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広帯域インダクタ
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2000nH ブロードバンドインダクタ 超ブロードバンド マイクロ波インダクタ 10MHz - 40GHz

2000nH ブロードバンドインダクタ 超ブロードバンド マイクロ波インダクタ 10MHz - 40GHz

ブランド名: Hoan
モデル番号: HALT68005
MOQ: 10個
支払い条件: L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン
補給能力: 月あたり 50,000 個
詳細情報
起源の場所:
中国
証明:
ISO 9001:2015
公称インダクタンス:
2000 nH (2.0 μH) ±20% (@10MHz、0.1Vrms、25℃)
自己共振周波数 (SRF):
>40.0 GHz (フラット、共振なし)
最大連続電流:
200mA (ΔT≦15℃)
推奨周波数帯:
0.010~40.0GHz
テストされた周波数帯域:
0.01 ~ 40.0 GHz (フィクスチャ補償)
RF絶縁(10MHz~20GHz):
>2.2kΩ
挿入損失 (10-500MHz):
<0.15dB
供給の能力:
月あたり 50,000 個
ハイライト:

2000nH ブロードバンドインダクタ

,

超広帯域マイクロ波インダクタ

,

40GHzブロードバンドインデューサー

製品の説明

製品概要

HALT68005は,ミリ波RFバイアスネットワークおよび高速光電子機器のためのブロードバンド円形誘導器で,10MHzから40GHz間で動作する.2000nH (2.0 μH) の名目インダクタンスで10MHzで ±20%の許容率で部品は,0.05mm (50μm) の超細い酸素のない銅線で,連続的に角型形状の円形幾何学で,−55°Cから+125°Cの200mA連続DC電流に対応しています.

2000 nH の誘導力を持つ標準電磁石は,集中したターン間寄生容量により500 MHz以下に自己共鳴する.HALT68005は,その角型円形構造によってこれを克服します: ターン直径は,頂点の狭い~0.40 mm OD から,より広い底部まで,継続的に増加します.単一のLC製品に集中するのではなく,機械的梯度全体に寄生容量を分散する結果は,単一の3.0mmコンポーネントで10MHzから40GHzまでの平坦で共鳴のない高インパダンスの応答です.

オーダーメイドで提供されるオプションの0.08mmのワイヤ構成は,上部帯域幅を減らす上部帯域幅でより高いDC電流を必要とするアプリケーション向けです.空気コア構造は磁気飽和を排除します.完全2000 nHインダクタンスを0~200 mA DC範囲で維持する各ユニットは,固定装置によって特徴付けられています: .s2p トッチストーンデータ (10 MHz×40 GHz, 201点,部品のリード参照平面に組み込まれないTRL) は,RF回路シミュレーターに直接インポートできる.

完全な技術仕様

カテゴリー パラメータ 保証された価値 試験/測定条件
電気 定数誘導力 2000 nH (2.0 μH) ±20% 10 MHz,0.1 Vrms,25°C
電気 自動共鳴周波数 (SRF) >40.0 GHz 平らで共鳴のない高阻力曲線
電気 最大連続電流 200mA ΔT ≤ 15°C の温度上昇で指定
電気 推奨周波数帯 0.010 ∙ 40.0 GHz ブロードバンド RF 離縁,ミリ波バイアス tee
電気 テストされた周波数帯 0.01 40.0 GHz カリブレーション装置の補償
物理的な コイル全体の長さ 3.0 mm 傷の角形の典型的な長さ
物理的な ワイリングワイヤの直径 0.05 mm (50 μm) 最大回転のための超細銅線
物理的な 任意の線直径 0.08mm 低DCRオプション
物理的な 鉛ワイヤの仕上げ 金/チンの塗装 微型溶接と金線クイーン結合を向上させる
物理的な デザイン建築 空気のコア 円形コイル 2本直線フライングのコナー巻き
組み立て マウントスタイル 飛ぶ鉛溶接 ユーテキス溶接/マイクロ溶接に適している
組み立て 粘着剤の安定化 エポキシ粘着剤の固定 (必須) 振動を防ぐためにドットエポキシ化する必要があります
信頼性 動作温度 -55°Cから+125°C 産業用・戦略用
信頼性 貯蔵温度とRH 20°C~25°C,40°C~60% RH クリーンルーム環境
設計支援 シミュレーションデータ .s2p トークストーン 10MHz×40GHz,VNA特性を有し,固定装置を外す

円形幾何学が4000:1帯域幅を可能にする方法

10MHzから40GHzまでの連続動作を達成するには,同時に二つの対立的な物理的制約を解決する必要があります. 10MHzブロックに必要な2000nHインダクタンスには,高いターンカウントが必要です.自然に回転間寄生容量を増やし,自己共鳴周波数を低下させる40GHz上限は最小容量要求であり,回転が少なく,誘導力が低くなります.

低周波と高周波の関数を空間的に分離することで,このトレードオフを解決します.

  • アピックス (狭い端,OD ~0.40 mm):最初の回転は,最小直径で,50Ωのマイクロストライプラインに接続される.隣接する回転間の最小向き表面面積は,信号交差点で軽微なシャント容量を生成する..これは40GHzを通るミリ波伝達経路を保存します
  • 中部体型:ターン直径は,3.0mmのローリング長に沿って徐々に増加します.各ターンはその直径に比例して容量に貢献します.しかし,値が1つの電気ノードで合計されるのではなく,分布しています.
  • ベース (広い端):最長直径の最終回転は,低周波阻害のために2000nH誘導力の大部分を詰め込む.寄生容量への貢献は,RF結点から物理的に遠く離れている.角式インピーダンスの移行によって隔離される.

効果的SRFが40.0GHzを超えたコンポーネントは,低周波端でブロック誘導力の2000nHを維持しながら,ローリング自体ではなく,試験装置の寄生物によって制限されます..

複数の周波数での運用性能

各ユニットは,TRLのデインベッディングを搭載した,校正されたミリメートル波マイクロストライプの固定装置でVNA特徴化を受けます.

周波数スペクトル 減衰 / 阻害 重要性
10MHz 500MHz 非常高い誘導反応性;挿入損失 < 0.15 dB 低周波の変速ブロックが異常である.電源を10MHzから始まるノイズから隔離する.
10MHz 20GHz 平らで連続した隔離;大きな沈みや共鳴ピークがない > 2.2 kΩのRF隔離を供給する.高速通信トランシーバーに適している.
10MHz 40GHz 優れた高周波応答; 40 GHz に保たれるシールド 検証されたミリ波性能;マイクロストライプ配置は寄生パッド容量を最小限にする必要があります

主要なパフォーマンスメリット

  • 極限ブロードバンド帯域 (10 MHz 40 GHz):低MHzからミリ波周波数まで連続でフラットなRF隔離を備えており,単一のコンポーネントで複数のカスケード式誘導器を入れ替える.
  • 0.05mm超細線巻き:50μmの銅線で回転し,2000nHを達成し,40GHzの動作で最小の寄生容量で超コンパクトな3.0mmの足跡を維持する.
  • カスケード共鳴を排除する単成分の溶液は,多段階感应器バイアスによって引き起こされるシグナル低下と相歪みを抑制します.
  • エアコア飽和保護:高電流レベルでの磁気飽和を防止し,高温とDCバイアスの下でインダクタンス安定性と高Q性能を保証します.
  • 溶接可能な飛行リード:標準の金/チンの銅製の飛ぶ電線が両端でマイクロ波とミリ波マイクロストライプ回路に統合される.

比較分析:HALT68005 と HALT60005

エンジニアリングパラメータ HALT68005 (2000 nH) HALT60005 (1400 nH) 設計ガイドライン
定数誘導力 2000 nH (2.0 μH) 1400 nH (1.4 μH) HALT68005は最高インダクタンスで 10MHzまでフィルタリングが可能
ワイリングワイヤの直径 0.05 mm (50 μm) 0.05 mm (50 μm) 両方とも超細いワイヤを使用; HALT68005は,追加の回転を詰め込むためによりコンパクトな巻き込みを備えています
最大直流 200mA 200mA 両方とも 200 mA までの連続電流に対応します
下周波数制限 10 MHz 20MHz HALT68005は10MHzでフィルタリングを開始します
上部周波数制限 40.0 GHz 40.0 GHz 両方とも40GHzでの低寄生容量を維持する
推奨される使用方法 究極の低周波 mmWaveバイアス・ティ,40G/100Gトランシーバー ブロードバンドバイアス・ティ,一般的なmmWave脱結合 mmWaveカバーで20 MHz未満のフィルタリングを必要とするアプリケーションでは,HALT68005を使用する.

組み立てガイドライン

  1. オリエンテーション:小端 (コーン先端) はRF伝送マイクロストライプラインに垂直 (≈90°) である.垂直外のマウントはS11を20GHz以上に降解する.
  2. リード・トリム溶接フィルエと最初の回転の間には,頂点の飛ぶ鉛線を ≤0.3 mm に保持する. 40 GHz で, 0.5 mm の鉛線でさえ,重要な寄生誘導体として作用する.望ましくない反射と信号の劣化をもたらす.
  3. ベース接続:DCバイアスパッドに幅広く溶接する. バイパスコンデンサを1mm以内に配置して,ストックとアースの間の誘導回路を最小限に抑える.
  4. エポキシ固定 (必須):ローリング側には,低排気性で導電性のないエポキシ (Epotek H70EまたはH65) のマイクロドットを塗り,機械的刺激下での共鳴マイクロフォニック振動を防止する.
  5. 溶接:制御された微型溶接点温度 280~320°C,関節ごとに ≤2秒.0.05mmのワイヤーはほぼ即座に溶接温度に達する.長時間加熱すると 銅が溶け 精密度が低下しますSAC305,AuSnユーテクティック,PbSn溶接合金と互換性がある.

申請

  • 40 Gbps / 100 Gbps オプティカルトランシーバーバイアス (TOSA/ROSA)
  • 5G NR FR2 (28 GHz / 39 GHz) 段階配列アンテナ要素 DC配線
  • Ka帯衛星通信トランスポーダーバイアスネットワーク
  • ミリメートル波のVNA周波数拡張子バイアス
  • 自動車用レーダー (77 GHz) バイアスネットワーク分離
  • 高速フォトダイオード,コレント受信機における逆偏差分離

よく 聞かれる 質問

Q: なぜ単一の2000nHの円形インダクタが 多重インダクタよりも好ましいのか?
A: 大きな値のインダクタを小値のインダクタと カスケード化することで 寄生的なLC回路が生み出し マイクロ波帯に急激な共鳴のダップを 導入しますHALT68005は2000nHインダクタンスと角型円形構造を組み合わせています連続して10MHzから40GHzまでの共鳴のない隔離を,接続寄生虫のない単一のコンポーネントで達成する.

Q: 0.05mmのワイヤーは 戦略的な高振動環境では 耐久性がありますか?
A: 0.05mm のワイヤーは極めて繊細ですが,空気コア状の円形コイルの質量が少ないため,機械的な衝撃に敏感です.ローリングの側に低排出エポキシのマイクロドットで適切に固定された場合戦略的レベルの振動と機械ショックテスト (MIL-STD-202,方法204&213) を通過します.CTE不一致から裂けるフェライトコアはありません.

Q:なぜ上限周波数が 40 GHz に設定されているのですか?
A: 40 GHz の電波は,0.05 mm の超細線によって達成され,カプチャ回転間の容量結合を最小限に抑える.これは,インダクタが並列共鳴に入ることなく,そのインダクティブ高阻力状態を維持することを可能にしますこの周波数以上では,パッド寄生物と固定装置の制限が巻き込み自体よりも明らかな応答を支配する.