details van de producten

Huis Producten

Zuurstofvrije Ohmic Contact MOS condensatoren 470pF 100V Low ESR Single Layer Chip voor energie-harvesting ontlading

Name: Zuurstofvrije Ohmic Contact MOS condensatoren 470pF 100V Low ESR Single Layer Chip voor energie-harvesting ontlading
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S100V701
Price: Bespreekbaar USD
Availability: InStock

Merknaam:	Hoan
Modelnummer:	HACC471S100V701
MOQ:	10 stuks
Betalingsvoorwaarden:	L/C, D/A, D/P, T/T

Gedetailleerde informatie

Productomschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

Shaanxi, China

Certificering:

ISO 9001:2015, RoHS

ESD Tolerantie:

>2 kV HBM, klasse 2 (JESD22-A114)

Het werken/Opslagtemperatuur:

-55°C tot +200°C / -65°C tot +150°C

Chipafmetingen:

0,65 × 0,65 × 0,20 mm (±25 µm); aangepaste geometrie tot een beeldverhouding van 4:1

Metallisering:

TiW-Au bovenkant (≥2,5 µm Au) / zuurstofvrije pure-Au ohmse achterkant (AuSn / soldeer / zilverepoxy

Montagetype:

Draadverbinding / AuSn Eutectisch / Soldeer / Geleidende epoxy

Testen:

100% productiegetest (C, DF, lekkage, DWV); KGD waferkaart per lot

Markeren:

zuurstofvrije MOS condensator 470pF

lage ESR MOS condensator 100V

enkellaags chipcondensator energie oogsten

Productomschrijving

HACC471S100V701 MOS-condensator ¥ 470 pF 100 V met zuurstofvrij ohmcontact en lage ESR-energieontlading

De HACC471S100V701 is een 470 pF ±10% enkellagige MOS-capacitor met een nominale stroom van 100 V, vervaardigd op een geleidend siliciumsubstraat met een zuurstofvrij puur-goud ohm-achterste contact.Door het elimineren van de interfacial oxide op de achterkant van de metaal-silicon verbindingHet apparaat heeft een lage interfacieel- en serieweerstand, wat de ontladingsdoeltreffendheid in energieopslag en pulserende energie rechtstreeks verbetert.Een MOS-capacitor is een eenlaagse condensator gevormd door een metaal-oxide-halfgeleiderstructuur (thermisch siliciumdioxide op een geleidend siliciumsubstraat)Een lage ESR en een hoge Q zorgen ervoor dat de opgeslagen lading met minimaal verlies aan de belasting wordt geleverd.

Zuurstofvrije ohmcontacten voor lage interfaceresistentie

Zuurstofvrij proces:het achterste ohmcontact wordt gevormd op silicium met een lage weerstand zonder blootstelling aan zuurstof, waarbij een hoge weerstands-interfaceschaal tussen metaal en substraat wordt vermeden;
Laag oppervlakteweerstand:het zuiver-Au-ohmcontact beperkt de contactweerstand tot een minimum, waarbij de totale ESR bij 1 GHz onder 0,1 Ω blijft en de serieweerstand laag is voor ontladingsstromen;
met een vermogen van meer dan 10 Wde substraatresistiviteit kan per toepassing worden geselecteerd (optie op maat), van hoge resistiviteit voor RF-bias ontkoppeling tot lage resistiviteit voor lage verlieslading;
Flexibel in montage:De Au-achterkant ondersteunt AuSn eutectic, SAC soldeer en geleidende epoxy bevestiging; voor zilver gevulde epoxy is alleen een Au-afwerking beschikbaar.

Elektrische kenmerken (typisch, 25°C, tenzij vermeld)

Nominale capaciteit	470 pF ±10% (1 kHz, 1,0 Vrms); krappe tolerantie en overeenkomstige sets beschikbaar
Nominale spanning	100 V gelijkstroom
Dielektrische weerstandsspanning	250 V gelijkstroom (250% nominale, 5 s, 100% getest)
Temperatuurcoëfficiënt (TCC)	+35 ppm/°C boven -55°C tot +200°C
Dissipatiefactor	≤ 0,15% bij 1 kHz, 1,0 Vrms
Q-factor	> 2000 bij 1 MHz
ESR	< 0,1 Ω @ 1 GHz (ontwerp met lage interfaceresistentie)
Intrinsieke chip ESL	< 0,05 nH (niet-geïntegreerd)
SRF op chipniveau	> 1 GHz (470 pF)
Leckage-stroom	< 10 nA bij 25°C; < 500 nA bij 200°C (bij nominale spanning)
Isolatieweerstand	≥ 10⁴MΩ bij nominale spanning, 25°C
ESD-tolerantie	> 2 kV HBM, klasse 2 per JESD22-A114
Operatietemperatuur / opslagtemperatuur	-55°C tot +200°C / -65°C tot +150°C
Standaard die grootte	0.65 × 0,65 × 0,20 mm (± 25 μm); aangepaste geometrie, beeldverhouding tot 4:1
Metallisatie	TiW-Au-top (≥ 2,5 μm Au, draadbindbaar); zuurstofvrije pure-Au ohm achterkant

Typische toepassingen

energieopslag en pulsontlading in piezo-, fotovoltaïsche en thermo-elektrische systemen; snubber- en klemnetwerken van vermogen omvormers; ontkoppeling van de poort in GaN- en SiC-modules;RF-versterker-biasnetwerken; draadloze sensorknooppunten en IoT-modules met eigen stroomvoorziening die een laag lek en een hoog rendement vereisen.

Zuurstofvrije Ohmic Contact MOS condensatoren 470pF 100V Low ESR Single Layer Chip voor energie-harvesting ontlading

Markeringen:

Conische spoel

Breedbandspoelen

De Inductor van de luchtkern

Air Coil Inductor

MOS-condensatoren