szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Kondensatory MOS
Created with Pixso.

Długowieczne kondensatory MOS o wysokim prądzie, nieograniczony okres przydatności do spożycia, 15V 220 pF, jednowarstwowy kondensator chipowy RF

Długowieczne kondensatory MOS o wysokim prądzie, nieograniczony okres przydatności do spożycia, 15V 220 pF, jednowarstwowy kondensator chipowy RF

Nazwa marki: Hoan
Numer modelu: HACC221S15V500
MOQ: 10 sztuk
Warunki płatności: D/A, L/C, D/P, , T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Shanxi, Chiny
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015, RoHS
Pojemność:
220pF ±10%
Wymiary chipa:
0,50 x 0,50 x 0,15 mm
Metalizacja góry/tyłu:
TiW+Au 2,5 µm / TiW-Pt-Au 1,0 µm
Temperatura pracy:
-55°C do +125°C
Typ mocowania:
Możliwość klejenia drutem / lutowania lub mocowania matrycą epoksydową
Podkreślić:

Kondensator RF MOS 15V 220pF

,

jednowarstwowy kondensator chipowy RF

,

Kondensator MOS o wysokim prądzie

Opis produktu

Kondensator MOS o wysokim prądzie o długiej żywotności HACC221S15V500 220pF 15V Nieograniczona żywotność jednowarstwowy chip RF


HACC221S15V500 Długotrwały kondensator MOS: 220pF 15V o dużej gęstości prądu i nieograniczonej długości trwania

HACC221S15V500 jest kondensatorem MOS o jednej warstwie o temperaturze 220pF ±10% o napięciu nominalnym 15V DC, wytworzonym z krzemu w pływającej strefie o temperaturze SiO 300 nm2Wymiary chipów wynoszą 0,50 mm * 0,50 mm * 0,15 mm z górną metalizacją TiW-Au i tylną stroną TiW-Pt-Au.Wartość 220pF zapewnia trzykrotnie większą gęstość pojemności niż standardowe chipy 100pF w tym samym śladzie, umożliwiając większe przepuszczenie prądu i bardziej efektywny bypass niskiej częstotliwości w jednym komponentzie.

1Wysoka moc RF i gęstość prądu

Możliwość przenoszenia prądu RF przez kondensator obejściowy lub sprzęgowy ogranicza maksymalną moc, którą można obsłużyć w danej topologii obwodu.HACC221S15V500 jest przeznaczony do obwodów wymagających zarówno dużej pojemności, jak i dużej gęstości prądu w kompaktowej powierzchni:

  • Korzyść z przepustowości w przypadku obejścia:W konfiguracji bypazu szuntu impedancja do uziemienia przy częstotliwości f wynosi Z = 1/(2πfC) + ESR + j2πf·ESL. Kondensator 220pF zapewnia 2,2* niższą reaktancję pojemnościową niż urządzenie 100pF, na przykład 7.Ta niższa impedancja poprawia skuteczność odłączania zasilania i zmniejsza amplitudę napięcia falowego dla danego prądu RF.
  • Narysowany prąd RMS:Pojemność prądu jest ograniczona przez ogrzewanie I2R w oporze efektywnym w serii.JCW praktyce, prąd złączający przewód łąkowy (0,6 W) jest równy prądowi RMS o √ ((0,67/0,1).8A prądu stałego dla pojedynczego drutu Au 25μm) staje się czynnikiem ograniczającymZ dwoma równoległymi przewodami łącznymi obsługiwane są ciągłe prądy RF do 1,5 A RMS, odpowiednie do sprzężenia i obejścia w fazach wzmacniacza mocy 10-50 W.
  • Porównanie gęstości prądu:Wartość 220pF w 0,50 mm * 0,50 mm daje gęstość pojemności 880pF / mm2 (220pF / 0,25 mm2).zużywając około 0.55mm2 wraz z odstępem pomiędzy elementami.
  • Niska ESR w prądzie stałym i częstotliwości radiowej:Metalizacja złota i wysokoprzewodzący substrat krzemu utrzymują ESR poniżej 0,1Ω w 1 GHz, a rezystancja serii prądu stałego poniżej 0,05Ω. Niski ESR zapewnia, że nawet przy prądach RF o wieloma amperamispadek napięcia I2R przez kondensator jest nieistotny w porównaniu z napięciem zasilającym.

2Nieograniczona żywotność i zerowa degradacja magazynowania

Okres trwałości komponentów jest problemem logistycznym dla producentów prowadzących zapisy komponentów krytycznych dla produktów o długim cyklu życia.Wiele typów kondensatorów ma określone ograniczenia czasu trwania ze względu na mechanizmy starzenia się materiałuHACC221S15V500 nie ma takich ograniczeń:

  • Brak starzenia dielektrycznego:Kondensatory ceramiczne klasy II (X7R, X5R) wykazują logarytmiczne zmniejszenie pojemności w czasie z powodu rozluźnienia domeny ferroelektrycznej - zjawiska znanego jako starzenie się.Typowy kondensator X7R może stracić 3-5% swojej pojemności na dziesięć godzin po ostatniej obróbce cieplnej powyżej temperatury Curie (~ 125 °C)Oznacza to, że kondensator mierzony w temperaturze 100 nF bezpośrednio po lutowaniu może odczytywać 95 nF po 1000 godzinach, 90 nF po 100.000 godzinach i 85 nF po 10 milionach godzin (~ 1 roku).2dielektryczny w HACC221S15V500 nie ma domen ferroelektrycznych, a zatem wykazuje zerowe starzenie się ∆zdolność mierzona w dowolnym momencie po produkcji jest stabilna w zakresie powtarzalności pomiarów (± 00,1%).
  • Brak absorpcji wilgoci:Niektóre kondensatory dielektryczne (papier, folia polimerowa, porowate ceramiki) stopniowo wchłaniają wilgoć atmosferyczną podczas przechowywania, zmieniając pojemność w górę i zwiększając współczynnik rozpraszania.2jest w pełni gęstym, amorficznym szkłem o zerowej porowatości i zerowym wchłanianiu wilgoci, dzięki czemu wartość pojemności jest odporna na wilgotność otoczenia podczas przechowywania.
  • Brak pogorszenia łatwości spawania:Metalizacja złota nie utlenia się, nie zabarwia ani nie tworzy niewilgotnej warstwy powierzchniowej w praktycznych warunkach przechowywania.W przeciwieństwie do wykończeń pokrytych cyną lub srebrem, które wymagają badania spawalności po przedłużonym przechowywaniu, powierzchnie złota pozostają sprzedawalne na czas nieokreślony, gdy są przechowywane w czystym środowisku.nie do zachowania łatwości spawania.
  • Brak wzrostu międzymetalowego w temperaturze pokojowej:W niektórych systemach metalizacji (np. złoto na aluminium, cyna na miedzi) związki międzymetaliczne rosną powoli nawet w temperaturze pokojowej, ostatecznie zużywając warstwę spawalną.Systemy TiW-Au i TiW-Pt-Au są termodynamicznie stabilne. Bariera TiW uniemożliwia interdifuzję krzemowo-złotego, a warstwa Pt uniemożliwia międzydifuzję złota i srebra z epoksydu.
  • Praktyczne konsekwencje:HACC221S15V500 może być nabywany w jednym zamówieniu w dużej ilości i przechowywany na czas nieokreślony bez ponownej kwalifikacji, okresowych badań lub dostosowywania stawek.W przypadku programów z okresem produkcji 10-20 lat, eliminuje to konieczność wielokrotnych małych zamówień z związanymi z nimi kosztami różnych partii i rekwalifikacji.

3Ultra wysoka częstotliwość samo-rezonansowa.

Pomimo wyższej wartości pojemności (220 pF w porównaniu z 100 pF w standardowym HACC101), HACC221S15V500 utrzymuje wysoką częstotliwość samo-rezonansową dzięki tej samej konstrukcji jednopoziomowej o niskiej indukcji.Z wewnętrznym chipem ESL poniżej 0.05nH, SRF na poziomie chipu wynosi około 1/(2π√(0.05*10−9 * 220*10−12)) ≈ 1.5GHz. W praktycznym zespole z drutem łącza o długości 0,5 mm (~0.4nH w sumie), SRF systemu wynosi około 1/(2π√(0.4*10−9*220*10−12)) ≈ 540MHz żadnie odpowiednie do zastosowań obejścia przez UHF i w niższych częstotliwościach pasma LJeżeli wymagana jest większa SRF, stosuje się te same techniki wiązania równoległego z drutem opisane dla wariantu 100pF, przy czym około √(220/100) ≈ 1.48* niższy SRF przy każdej indukcji ze względu na większą pojemność.

Kluczowe cechy

  • Wysoka moc RF i gęstość prądu:220pF w 0,50mm odcisku daje gęstość 880pF / mm2. Wspiera prąd RF 1,5A RMS z podwójnymi równoległymi przewodami wiązania. ESR poniżej 0,1Ω w 1GHz minimalizuje straty I2R w zastosowaniach obejścia wzmacniacza mocy.
  • Nieograniczona żywotność i zerowe starzenie się:Amorficzny SiO2Złote metalizacja jest odporna na utlenianie bez degradacji spawalności.
  • Ultrawysoki SRF:SRF na poziomie chipa powyżej 1,5 GHz dla 220pF. SRF systemowy powyżej 540MHz z pojedynczym drutem wiązania, skalowalny z wiązaniem równoległym.
  • Nie ma potrzeby przeprowadzenia kwalifikacji:Stabilne parametry elektryczne umożliwiają jednorazowe duże zamówienia dla programów wieloletnich bez okresowych testów partii lub korekty ratingowej.
  • Test na poziomie płytki 100%:Każdy kondensator badał pojemność, wycieki i uszkodzenia przed rozbiciem.

Specyfikacje elektryczne (T = 25°C, chyba że jest to zaznaczone)

Parametry Wartość Warunki
Pojemność 220pF ±10% 1MHz, 1,0Vrms
Dostępne tolerancje ±10% (K), ±5% (J) /
Narysowane napięcie prądu stałego 15 V Ciągłe
Siła dielektryczna > 75 V prądu stałego 1 minuta, 25°C
Własny chip ESL < 0,05nH Zdejmowane z układu
SRF na poziomie chipów > 1,5 GHz 220pF, bez przewodu wiązania
System SRF (0,5 mm drutu wiązanego) > 540 MHz Jednorazowy przewód Au o długości 25 μm
Wskaźnik Q @ 1MHz / @ 1GHz > 2000 / > 250 Typowe
ESR @ 1GHz <0,1Ω Typowe
Wyciek @ 25°C / @ 125°C < 10nA / < 100nA 15 V prądu stałego
TCC +35 ppm/°C -55°C do +125°C
Wskaźnik starzenia się dielektrycznego 0% za dziesięciogodzinę Amorficzny SiO2, bez domen ferroelektrycznych
Czas przechowywania (25°C, 50% RH) Nieograniczona Brak mechanizmu degradacji
Maksymalny prąd RMS (2 przewody wiązania) 1.5A ΔTJ< 20°C, θJC< 30 K/W
Gęstość pojemności 880 pF/mm2 220 pF w 0,25 mm2
Elektryczne SiO cieplny2, 300nm /
Substrat Strefa pływania Si > 1000Ω·cm /
Wymiary chipów 00,50 * 0,50 * 0,15 mm ±0,025 mm
Metalizacja górna / tylna Wymagania w odniesieniu do zastosowań w odniesieniu do tych urządzeń: /
Temperatura pracy / magazynowania -55 do +125°C / -65 do +150°C /
RoHS Zgodny (UE 2015/863) /

Przechowywanie i zarządzanie zapasami

Aspekt HACC221S15V500 X7R MLCC (typowy)
Starzenie się pojemności 0% za dziesięciogodzinę 3-5% na dziesięć godzin
Wrażliwość na wilgoć MSL 1, nieograniczona żywotność podłogi MSL 2-3, trwałość na podłodze 1 tydzień-168 godzin
Długość trwania Nieograniczona (powierzchnia Au) 12-24 miesiące (wykończenie Snn lub SnPb)
Rekwalifikacja po przechowywaniu Nie wymagane Zalecane po 2+ latach
Zalecane przechowywanie Pojemniki zabezpieczone przed ESD, otoczenie Wymagany wskaźnik wilgotności

Typowe zastosowania

  • Odłączenie zasilacza wzmacniacza mocy RF, gdy wymagana jest duża pojemność i wysoki przepływ prądu w jednym kompaktowym komponentzie
  • Sprzęt przemysłowy i infrastrukturalny o długim cyklu życia, w którym koszty rekwalifikacji komponentów muszą być zminimalizowane w okresie produkcji 10-20 lat
  • Programy o wysokiej niezawodności, w których jednolite duże zamówienia o spójnych charakterystykach partii są preferowane wobec wielu małych zakupów
  • Blokowanie prądu stałego w szerokopasmowych łańcuchach sygnałów RF, w których wyższa wartość 220pF zapewnia niższą reaktancję na niskim końcu pasma częstotliwości
  • Aplikacje o krytycznym stanie zapasów, w których warunki przechowywania nie mogą być ściśle kontrolowane, a degradacja komponentów podczas przechowywania na półce jest niedopuszczalna

Informacje o zamówieniu

Standardowy produkt wysyłany jest w formie chipów o wymiarach 0,50 mm * 0,50 mm w antystatycznych opakowaniach gofrów z podciśnieniem zamkniętym workiem bariery wilgoci.Nie są wymagane specjalne warunki przechowywania ̇ klasyfikacja MSL 1 pozwala na nieograniczoną żywotność podłogi w standardowych warunkach warunków fabrycznych (≤30°C)W przypadku programów planujących pojedyncze duże zamówienia, skontaktuj się z nami, aby omówić rezerwację partii i rozszerzone harmonogramy dostawy, aby dostosować je do ramy produkcji.

Skontaktuj się z nami, aby uzyskać aktualne dane dotyczące obniżenia gęstości, listy certyfikujące okres przydatności dla systemu jakości lub ceny wielkościowe dla wieloletnich umów zamówień publicznych.