รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิปชั้นเดียว ESR ต่ํา 470pF 100V สําหรับการสกัดพลังงาน

Name: ชิปชั้นเดียว ESR ต่ํา 470pF 100V สําหรับการสกัดพลังงาน
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S100V701
Price: ต่อรองได้ USD
Availability: InStock

ชื่อแบรนด์:	Hoan
หมายเลขรุ่น:	HACC471S100V701
ขั้นต่ำ:	10 ชิ้น
เงื่อนไขการชำระเงิน:	L/C,D/A,D/P,T/T

ข้อมูลรายละเอียด

คําอธิบายสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

มณฑลส่านซีประเทศจีน

ได้รับการรับรอง:

ISO 9001:2015, RoHS

ความทนทานต่อ ESD:

>2 kV HBM, คลาส 2 (JESD22-A114)

อุณหภูมิในการทำงาน / การเก็บรักษา:

-55°C ถึง +200°C / -65°C ถึง +150°C

ขนาดชิป:

0.65 × 0.65 × 0.20 มม. (±25 µm); รูปทรงเรขาคณิตที่กำหนดเองได้สูงสุดถึงอัตราส่วน 4:1

โลหะ:

TiW-Au ด้านบน (≥2.5 µm Au) / ด้านหลังโอห์มมิกบริสุทธิ์ AuSn ปราศจากออกซิเจน (AuSn / ตะกั่วบัดกรี / ซ

ประเภทการติดตั้ง:

ลวดเชื่อมติดได้ / AuSn Eutectic / บัดกรี / อีพ็อกซี่นำไฟฟ้า

การทดสอบ:

ผ่านการทดสอบการผลิต 100% (C, DF, การรั่วไหล, DWV); แผนที่เวเฟอร์ KGD ต่อล็อต

เน้น:

ตัวเก็บประจุ MOS แบบไร้ออกซิเจน 470pF

ตัวเก็บประจุ MOS Low ESR 100V

ตัวเก็บประจุชิปชั้นเดียวสำหรับการเก็บเกี่ยวพลังงาน

คําอธิบายสินค้า

ตัวเก็บประจุ MOS HACC471S100V701 — 470 pF 100 V พร้อมการสัมผัสแบบโอห์มิกที่ปราศจากออกซิเจนและการคายประจุพลังงาน ESR ต่ำ

HACC471S100V701 เป็นตัวเก็บประจุ MOS แบบชั้นเดียว 470 pF ±10% ที่มีพิกัด 100 V DC ผลิตบนพื้นผิวซิลิคอนนำไฟฟ้าพร้อมการสัมผัสแบบโอห์มิกทองคำบริสุทธิ์ที่ปราศจากออกซิเจนที่ด้านหลัง ด้วยการกำจัดออกไซด์ที่รอยต่อระหว่างโลหะกับซิลิคอนที่ด้านหลัง อุปกรณ์จึงมีค่าความต้านทานที่รอยต่อและอนุกรมต่ำ ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการคายประจุในการเก็บเกี่ยวพลังงานและการใช้งานกำลังพัลส์ ตัวเก็บประจุ MOS เป็นตัวเก็บประจุแบบชั้นเดียวที่เกิดจากโครงสร้างโลหะ-ออกไซด์-สารกึ่งตัวนำ (ซิลิคอนไดออกไซด์จากความร้อนบนพื้นผิวซิลิคอนนำไฟฟ้า) ซึ่งเก็บพลังงานเป็น ½CV² ESR ต่ำและ Q สูงช่วยให้มั่นใจได้ว่าประจุที่เก็บไว้จะถูกส่งไปยังโหลดโดยมีการสูญเสียน้อยที่สุด

การสัมผัสแบบโอห์มิกที่ปราศจากออกซิเจนสำหรับความต้านทานที่รอยต่อต่ำ

กระบวนการที่ปราศจากออกซิเจน: การสัมผัสแบบโอห์มิกที่ด้านหลังจะเกิดขึ้นบนซิลิคอนที่มีความต้านทานต่ำโดยไม่สัมผัสกับออกซิเจน หลีกเลี่ยงชั้นออกไซด์ที่รอยต่อที่มีความต้านทานสูงระหว่างโลหะและพื้นผิว;
ความต้านทานที่รอยต่อต่ำ: การสัมผัสแบบโอห์มิก Au บริสุทธิ์ช่วยลดความต้านทานการสัมผัส ทำให้ ESR รวมต่ำกว่า 0.1 Ω ที่ 1 GHz และความต้านทานอนุกรมต่ำสำหรับกระแสคายประจุ;
พื้นผิวซิลิคอนนำไฟฟ้า: ความต้านทานของพื้นผิวสามารถเลือกได้ตามการใช้งาน (ตัวเลือกที่กำหนดเอง) ตั้งแต่ความต้านทานสูงสำหรับการแยกสัญญาณไบแอส RF ไปจนถึงความต้านทานต่ำสำหรับการส่งประจุที่มีการสูญเสียต่ำ;
การประกอบที่ยืดหยุ่น: ด้านหลัง Au รองรับการเชื่อมต่อแบบ AuSn eutectic, บัดกรี SAC และอีพ็อกซี่นำไฟฟ้า มีผิวเคลือบ Au เท่านั้นสำหรับอีพ็อกซี่ที่เติมเงิน

คุณสมบัติทางไฟฟ้า (ทั่วไป, 25°C เว้นแต่จะระบุไว้)

ค่าความจุที่ระบุ	470 pF ±10% (1 kHz, 1.0 Vrms); มีค่าความคลาดเคลื่อนที่แคบกว่าและชุดที่จับคู่
แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด	100 V DC
แรงดันไฟฟ้าที่ทนต่อไดอิเล็กทริก	250 V DC (250% ของพิกัด, 5 วินาที, ทดสอบ 100%)
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ (TCC)	+35 ppm/°C ในช่วง -55°C ถึง +200°C
ปัจจัยการสูญเสีย	≤0.15% ที่ 1 kHz, 1.0 Vrms
ปัจจัย Q	>2000 ที่ 1 MHz
ESR	<0.1 Ω @ 1 GHz (การออกแบบความต้านทานที่รอยต่อต่ำ)
ESL ของชิปภายใน	<0.05 nH (de-embedded)
SRF ระดับชิป	>1 GHz (470 pF)
กระแสรั่วไหล	<10 nA ที่ 25°C; <500 nA ที่ 200°C (ที่แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด)
ความต้านทานฉนวน	≥10⁴ MΩ ที่แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด, 25°C
ความทนทานต่อ ESD	>2 kV HBM, คลาส 2 ตาม JESD22-A114
อุณหภูมิการทำงาน / การจัดเก็บ	-55°C ถึง +200°C / -65°C ถึง +150°C
ขนาดชิปมาตรฐาน	0.65 × 0.65 × 0.20 มม. (±25 µm); รูปทรงที่กำหนดเอง, อัตราส่วนภาพสูงสุด 4:1
การเคลือบโลหะ	TiW-Au ด้านบน (≥2.5 µm Au, สามารถเชื่อมต่อด้วยลวด); ด้านหลังโอห์มิก Au บริสุทธิ์ที่ปราศจากออกซิเจน

การใช้งานทั่วไป

การเก็บเกี่ยวพลังงานและการคายประจุแบบพัลส์ในระบบเพียโซ, โฟโตโวลตาอิก และเทอร์โมอิเล็กทริก; เครือข่าย Snubber และ Clamp ของตัวแปลงกำลัง; การแยกสัญญาณ Gate-drive ในโมดูล GaN และ SiC; เครือข่ายไบแอสของเครื่องขยายกำลัง RF; โหนดเซ็นเซอร์ไร้สายและโมดูล IoT ที่จ่ายไฟด้วยตนเองซึ่งต้องการการส่งประจุที่มีการรั่วไหลต่ำและมีประสิทธิภาพสูง

ชิปชั้นเดียว ESR ต่ํา 470pF 100V สําหรับการสกัดพลังงาน

แท็ก:

ตัวเหนี่ยวนำทรงกรวย

อินดูเตอร์เบนด์กว้าง

ตัวเหนี่ยวนำแกนอากาศ

ตัวเหนี่ยวนำขดลวดอากาศ

เครื่องปรับความแรง MOS