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Induttori a banda larga
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160nH 500mA Induttori a banda larga Induttori a banda larga a corrente continua robusta 100MHz - 22GHz

160nH 500mA Induttori a banda larga Induttori a banda larga a corrente continua robusta 100MHz - 22GHz

Marchio: Hoan
Numero di modello: HALT25008
MOQ: 10 pezzi
Termini di pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union
Capacità di fornitura: 50000 pezzi al mese
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Cina
Certificazione:
ISO 9001:2015
Induttanza nominale:
160 nH ±20% (@10 MHz, 0,1 Vrms, 25°C)
Corrente continua massima:
500 mA (ΔT ≤15°C aumento di temperatura)
Frequenza di autorisonanza (SRF):
>22,0 GHz (curva piatta, priva di risonanza)
Metodo di assemblaggio:
Saldatura a piombo volante + fissaggio a punti epossidici
Dati dei parametri S:
Disponibile file Touchstone .s2p da 10 MHz a 22 GHz
Capacità di alimentazione:
50000 pezzi al mese
Evidenziare:

Induttori a banda larga 160nH 500mA

,

Induttori conici a banda larga a corrente continua robusti

,

Induttori a banda larga da 22 GHz

Descrizione di prodotto

Perché il design del bias tee inizia con l'induttore

Chiedete a qualsiasi ingegnere di sistemi a microonde di nominare il componente che più spesso limita la larghezza di banda del loro bias tee e la risposta è quasi sempre la stessa: l'induttore di soffocamento DC. Il resto del circuito — un condensatore di accoppiamento, un condensatore di blocco DC, forse una resistenza per la terminazione a bassa frequenza — raramente presenta vincoli di larghezza di banda. Il soffocamento è il collo di bottiglia.

Ecco il problema fondamentale: un induttore di bias tee deve apparire come un circuito aperto alla RF dalla frequenza operativa più bassa alla più alta, mentre contemporaneamente conduce corrente DC al dispositivo attivo. Nei sistemi a banda stretta, un soffocamento basato su risonatore ad alto Q funziona. Nei sistemi a banda larga che coprono più ottave, l'approccio collassa — lo stesso elemento reattivo che fornisce 1 kΩ di impedenza a 500 MHz risuonerà inevitabilmente in banda, producendo un nullo di trasmissione catastrofico.

Il HALT25008 aggira questa barriera fisica. Invece di tentare di sopprimere la capacità parassita in un avvolgimento uniforme — una battaglia persa sopra diversi GHz — questo componente sfrutta la natura distribuita di una struttura conica. La capacità parassita esiste, ma è distribuita continuamente lungo il cono piuttosto che concentrata a una frequenza di risonanza discreta. Il risultato è un soffocamento di bias tee che mantiene un isolamento RF-DC superiore a 1,2 kΩ sull'intera banda da 100 MHz a 22,0 GHz, senza che alcun picco di risonanza disturbi la caratteristica di trasmissione S21.

Cinquecento milliampere attraverso un filo da 80 micron: la storia dell'ingegneria termica

Far passare mezzo ampere attraverso un conduttore più sottile di un capello umano sembrerebbe invitare al guasto termico. Eppure, l'HALT25008 gestisce questo regolarmente. La spiegazione coinvolge quattro scelte di progettazione interagenti:

  1. La purezza del conduttore conta su questa scala. Il filo di avvolgimento da 0,08 mm è tratto da rame di grado elettronico privo di ossigeno (OFHC, 99,99% Cu). A 25°C, la resistenza DC misura circa 1,8 Ω. Le perdite I²R a 500 mA ammontano a circa 450 mW — gestibili in una struttura a nucleo d'aria da 3 mm con convezione naturale.
  2. Il feedback positivo del TCR è controllato tramite margine termico. La resistività del rame aumenta del +0,39% per grado Celsius. Se la temperatura dell'avvolgimento aumenta, la DCR aumenta e la dissipazione cresce — un ciclo di feedback positivo. L'HALT25008 evita questa spirale limitando il ΔT nominale a 15°C sopra l'ambiente. Anche a un ambiente di +125°C, la giunzione rimane entro limiti di sicurezza per il sistema di isolamento in poliimmide (nominale 200°C continuo). Non esiste un percorso di fuga termica all'interno dell'inviluppo specificato.
  3. Nessun nucleo magnetico significa nessuna fonte di calore nascosta. I soffocamenti in ferrite perdono energia attraverso isteresi e correnti parassite, convertendo la potenza RF in calore del nucleo che aggrava la perdita I²R DC. L'HALT25008 a nucleo d'aria ha zero perdite nel nucleo. Ogni milliwatt di dissipazione proviene esclusivamente da una resistenza del rame prevedibile e calcolabile.
  4. La geometria ad aria aperta fornisce raffreddamento passivo. A differenza degli induttori incapsulati o sigillati che intrappolano il calore internamente, l'avvolgimento conico esposto irradia e convoglia liberamente. Uno spazio d'aria di 0,5 mm attorno al corpo della bobina è tutto ciò che è necessario per sostenere i 500 mA nominali ad ambienti elevati.

Robustezza ambientale: dal freddo al dispiegamento nel deserto

L'hardware RF dispiegato sul campo incontra estremi di temperatura che i banchi di laboratorio non incontrano mai. Un bias tee su un array radar aerotrasportato potrebbe avviarsi a freddo a -55°C in quota e, minuti dopo, raggiungere +85°C a causa dell'auto-riscaldamento e del carico solare una volta che il vano avionica si riscalda. Gli induttori di grado commerciale falliscono sotto queste oscillazioni — i nuclei in ferrite si crepano per disadattamento CTE, le giunzioni di saldatura si affaticano e l'isolamento smaltato si infragilisce.

L'HALT25008 è rinforzato contro tutti questi meccanismi:

  • Nessun disadattamento CTE: C'è un solo materiale strutturale nell'avvolgimento — il rame. Non c'è interfaccia ferrite-rame, nessun substrato ceramico, nessun incapsulante epossidico che riempie la bobina. L'espansione termica è uniforme e priva di stress.
  • Sistema di isolamento in poliimmide: A differenza degli smalti per fili in poliestere o poliuretano convenzionali che si ammorbidiscono sopra i 130°C, il rivestimento in poliimmide dell'avvolgimento HALT25008 mantiene la piena resistenza dielettrica da -55°C a +125°C in continuo, con capacità di escursione breve fino a +200°C.
  • Sopravvivenza alle vibrazioni: Un singolo punto di epossidico RF a bassa degassificazione fissa il corpo dell'avvolgimento al substrato, eliminando la modulazione microfonica che altrimenti introdurrebbe rumore AM/PM. La bassa massa della struttura a nucleo d'aria (< 5 mg) significa che anche sotto i profili di vibrazione MIL-STD-202 Metodo 204, la risonanza meccanica si verifica ben al di sopra dello spettro di eccitazione.
  • Integrità della finitura dei terminali: La placcatura oro su stagno sui terminali in rame previene l'ossidazione durante lo stoccaggio e garantisce una bagnabilità costante durante la saldatura, anche dopo 12 mesi in un pacco waffle per camera bianca.

Prestazioni misurate sull'intero intervallo operativo del bias tee

Ogni HALT25008 è caratterizzato in una topologia di bias tee rappresentativa: terminale apicale saldato a una microstriscia passante da 50 Ω, terminale di base collegato a un pad di alimentazione DC con capacità di bypass a banda larga e l'intera rete a due porte misurata su un VNA calibrato con de-embedding TRL che fa riferimento alle giunzioni di saldatura:

Finestra di frequenza Metrica chiave Risultato misurato Cosa significa per il tuo bias tee
10 – 500 MHz Perdita di inserzione S21 < 0,12 dB Attenuazione trascurabile nel percorso di transito nella banda di transizione in cui l'impedenza del soffocamento è ancora in crescita
100 MHz – 22 GHz Isolamento RF-DC S12 > 1,2 kΩ (> 61 dB di isolamento su 50 Ω) Reiezione sufficiente per prevenire perdite RF nell'alimentazione DC sull'intera larghezza di banda nominale
100 MHz – 22 GHz Perdita di ritorno S11 > 15 dB (tipico) Il soffocamento non degrada materialmente l'adattamento della linea di trasmissione se orientato correttamente
22 GHz (SRF) Comportamento di auto-risonanza Nessuna risonanza discreta osservata; smorzamento liscio dell'impedenza A differenza dei soffocamenti solenoidali che presentano un picco netto a SRF, la geometria conica mostra una transizione graduale
22 – 40 GHz Isolamento S12 (riferimento) Degradazione graduale dominata dalle parassite del dispositivo L'isolamento utilizzabile persiste ma si raccomanda la simulazione EM del layout completo del PCB sopra i 25 GHz

Riferimento specifica

Parametro Valore specificato Condizioni / Note
Modello HALT25008
Topologia Conica rastremata a nucleo d'aria Doppi terminali volanti, apice verso RF / base verso DC
Induttanza 160 nH ±20% 10 MHz, 0,1 Vrms, 25°C
SRF > 22,0 GHz Profilo di impedenza senza risonanza
Intervallo di frequenza nominale 0,1 – 22,0 GHz Specificato per applicazioni di bias tee e disaccoppiamento
Intervallo di frequenza esteso 0,01 – 40,0 GHz Dati di riferimento compensati per dispositivo
Corrente DC (continua) 500 mA ΔT ≤ 15°C
Conduttore di avvolgimento OFC, 0,08 mm Ø Isolato in poliimmide; terminali placcati Au/Sn
Lunghezza fisica 3,0 mm Solo sezione conica avvolta
Intervallo di temperatura -55°C a +125°C Funzionamento continuo qualificato
Stoccaggio 20–25°C, 40–60% RH Pacco waffle antistatico; 1 anno di conservazione
Montaggio Saldatura dei terminali + punto epossidico Compatibile SAC305/AuSn/PbSn
Dati di progettazione File Touchstone .s2p 10 MHz – 22 GHz, de-embedded dal dispositivo

Scelta tra HALT25008 e HALT20015 per l'uso in bias tee

Entrambi sono induttori conici da 160 nH di Hoan, ma risolvono requisiti di bias tee fondamentalmente diversi:

Fattore di decisione HALT25008 (Filo sottile) HALT20015 (Filo spesso) Logica di selezione
Filo Ø 0,08 mm 0,15 mm Filo sottile = minore capacità = maggiore larghezza di banda
Budget corrente DC 500 mA 800 mA Se il tuo dispositivo attivo assorbe >500 mA, scegli HALT20015
Angolo di bassa frequenza 100 MHz 200 MHz Per IF/banda base che si estende sotto i 200 MHz, è richiesto HALT25008
Angolo di alta frequenza 22,0 GHz 20,0 GHz 2 GHz aggiuntivi di larghezza di banda di isolamento per sistemi K-band
Capacità dominante Inferiore Standard S21 più piatto = HALT25008; Corrente più alta = HALT20015

Assemblaggio per un funzionamento affidabile del bias tee

Un induttore conico non è un sostituto diretto di un induttore a chip. La tecnica di assemblaggio determina direttamente la larghezza di banda realizzata:

  1. Connessione terminale apicale: La punta stretta del cono è la porta ad alta frequenza. Saldare questo terminale direttamente alla traccia microstriscia da 50 Ω con la bobina in posizione perpendicolare alla superficie del circuito stampato. L'orientamento perpendicolare minimizza l'accoppiamento magnetico parassita alle tracce adiacenti e alle correnti parassite del piano di massa.
  2. Disciplina di taglio dei terminali: Il terminale apicale tra il filetto di saldatura e il primo giro di avvolgimento non deve superare 0,5 mm. Questa non è una linea guida arbitraria — ogni 0,5 mm di terminale in eccesso contribuisce con circa 0,3 nH di induttanza in serie, che da sola può portare la SRF apparente al di sotto dei 20 GHz. Utilizzare taglierini di precisione sotto un microscopio stereo per risultati coerenti.
  3. Base verso DC: Il terminale largo si collega al pad di ingresso del bias DC. Una rete di condensatori di bypass a banda larga (tipicamente 100 pF || 10 nF || 1 µF) dovrebbe essere posizionata entro 1 mm da questo pad per evitare che la RF risalga la linea di alimentazione DC.
  4. Applicazione epossidica: Dopo che entrambe le giunzioni di saldatura sono state ispezionate, applicare un singolo micro-punto (diametro circa 0,3 mm) di Epotek H70E o H65 sul lato dell'avvolgimento conico dove entra in contatto con il substrato. L'epossidico non è strutturale per la corrente DC — il suo ruolo è quello di arrestare le vibrazioni meccaniche su scala micron dei giri dell'avvolgimento che generano rumore di fase attraverso la modulazione dell'induttanza.
  5. Profilo termico di saldatura: Temperatura della punta 280–320°C. Mantenere il tempo di permanenza sotto i 3 secondi per giunzione. In caso di rilavorazione, lasciare raffreddare completamente la bobina prima di riapplicare il calore. Cicli di riscaldamento successivi possono ricuocere il rame da 0,08 mm, ammorbidendolo e potenzialmente alterando la geometria dell'avvolgimento.

Applicazioni comprovate sul campo

  • Reti di iniezione di bias DC in moduli transceiver ottici 100G/400G/800G (bias driver laser TOSA, alimentazione TIA ROSA)
  • Alimentazione di drain per amplificatori di potenza GaN-on-SiC HEMT da banda X a banda K nei trasmettitori radar
  • Instradamento del bias per switch a diodi PIN nei front-end di ricevitori di guerra elettronica a banda larga
  • Distribuzione del bias degli elementi dell'antenna a scansione elettronica attiva (AESA)
  • Bias tee estensori di frequenza VNA a onde millimetriche per la caratterizzazione di dispositivi su wafer
  • Iniezione di bias per amplificatori a basso rumore criogenici (qualificato per funzionamento da avviamento a freddo a -55°C)

Domande frequenti da parte dei progettisti di bias tee

D: Se simulo il mio bias tee in ADS utilizzando il file .s2p e sembra perfetto, dovrei comunque prototipare prima di impegnarmi nella produzione?
R: I dati .s2p catturano il comportamento dell'HALT25008 su un dispositivo microstriscia caratterizzato. Non modella il tuo specifico stack-up del PCB, la geometria del pad, la spaziatura del piano di massa o l'accoppiamento delle tracce adiacenti. Sotto i 18 GHz, la correlazione tra la simulazione basata su .s2p e l'hardware misurato è tipicamente eccellente (< 1 dB di deviazione S21). Sopra i 20 GHz, le parassite del layout del tuo PCB dominano, e raccomandiamo vivamente di costruire un breve coupon di prova con il tuo esatto materiale dielettrico e stack-up. Hoan può rivedere il tuo layout e fornire feedback specifici per l'applicazione.

D: Il nostro sistema richiede il funzionamento a 85°C ambient con l'HALT25008 che passa 450 mA. È nella zona sicura?
R: Sì. A 450 mA, la dissipazione I²R è di circa 365 mW. Con un ΔT di circa 12°C a questo livello di corrente, la temperatura dell'avvolgimento sarebbe di circa 97°C a 85°C ambient — ben all'interno della classificazione dell'isolamento in poliimmide e all'interno del margine nominale ΔT ≤ 15°C. Non è necessaria alcuna riduzione delle prestazioni per questo punto operativo.

D: L'HALT25008 può sopravvivere al riflusso senza piombo se vogliamo usarlo in un processo SMT ibrido?
R: L'HALT25008 è un componente a terminali volanti, non un dispositivo a montaggio superficiale, e non è classificato per l'esposizione completa al forno di riflusso. Il filo isolato in poliimmide da 0,08 mm può sopravvivere a brevi escursioni a temperature di riflusso, ma un'esposizione prolungata sopra i 320°C rischia il degrado dell'isolamento. Il metodo di assemblaggio raccomandato è la micro-saldatura manuale o automatizzata dei terminali volanti dopo il riflusso. Per linee SMT completamente automatizzate, contattare Hoan per opzioni di imballaggio con telaio personalizzato.

D: Il nostro bias tee deve passare 10W di RF attraverso il percorso di trasmissione. L'HALT25008 necessita di una riduzione delle prestazioni in potenza?
R: L'HALT25008 si trova sul lato del bias DC del bias tee, non nel percorso RF principale. La potenza RF che viaggia attraverso la microstriscia da 50 Ω non passa attraverso l'induttore. Il soffocamento vede solo la tensione RF presente alla giunzione del tee, che induce una piccola corrente AC attraverso l'impedenza reattiva dell'induttore. A 1,2 kΩ di isolamento, l'azione del partitore di tensione RF mantiene la dissipazione del soffocamento trascurabile. La classificazione di 500 mA si riferisce solo alla corrente DC.

D: Qual è il tempo di consegna per varianti personalizzate se abbiamo bisogno di un valore di induttanza diverso?
R: Hoan dispone di una capacità di prototipazione rapida di induttori conici. Valori di induttanza personalizzati (tipicamente da 50 nH a 500 nH nella serie di fili da 0,08 mm) possono essere campionati entro 3–4 settimane. I tempi di consegna per la produzione di massa sono di 8–12 settimane a seconda della quantità. Contattare Hoan con la vostra induttanza target, banda di frequenza e requisito di corrente DC per una valutazione di fattibilità e un preventivo.