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HACC103S50V910 MOS Capacitors 10000 pF 50V Ultra Broadband Flat Impedance TID Qualified 100 krad

Name: HACC103S50V910 MOS Capacitors 10000 pF 50V Ultra Broadband Flat Impedance TID Qualified 100 krad
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC103S50V910
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Hoan
Número De Modelo:	HACC103S50V910
Cantidad Mínima De Pedido:	10 piezas
Condiciones De Pago:	T/T, L/C, D/P, D/A

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

Shaanxi, China

Certificación:

ISO 9001:2015, RoHS 2015

Magnitud de impedancia:

0,05-0,30 Ω de 10 MHz a 40 GHz

Impedancia Planitud:

±1,5 dB, sin antirresonancia por debajo de 20 GHz

Tensión nominal:

50 V CC (DWV >150 V, 300 % del valor nominal)

Dosis ionizante total:

100 krad(Si) funcional, 200 krad(Si) de supervivencia

Cambio de capacitancia después de TID:

<2% a 100 krad(Si)

Sensibilidad a la tasa de dosis baja:

<3% de cambio a 10 mrad(Si)/s

Dimensiones de los chips:

1,50 × 1,50 × 0,25 mm (±25 µm)

Resaltar:

Ultra Broadband Flat Impedance Decoupling

TID Qualified 100 krad Capacitor

10000 pF Flat Impedance Chip

Descripción de producto

HACC103S50V910 MOS Capacitor 10 nF 50 V Ultra-Broadband Flat Impedance, Total-Dose Qualified to 100 krad(Si) Model: HACC103S50V910Product name: Ultra-broadband power-decoupling single-layer MOS capacitor, 10 nF ±5%, 50 V DC, total-ionizing-dose qualifiedProduct category: MOS Capacitors — wire-bondable single-layer chip (SLC), high-reliability seriesBrand: Hoan | Place of origin: Shaanxi, China | Certification: ISO 9001:2015, RoHS 2015/863, REACH, ASTM E595 testedModel coding:

Etiquetas:

Capacitores MOS de chip RF personalizados, endurecidos contra la radiación, para mapas de obleas digitales de respuesta Q plana espacial

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