szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Kondensatory MOS
Created with Pixso.

Z

Z

Nazwa marki: Hoan
Numer modelu: HACC471S50V200
MOQ: 10 sztuk
Warunki płatności: T/T, L/C, D/A, D/P
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Shaanxi, Chiny
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015, RoHS
Pojemność:
470pF ±10%
Najlepsza metalizacja:
TiW + Au, min. 2,5µm
Typ mocowania:
Mocowanie drutu / matrycy eutektycznej
Temperatura pracy:
-55°C do +125°C
RoHS:
Zgodny (UE 2015/863)
Personalizacja:
Pojemność 10pF-1000pF, geometria do 4:1, elektroda otoczona, tył pływający
Podkreślić:

Kondensator MOS 470pF do obwodów impulsowych

,

Jednowarstwowy chip kondensatora MOS 50V

,

Kondensator MOS z czasem relaksacji dielektrycznej

Opis produktu

HACC471S50V200 Optymalizowany czas rozluźnienia dielektrycznego kondensator MOS

Przegląd produktu:HACC471S50V200 to jednopoziomowy kondensator półprzewodnikowy z tlenkiem metalu (MOS) o nominalnej pojemności 470pF ± 10% i napięciu roboczym 50V DC.2Jest on zaprojektowany w oparciu o dwie właściwości:Optymalizowany czas relaksu dielektrycznego i ultraszybkie relaks polaryzacjiWykorzystuje się go w układach impulsowych i przełączalnych, gdzie zależy od obciążenia, czasu osadzania się i powtarzalności impulsu.


Jaki jest czas rozluźnienia dielektrycznego?


Po naładowaniu kondensatora materiał dielektryczny potrzebuje skończonego czasu, aby powrócić do stanu równowagi polaryzacyjnej.,Pozostałe ładowanie z poprzedniego impulsu może wpływać na następny impuls, powodując obniżenie amplitudy lub błąd czasowy w pociągu impulsu.dobrze kontrolowany czas rozluźnienia i niska absorpcja dielektryczna uruchamiają każdy impuls z stanu czystego ładowania, co poprawia powtarzalność w układach pulsowych, próbkowych i modulacyjnych.


Główne specyfikacje (T = 25°C, chyba że jest to zaznaczone)


Parametry Wartość Warunki
Pojemność 470pF ±10% 1MHz, 1,0Vrms
Narysowane napięcie prądu stałego 50 V Ciągłe
Siła dielektryczna > 125 V prądu stałego 1 minuta, 25°C
Absorpcja dielektryczna < 0,1% Typowe
Czas rozluźnienia dielektrycznego Optymalizowane (konstanta czasu krótkiego) Odzyskanie po pulsie
Własny chip ESL < 0,05nH Wyłączone z S-parametry
Wskaźnik Q przy 1MHz >2000 Typowe
TCC +35 ppm/°C -55°C do +125°C
Prąd wycieku < 10nA 50 V prądu stałego, 25°C
Elektryczne SiO cieplny2, 300nm /
Substrat Strefa pływania Si, > 1000 Ω·cm /
Wymiary chipów 00,50 × 0,50 × 0,15 mm ±0,025 mm
Metalizacja górna TiW + Au, 2,5 μm min. Włókna z przędzy
Metalizacja z tyłu TiW-Pt-Au, Au 1,0 μm min Przymocowanie
Temperatura pracy -55°C do +125°C /
RoHS Zgodne z przepisami UE 2015/863


Typowe zastosowania


  • Sieci pulsujące i pulsujące
  • Etapy szybkiego pobierania próbek i utrzymywania i detektor szczytowy
  • Modulatory impulsowe radarowe i LIDAR
  • Węzły zacisku konwertera mocy i węzły zacisku dV/dt
  • Front-endów z dużą prędkością analogiczną
  • Elektryczne urządzenia i urządzenia, z wyłączeniem tych objętych pozycją 8403


Z