130nH 円形誘導器 バイアス 射频 窒息 22GHz

高出力RFアンプの電源供給：500mA高電流の利点

高出力RF送信機およびGaAs（ガリウムヒ素）およびGaN（窒化ガリウム）固体電力増幅器（SSPA）向けに設計された広帯域バイアステイーでは、一般的なマイクロチョークインダクタは高バイアス電流によりすぐに焼損または飽和します。

HALT20008はこの電力ボトルネックを解決します。巻線全体に均一で低DCRの0.08mm高純度銅線を使用することで、最小限の発熱で最大500mAの連続DCバイアス電流（標準40GHzチョークの電流容量の2.5倍）を安全に処理します。

200 MHzから22 GHzまで、Xバンド、Kuバンド、Kバンド全体をシームレスにカバーする、優れた130 nH ± 20%のインダクタンスと、平坦で共振のない広帯域応答を提供します。

寸法

詳細技術仕様（HALT20008）

比較：HALT20008 vs. HALT20005

マイクロアセンブリと実装のベストプラクティス
HALT20008を公称130nHインダクタンスで動作させ、高電力PCBレイアウトでの寄生干渉を防ぐために：

1.頂点（小端）の向き：コニカル頂点（小頭）をRF伝送線トレースに直接はんだ付けし、接続リードを可能な限り短く（理想的には<0.5）保ち、高周波挿入損失スパイクを防ぎます。2.エポキシアンダーフィル必須：
0.08mm線の重量が大きいため、HALT20008は組み立て時に、機械的疲労やマイクロフォニックを防ぐために、非導電性、低誘電率のRFエポキシ/接着剤でベースを固定する必要があります。3.放熱：
500mAの熱限界近くで連続運転する場合、コイルのベースに十分なエアギャップまたは非導電性サーマルパッドスペースを確保してください。FAQ

Q1: HALT20008に500mAを超える電流を断続的に流せますか？

   
   A:Q2: Vibratacは機械的スペース計画のためにステップモデル（.stp）を提供していますか？   A:はい。10MHzから22GHzまでの完全な3D STEPモデルと高周波Sパラメータシミュレーションデータ（.s2p）を提供しており、手間のかからないCAD統合とRF回路設計を保証します。

Q3: リードの変色を防ぐための保管要件は何ですか？
   A:HALT20008は標準の帯電防止ウェハーパックで出荷されます。20～25℃、40%～60% RHで保管してください。推奨される棚寿命は、標準的な保管条件下で1年間です。