szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Induktor stożkowy
Created with Pixso.

Induktory stożkowe rdzenia powietrza 1000nH 25MHz do 40GHz Ultra szerokopasmowa cewka RF

Induktory stożkowe rdzenia powietrza 1000nH 25MHz do 40GHz Ultra szerokopasmowa cewka RF

Nazwa marki: Hoan
Numer modelu: HALT50005
MOQ: 10 sztuk
Warunki płatności: L/C, D/A, D/P, T/T,
Możliwość zaopatrzenia: 50000 sztuk miesięcznie
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015
Nazwa:
Induktor stożkowy
Indukcyjność nominalna:
1000 nH (1,0 µH) ±20% (@10 MHz, 0,1 Vrms, 25°C)
Częstotliwość samorezonansowa (SRF):
> 40,0 GHz (płaska, wolna od rezonansu krzywa)
Znamionowe pasmo częstotliwości:
0,025–40,0 GHz
Zakres temperatur pracy:
-55°C do +125°C
Temperatura przechowywania i wilgotność względna:
20-25°C, 40%-60% wilgotności względnej
Dane parametrów S:
Dostępny kamień probierczy 10 MHz-40 GHz .s2p
Możliwość Supply:
50000 sztuk miesięcznie
Podkreślić:

Induktory stożkowe rdzenia powietrza 1000nH

,

Stożkowa cewka RF 25MHz

,

Ultra szerokopasmowy stożkowy induktor 40 GHz

Opis produktu

HALT50005 Ultra-Szerokopasmowy Cewka Stożkowa | 1000nH (1,0 µH) ±20% Mikro-drut Bias Tee RF Choke (25MHz - 40GHz)


Wewnątrz nadajnika-odbiornika optycznego: Dlaczego dławik biasowy definiuje wydajność kanału

Dławik biasowy w nadajniku-odbiorniku 400G QSFP-DD zajmuje około 4 mm² powierzchni PCB. W tej przestrzeni musi wstrzykiwać prąd biasu DC do ścieżki sygnału 53 GBd PAM4, nie wprowadzając tętnień amplitudy, które zamknęłyby diagram oka. Komponent, który wykonuje ciężką pracę — dławik indukcyjny — znajduje się bezpośrednio w pętli prądu sygnału. Jego pojemność pasożytnicza obciąża linię transmisyjną. Jego własna częstotliwość rezonansowa tworzy wcięcie S21. Jego współczynnik temperaturowy przesuwa punkt biasu. Każda niedoskonałość w tym jednym komponencie przekłada się na deterministyczne drgania odbiornika.

HALT50005 został zaprojektowany od podstaw z myślą o tym środowisku. Jego nominalna indukcyjność 1,0 µH, uzyskana dzięki precyzyjnemu nawinięciu stożkowemu drutem o średnicy 0,05 mm, zapewnia wystarczającą reaktancję niskoczęstotliwościową do blokowania sygnałów od 25 MHz — obejmując tony kanałów nadzorczych i telemetrię o niskiej przepustowości, które przemieszczają się po linii biasu w nowoczesnych optycznych modułach pluggable. Ciągłe obciążenie prądowe 250 mA mieści wymagania biasu sterownika lasera zarówno dla typów nadajników EML, jak i DML, w tym wyższe prądy biasu pobierane przez modulatory Macha-Zehndera w fotonice krzemowej. A SRF >40 GHz zapewnia, że dławik pozostaje rzeczywiście indukcyjny — a nie pojemnościowy — w całym paśmie modulacji obecnych i przyszłych standardów optycznych.

Precyzyjne nawijanie w skali 50 mikronów

Produkcja cewki stożkowej o indukcyjności 1,0 µH z drutu o średnicy 0,05 mm wymaga precyzji produkcji, która przewyższa konwencjonalne możliwości nawijania cewek. W tej skali przewodnika, napięcie nawijania, rozmieszczenie zwojów i formowanie wyprowadzeń są sterowane przez siły powierzchniowe i elastyczność materiału, a nie przez masowe właściwości mechaniczne. Linia produkcyjna Hoan’s radzi sobie z tymi wyzwaniami dzięki optycznie sterowanym systemom nawijania z zamkniętą pętlą i 100% zautomatyzowanej inspekcji optycznej:

  • Dokładność stożka: Profil średnicy zwoju w zależności od pozycji musi być zgodny z projektowanym stożkiem w granicach ±5% na całej długości nawijania 3,0 mm. Odchylenia profilu tworzą wąskopasmowe anomalie pojemnościowe, które generują tętnienia S21.
  • Regularność odstępów między zwojami: Sąsiednie zwoje muszą utrzymywać równomierną przerwę. Nieregularne rozmieszczenie koncentruje pojemność pasożytniczą w dyskretnych pozycjach, generując niezamierzone tryby rezonansowe w znamionowym paśmie pracy.
  • Wyrównanie wyprowadzeń: Zarówno wyprowadzenia latające na wierzchołku, jak i u podstawy są weryfikowane pod kątem wyjścia wzdłuż osi stożka. Wyprowadzenia poza osią zmniejszają przepustowość zautomatyzowanego spawania klinowego i wprowadzają sprzężenie pasożytnicze zależne od orientacji.
  • Jakość powierzchni izolacji: Powłoka emaliowana z poliamidu jest sprawdzana pod powiększeniem 100x pod kątem cienkich miejsc, śladów ścierania i dziurek. Niewykryte wady izolacji stają się ukrytymi zwarciami między zwojami po długotrwałym cyklu termicznym w terenie.

Statystyczna kontrola procesu na poziomie partii jest utrzymywana z wartościami CpK przekraczającymi 1,67 dla wszystkich krytycznych wymiarów. Każda partia produkcyjna przechodzi próbne testy akceptacyjne VNA na scharakteryzowanej przystawce mikropaskowej w celu weryfikacji zgodności SRF, strat wtrąceniowych i izolacji.

Potwierdzona wydajność w całym spektrum dławików biasowych

Pasmo testoweS21 (Ścieżka przepustowa)S12 (Tłumienie RF-DC)Istotność zastosowania
10–500 MHz<0,15 dBNiezwykle wysoka reaktancja indukcyjnaSkuteczne blokowanie szumów zasilania i niskoczęstotliwościowych zakłóceń; znikome tłumienie linii głównej
10 MHz–20 GHzPłaskie; brak cech rezonansowych>1,8 kΩ (>65 dB względem 50 Ω)Główne pasmo znamionowe; kwalifikowane dla dławików biasowych nadajników-odbiorników telekomunikacyjnych
10 MHz–40 GHzPłaskie; powyżej 25 GHz ograniczone przez szum przystawkiIzolacja utrzymana do limitu instrumentuPotwierdzona zdolność mmWave; układ padów PCB dominuje nad pozostałymi pasożytami powyżej 30 GHz

Odnośnik specyfikacji

ParametrGwarantowana wartośćWarunki / Uwagi
ModelHALT50005—
KonstrukcjaRdzeń powietrzny stożkowy; podwójne wyprowadzenia latające—
Indukcyjność1000 nH (1,0 µH) ±20%10 MHz, 0,1 Vrms, 25°C
SRFPowyżej 40,0 GHzPłaski profil impedancji
Zakres znamionowy0,025–40,0 GHzSerwis dławików biasowych i odsprzęgania
Zakres testowy0,01–40,0 GHzPrzystawka skalibrowana TRL
Prąd stały250 mA ciągłyΔT ≤ 15°C
Niestandardowy kaliber0,08 mm (zamówienie specjalne)Niższe DCR; kompromis z górnym pasmem
Drut50 µm OFC, płaszcz poliamidowyZakończenia platerowane Au/Sn
Długość3,0 mmOś nawijania
Temperatura-55°C do +125°CCiągłe znamionowe
Przechowywanie20–25°C, 40–60% RHPomieszczenie czyste; 12 miesięcy przechowywania
MontażLut + kropka epoksydowaSAC305/AuSn/PbSn; ≤2s @ 280–320°C
Dane symulacyjne.s2p (10 MHz–40 GHz, 201 pkt)TRL-de-embedded; gotowe do ADS/HFSS/AWR

Sekwencja montażu modułu optoelektronicznego

  1. Połączenie wierzchołka: Wąski koniec do mikropaska 50 Ω. Cewka prostopadła do płytki. Błąd kątowy powoduje asymetrię S11 powyżej 30 GHz.
  2. Kontrola długości wyprowadzenia: Wyprowadzenie latające wierzchołka między spoiną lutowniczą a pierwszym zwojem ≤0,3 mm. Każde dodatkowe 0,5 mm wnosi ~0,3 nH indukcyjności szeregowej, pogarszając stratę powrotu o wysokiej częstotliwości.
  3. Podstawa do zasilania DC: Szeroki koniec stożka do padu biasu. Umieść kondensatory odsprzęgające 100 pF || 10 nF w odległości 1 mm.
  4. Stabilizacja epoksydowa: Pojedyncza mikrokropka (≤0,3 mm) Epotek H70E po stronie nawijania. W przypadku hermetycznych opakowań optycznych, Epotek H70E spełnia wymagania ASTM E595 dotyczące niskiej emisji gazów.
  5. Czas przebywania w lutowiu: 280–320°C na końcówce, maksymalnie 2 sekundy. Drut 50 µm osiąga równowagę termiczną w milisekundach.

Scenariusze wdrożenia

  • Bias DC sterownika lasera EML/DML w modułach TOSA 100G/400G/800G
  • Bias zasilania TIA w modułach ROSA
  • Dławiki biasowe fotoniki krzemowej MZM w podzespołach nadajników koherentnych
  • Odwrócony bias fotodiody falowodowej dużej prędkości w odbiornikach koherentnych
  • Kanał drenażowy wzmacniacza mocy GaN-on-SiC SSPA w nadajnikach radarowych pasma X/Ku/Ka
  • Dystrybucja DC elementu anteny fazowanej 5G NR FR2

FAQ

P: Czym HALT50005 różni się od innych wariantów cewek stożkowych 1000 nH?
O: Wszystkie cewki serii HALT50005 mają identyczną specyfikację rdzenia: 1000 nH, drut 0,05 mm, 25 MHz–40 GHz, 250 mA. Wariant HALT50005 jest specjalnie udokumentowany dla zastosowań dławików biasowych optoelektronicznych, z wytycznymi montażu dla integracji modułów nadajników-odbiorników, specyfikacjami emisji gazów dla opakowań hermetycznych i notami aplikacyjnymi do projektowania sieci biasu sterowników laserowych i TIA.

P: Nasz TOSA oparty na EML pobiera 230 mA biasu lasera. Czy znamionowa wartość 250 mA zapewnia odpowiedni margines produkcyjny?
O: Przy 230 mA, rozpraszanie mocy przewodnika wynosi około 106 mW (na podstawie typowego DCR 2,0 Ω). Wynikowe ΔT wynosi około 14°C — w granicach limitu 15°C. Margines 20 mA zapewnia zapas na zmienność DCR między jednostkami i podwyższone warunki otoczenia w obudowie modułu. Nie jest wymagane obniżenie parametrów przy tym punkcie pracy.