Capacitores MOS com Anel de Proteção Escalonado em Nanoescala 1000pF 50V Camada Única Chip para Vazamento Pico-Ampere

HACC102S50V300 Capacitor MOS de Anel de Proteção Escalonado em Nanoescala — 1000pF 50V Camada Única Chip

Visão geral do produto: O HACC102S50V300 é um capacitor de metal-óxido-semicondutor (MOS) de camada única com uma capacitância nominal de 1000pF (1nF) ±10% e uma tensão de trabalho de 50V DC. Ele utiliza um dielétrico de dióxido de silício (SiO₂) térmico de 300nm em um substrato de silício float-zone com uma pilha de metalização TiW-Au. Sua característica definidora é um anel de proteção escalonado em nanoescala ao redor do eletrodo superior, que alonga o caminho de fuga superficial e confina o campo elétrico para que a corrente de fuga permaneça na faixa de pico-ampere. Ele é adequado para circuitos de RF e analógicos de precisão e alta impedância onde a fuga limita diretamente a precisão.

O que é um Anel de Proteção Escalonado em Nanoescala?

Um anel de proteção é uma estrutura condutora ou isolante colocada ao redor do eletrodo ativo para interceptar a corrente de fuga superficial e mantê-la afastada do caminho do sinal. Um anel de proteção escalonado usa vários anéis em nanoescala espaçados de perto em vez de um único anel grande. Isso aumenta o comprimento efetivo do caminho superficial e espalha o campo elétrico por várias etapas, de modo que o campo em qualquer ponto único é menor e a fuga superficial que de outra forma fluiria entre os terminais é fortemente reduzida. O resultado é uma fuga na faixa de pico-ampere, o que é importante em circuitos de alta impedância onde mesmo uma fuga de nanoampere carregaria ou deslocaria o sinal.

Notas de Projeto do Anel de Proteção

• Espalhamento de campo: cada etapa no anel escalonado reduz o campo elétrico de pico, e o campo é distribuído por uma área superficial maior.
• Caminho superficial mais longo: vários anéis espaçados de perto aumentam a distância que a corrente de fuga deve percorrer ao longo da superfície.
• Substrato de alta resistividade: silício float-zone acima de 1000 Ω·cm limita a fuga de volume entre o eletrodo superior e o substrato.
• Óxido térmico denso: o dielétrico tem baixa densidade de defeitos, portanto, a fuga de volume através do óxido permanece baixa em toda a temperatura.

Especificações Chave (T = 25°C, a menos que observado)

Aplicações Típicas

• Front-ends analógicos de precisão de alta impedância
• Estágios de sample-and-hold e integradores de carga
• Entradas de eletrometro, pico-amperímetro e medição de baixo nível
• Bloqueio DC e acoplamento de baixa fuga em interfaces de sensor
• Circuitos de RF e micro-ondas que necessitam de fuga muito baixa