รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

คอนเดสเซเตอร์ MOS ช่องลึก 1000pF 50V ชิปชั้นเดียวความหนาแน่นสูงสําหรับการทํางานแบบสม่ําเสมอ

Name: คอนเดสเซเตอร์ MOS ช่องลึก 1000pF 50V ชิปชั้นเดียวความหนาแน่นสูงสําหรับการทํางานแบบสม่ําเสมอ
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC102T50V601
Price: ต่อรองได้ USD
Availability: InStock

ชื่อแบรนด์:	Hoan
หมายเลขรุ่น:	HACC102T50V601
ขั้นต่ำ:	10 ชิ้น
เงื่อนไขการชำระเงิน:	L/C,D/A,D/P,T/T

ข้อมูลรายละเอียด

คําอธิบายสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

มณฑลส่านซีประเทศจีน

ได้รับการรับรอง:

ISO 9001:2015, RoHS

กระแสรั่วไหล:

<10 นาโนเอ @ 25°C; <500 nA @ 200°C (ที่แรงดันไฟฟ้า)

ความต้านทานของฉนวน:

≥10⁴ MΩ ที่แรงดันไฟฟ้า 25°C

ความเสถียรของอคติ DC:

CV ที่เสถียรภายใต้อคติ DC ที่ได้รับการจัดอันดับอย่างยั่งยืน การคัดกรองความเครียดอคติอุณหภูมิ (BTS) ร

ความต้านทานของตัวพาความร้อน:

SiO2 ความร้อนที่มีข้อบกพร่องต่ำจะจำกัดการเคลื่อนตัวที่เกิดจากตัวพาร้อนภายใต้อคติ DC

ความทนทานต่อ ESD:

>2 kV HBM, คลาส 2 (JESD22-A114)

อุณหภูมิในการทำงาน / การเก็บรักษา:

-55°C ถึง +200°C / -65°C ถึง +150°C

ขนาดชิป:

0.50 × 0.50 × 0.18 มม. (±25 µm); รูปทรงเรขาคณิตที่กำหนดเองได้สูงสุดถึงอัตราส่วน 4:1

เน้น:

เครื่องปรับความแรง MOS ช่องลึก 1000pF

เครื่องปรับความหนาแน่นสูง MOS 50V

ชิป MOS คอนเดสซิเตอร์ชั้นเดียว

คําอธิบายสินค้า

HACC102T50V601 ตัวเก็บประจุ MOS แบบร่องลึก — 1000 pF 50 V ชิปชั้นเดียวความหนาแน่นสูงพร้อมไดอิเล็กทริกที่เสถียรต่อแรงดันไบแอส

HACC102T50V601 เป็นตัวเก็บประจุ MOS แบบชั้นเดียว 1000 pF ±10% ที่มีพิกัด 50 V DC สร้างขึ้นบนสถาปัตยกรรมซิลิคอนแบบร่องลึก 3 มิติ ซึ่งร่องลึกที่สลักลงบนพื้นผิวซิลิคอนจะเพิ่มพื้นที่อิเล็กโทรดที่มีประสิทธิภาพภายในพื้นที่หน้าตัดของชิปเดียวกัน ตัวเก็บประจุให้ค่า 1000 pF ในชิปขนาด 0.50 มม. × 0.50 มม. สำหรับการอ้างอิง ตัวเก็บประจุ MOS แบบระนาบ 1000 pF ในซีรีส์นี้ใช้ชิปขนาด 0.75 มม. ดังนั้นการออกแบบร่องลึกจึงให้ความจุต่อพื้นที่ประมาณสองเท่าสำหรับโมดูลไฮบริดที่จำกัดพื้นที่ ตัวเก็บประจุ MOS คือตัวเก็บประจุชั้นเดียวที่สร้างขึ้นจากโครงสร้างโลหะ-ออกไซด์-สารกึ่งตัวนำ (ซิลิคอนไดออกไซด์ที่เกิดจากความร้อนบนพื้นผิวสารกึ่งตัวนำซิลิคอนนำไฟฟ้า) ซึ่งมีคุณค่าสำหรับค่า ESL ต่ำ ความจุที่เสถียร และความต้านทานฉนวนสูง

สถาปัตยกรรมร่องลึก 3 มิติเพื่อประสิทธิภาพปริมาตรสูงพิเศษ

อิเล็กโทรดแบบร่องสลักเพิ่มพื้นที่แผ่นรับประจุต่อพื้นที่หน้าตัด ทำให้ได้ 1000 pF ที่ 50 V ในขนาด 0.50 × 0.50 มม. พร้อมโปรไฟล์ 0.18 มม.;
ประสิทธิภาพพื้นที่ประมาณ 2 เท่าเมื่อเทียบกับตัวเก็บประจุ MOS แบบระนาบ 1000 pF ในซีรีส์นี้ ช่วยเพิ่มพื้นที่สำหรับชิปเพิ่มเติมในวงจรรวมไฮบริด;
การเคลือบโลหะเต็มด้านล่างช่วยรักษาการสัมผัสความร้อนสูงสุดและเส้นทางการไหลของกระแสไฟฟ้าที่มีค่าเหนี่ยวนำต่ำ แม้จะมีโครงสร้างแบบ 3 มิติ;
มีรูปแบบร่อง ขนาดชิป และอัตราส่วนภาพ (สูงสุด 4:1) ที่ปรับแต่งได้สำหรับพื้นที่หน้าตัดเฉพาะของลูกค้า

คุณสมบัติทางไฟฟ้า (ทั่วไป, 25°C เว้นแต่จะระบุไว้)

ความจุปกติ	1000 pF ±10% (1 kHz, 1.0 Vrms); มีแบบ ±5%
แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด	50 V DC
แรงดันไฟฟ้าทนต่อไดอิเล็กทริก	125 V DC (250% ของพิกัด, 5 วินาที, ทดสอบ 100%)
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ (TCC)	+35 ppm/°C ในช่วง -55°C ถึง +200°C
ปัจจัยการสูญเสีย	≤0.15% ที่ 1 kHz, 1.0 Vrms
ปัจจัย Q	>2000 ที่ 1 MHz
ESR	<0.1 Ω @ 1 GHz
ESL ของชิปภายใน	<0.05 nH (แยกออก)
กระแสรั่วไหล	<10 nA ที่ 25°C; <500 nA ที่ 200°C (ที่แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด)
ความต้านทานฉนวน	≥10⁴ MΩ ที่แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด, 25°C
ความทนทานต่อ ESD	>2 kV HBM, คลาส 2 ตามมาตรฐาน JESD22-A114
อุณหภูมิการทำงาน / การจัดเก็บ	-55°C ถึง +200°C / -65°C ถึง +150°C
ขนาดชิปมาตรฐาน	0.50 × 0.50 × 0.18 มม. (±25 µm); รูปทรงที่ปรับแต่งได้, อัตราส่วนภาพสูงสุด 4:1
การเคลือบโลหะ	TiW-Au ด้านบน (≥2.5 µm Au, เชื่อมต่อด้วยลวดได้); TiW-Pt-Au ด้านล่างสำหรับ AuSn / อีพ็อกซี่นำไฟฟ้า

การใช้งานทั่วไป

การแยกและบายพาสแรงดัน DC ขนาดกะทัดรัดในวงจรรวมไฮบริดและโมดูลหลายชิป; เครือข่ายไบแอสแอมพลิฟายเออร์กำลัง RF; ชุดประกอบไมโครเวฟที่จำกัดพื้นที่; เครือข่ายฟิลเตอร์และตั้งเวลาที่ต้องการความจุที่เสถียรต่อแรงดันไบแอส; การเก็บพลังงานความหนาแน่นสูงในวงจรพัลส์

คอนเดสเซเตอร์ MOS ช่องลึก 1000pF 50V ชิปชั้นเดียวความหนาแน่นสูงสําหรับการทํางานแบบสม่ําเสมอ

แท็ก:

ตัวเหนี่ยวนำทรงกรวย

อินดูเตอร์เบนด์กว้าง

ตัวเหนี่ยวนำแกนอากาศ

ตัวเหนี่ยวนำขดลวดอากาศ

เครื่องปรับความแรง MOS