330pF 16V ブロードバンド 単層電容器 0.1GHz から 30GHz 境界線 低ESR ゴールド ボンド パッド

HACC331S15V160 SSB SLC 330pF 16V (0.1-30GHz)

高周波技術概要
HACC331S15V160は、超小型・高容量密度の片面ボーダー付き単層セラミックコンデンサ（SLC）です。このモデルは、スペースが限られたマイクロエレクトロニクスにおいて、最大30.0 GHz（UHF、L、S、C、X、Ku、Kマイクロ波帯をカバー）までの超広帯域DCブロッキング、RFカップリング、マイクロ波フィルタリング用に特別に設計されています。堅牢な330 pF ± 10%の容量と16 Vの連続動作電圧定格を備え、驚異的なコンパクトさの15 mil × 15 mil（0.38 mm × 0.38 mm）フットプリントに、超低背0.15 mmの高さでパッケージ化されています。

片面ボーダー構造で設計されており、金の上部電極にはクリーンな絶縁セラミックマージンがあります。このボーダーは、導電性エポキシの這い上がりやはんだのブリードアウトによる短絡を防ぎます。上部コンタクトは厚いTiW-Au（4.0 µm最小）メタライゼーションを備え、重金線またはリボン線ボンディング用の優れたバッファー層を提供します。一方、下部電極は完全にメタライズされ、耐リーチ性のTiW-Pt-Auスタックを備えています。

外形寸法

主な性能上の利点
超広帯域性能（0.1 - 30.0 GHz）：非常にコンパクトな15 milパッケージフットプリントにより、等価直列インダクタンス（ESL）が非常に低くなっています。大容量の330 pFにより、低周波バイパスしきい値が100 MHzまで低下し、超広帯域応答を実現します。
厚金トップボンドバッファー：プレミアムTiW-Au（≥4.0 µm金）トップメタライゼーションでスパッタリングされています。厚い金層は高い超音波ワイヤボンディングエネルギーを吸収し、「ボンディングスルー」や電極剥がれを完全に防ぎます。
絶縁マージン防止：片面セラミックボーダーは、導電性銀エポキシが上部電極に這い上がるのを防ぐ物理的なダムとして機能し、信頼性の高い短絡のないダイアタッチを保証します。
プラチナボトム拡散バリア：TiW-Pt-Au（0.5 µm最小金）ボトムコンタクトを備え、高密度のプラチナ（Pt）層が金-はんだ金属間化合物の形成をブロックし、絶対的な接着と金のスクベンジングゼロを保証します。

包括的なパラメータデータシート

薄膜メタライゼーションスタックエンジニアリング

上面の信頼性の高いワイヤボンディングを確保し、下面のはんだスクベンジングを防ぐために、HACC331S15V160は高信頼性の薄膜メタライゼーションシステムを採用しています。

A:
超小型15 mil（0.38 mm）チップコンデンサでは、ワイヤボンディングは非常にデリケートです。熱超音波ワイヤボンディング中、金電極パッドに超音波エネルギーと機械的な力が加えられます。金層が薄い場合（例：
Q2: HACC331S15V160は、わずか15 milのフットプリントで330 pFを実現していますか？A:

超小型15 mil × 15 milサイズでこのような高容量（330 pF / 0.33 nF）を実現するために、コンデンサは超薄い誘電体厚を持つ高度な高K（高誘電率）薄膜マイクロセラミック基板を使用して製造されています。この超高容量密度により、設計エンジニアは、より大きな30 milまたは40 milのコンデンサをこの15 milチップに置き換えることができ、高速トランシーバーやマイクロ波ハイブリッド回路基板上の貴重なスペースを75%以上節約できます。
Q3: 定格電圧が16Vと低い理由は何ですか？A:超薄型高K誘電体材料を使用して容量密度（15 milパッケージで330 pF）を最大化しているため、上下の電極間の物理的な距離が最小化されています。絶対的な安全性と誘電体破壊を防ぐために、連続動作電圧は16 Vに定格されています。これは、通常3.3 Vまたは5.0 Vで動作する超小型・低電圧GaAs/GaN MMICチップ、シリコンRF IC、および光トランシーバー電源グリッドに最適化されています。