビングでマッピング.オプションには,フレーム上の切断ウエファー (直接ピックアップおよび場所) またはダイソートするための拡張フィルムフレームが含まれます.
• ゲルパック乾燥したピークと場所のための真空放出のジェルパックトレイに 切断されたマートを置く クラス100 クリーンルームパック 自動ハイブリッド回路組成ラインに理想的です
• ワッフルパック:静止性のないワッフルパックで切断され,窒素浄化で真空密封.切断レベルを追跡するための知られた良い切断 (KGD) マップが含まれます.

混合包装は,例えば, 50%がゲル・パックと 50%がワッフル・パックとして,再配備なしでサポートされます.プロトタイプから生産への移行や複数の場所での組み立て流程の最大限の柔軟性.

調整された基質ドーピングと抵抗性制御

HACC-CUSTOM のすべての製品と同様に,基板ドーピングは設計パラメータである.目標断熱電圧 (BVdss) と連続抵抗のトレードオフに最適化C-V特性は,平坦容量または制御傾斜のベラクター行動のために形作ることができる.

基本規格

申請

• 高電圧直流-直流変換器 フィルタリング 500V 単層MOSコンデンサがMLCCバンクを入れ替える
• パルス電源 貯蔵電源 1000V 動作のための堆積式電解器,均等なフィールド分布
• 高圧バイアスネットワーク 自動ハイブリッド回路組成のためのウエファーレベルの配送
• ATEピン電子解離 清潔のピックアップと場所のためのジェルパック配送,クラス100クリーンルーム

電圧の要求,介電仕様,配送形式の 優先事項を教えてください. 極電圧MOSコンデンサータプロトタイプは,5~7営業日以内に出荷されます.