Контроль рассеяния фононов МОП-конденсаторы 220пФ 50В однослойные чиповые для высокомощных РЧ

HACC221S50V300 Конденсатор MOS с управлением рассеянием фононов — 220 пФ, 50 В, однослойный ВЧ-чип

Обзор продукта: HACC221S50V300 представляет собой однослойный металлооксидный полупроводниковый (MOS) конденсатор с номинальной емкостью 220 пФ ±10% и рабочим напряжением постоянного тока 50 В. Он изготовлен на основе кремниевой подложки с высокой проводимостью, выращенной методом зонной плавки, с диэлектриком из термического диоксида кремния (SiO₂) толщиной 300 нм и металлизационным стеком TiW-Au. Его отличительной особенностью является управление рассеянием фононов — диэлектрик, подложка и металлические интерфейсы спроектированы таким образом, чтобы тепло, генерируемое ВЧ-потерями, эффективно отводилось, а не накапливалось в горячей точке. Это подходит для ВЧ-каскадов высокой мощности, где тепловая стабильность ограничивает производительность.

Что такое управление рассеянием фононов?

В твердом теле тепло переносится фононами, которые являются квантованными колебаниями решетки. Любая особенность, прерывающая движение фонона — границы зерен, кристаллические дефекты, шероховатые или химически смешанные интерфейсы — рассеивает его и снижает теплопроводность, поэтому тепло остается там, где оно было сгенерировано. Управление рассеянием фононов означает проектирование диэлектрических, подложечных и металлизационных интерфейсов для обеспечения эффективной транспортировки фононов: монокристаллический кремний, выращенный методом зонной плавки, имеет длинный средний свободный пробег фононов (среднее расстояние, которое фонон проходит до рассеяния), диэлектрик представляет собой плотный термический оксид с минимальной плотностью дефектов, а толстая золотая металлизация обеспечивает низкоомный тепловой путь к монтажной поверхности.

Инженерные примечания: Как построен тепловой путь

• Подложка: монокристаллический кремний, выращенный методом зонной плавки, с непрерывной решеткой и высокой теплопроводностью, поэтому тепло рассеивается от диэлектрика по большому объему.
• Диэлектрик: плотный термический SiO₂, выращенный при высокой температуре, с низкой плотностью дефектов и пустот и, следовательно, с небольшим количеством внутренних центров рассеяния.
• Интерфейсы: тонкие, полностью связанные адгезионные слои TiW избегают шероховатого, частично связанного интерфейса, который рассеивает фононы и препятствует потоку тепла.
• Металлизация: толстый верхний электрод из Au и полноразмерный нижний электрод из Au образуют широкий, низкоомный тепловой путь от диэлектрика к монтажной поверхности.
• Низкий ESR: уменьшает количество мощности сигнала, преобразуемой в тепло в первую очередь.

Ключевые характеристики (T = 25°C, если не указано иное)

Типичные области применения

• Согласование и развязка выходов ВЧ-усилителей высокой мощности
• ВЧ-модули питания, требующие стабильных параметров под нагрузкой
• Источники ВЧ-нагрева и плазменного возбуждения с твердотельным исполнением
• Фильтры, сумматоры и согласующие цепи высокой мощности
• Промышленные ВЧ-источники питания