ओईएम / ओडीएम मल्टी लेयर इंडक्टर नोबल मेटल इंडक्टर एंटी माइक्रोफोनिक डंपिंग लो आउटगैसिंग

कस्टम शंक्वाकार इंडक्टर एंटी माइक्रोफोनिक डंपिंग लो आउटगैसिंग नासा मानक नोबल मेटल कंपोजिट

HACC-CUSTOM-AD: एंटी-माइक्रोफोनिक डैम्प्ड लो-आउटगैसिंग शंक्वाकार इंडक्टर नोबल मेटल प्लेटिंग के साथ

डुअल-एक्शन एंटी-माइक्रोफोनिक डैम्पिंग फॉर्मूलेशन

उच्च-कंपन वातावरण में शंक्वाकार इंडक्टर — एयरबोर्न प्लेटफॉर्म, लॉन्च वाहन, चढ़ाई के दौरान अंतरिक्ष यान — माइक्रोफोनिक ट्रांसड्यूसर के रूप में कार्य करते हैं: यांत्रिक कंपन इंडक्टेंस को संशोधित करने और कंपन आवृत्ति पर नकली विद्युत शोर उत्पन्न करने वाले चुंबकीय क्षेत्र के सापेक्ष वाइंडिंग विस्थापन को प्रेरित करता है। यह माइक्रोफोनिक शोर संवेदनशील रिसीवर श्रृंखलाओं में थर्मल शोर तल से 20-40 dB ऊपर हो सकता है। HACC-CUSTOM-AD इसे एक डुअल-एक्शन डैम्पिंग फॉर्मूलेशन के साथ समाप्त करता है। परत 1 एक 0.05-0.15 मिमी विस्कोइलास्टिक पॉलिमर कोटिंग है (tan δ >0.3 1 kHz पर, सिलिकॉन-मुक्त) सीधे वाइंडिंग पर लागू होती है — यह आणविक विश्राम के माध्यम से यांत्रिक कंपन ऊर्जा को अवशोषित करती है, गतिज ऊर्जा को गर्मी में परिवर्तित करती है, बिना द्रव्यमान या कठोरता जोड़े। परत 2 धात्विक-लोडेड एपॉक्सी की 0.02-0.05 मिमी कंस्ट्रेंड-लेयर टॉप कोट है जो एक कठोर बाहरी खोल बनाती है — जब आंतरिक विस्कोइलास्टिक परत विकृत होती है, तो कंस्ट्रेंड बाहरी परत विस्कोइलास्टिक परत में कतरनी विरूपण को मजबूर करती है, प्रति चक्र ऊर्जा अपव्यय को अधिकतम करती है। संयुक्त डुअल-एक्शन सिस्टम 1-10 kHz से 20 dB से अधिक माइक्रोफोनिक शोर में कमी प्राप्त करता है, जिसमें 20 Hz से 2 kHz तक 5 g कंपन के तहत वाइंडिंग विस्थापन 0.1 माइक्रोमीटर से नीचे बना रहता है। अनुनाद पर यांत्रिक Q 5 से नीचे है — कोई रिंगिंग नहीं, और एक आवेग के बाद बसने का समय 10 माइक्रोसेकंड से कम है।

नासा मानकों से मेल खाने वाली प्रमाणित लो-आउटगैसिंग प्रक्रिया

अंतरिक्ष यान और उच्च-वैक्यूम वैज्ञानिक उपकरण कार्बनिक आउटगैसिंग को सहन नहीं कर सकते हैं — ऑप्टिकल सतहों, थर्मल नियंत्रण कोटिंग्स, या डिटेक्टर सरणियों पर संघनित वाष्पशील प्रदर्शन को खराब करते हैं और मिशन की विफलता का कारण बन सकते हैं। HACC-CUSTOM-AD एक प्रमाणित लो-आउटगैसिंग प्रक्रिया के तहत निर्मित होता है: सभी सामग्रियों को ASTM E595 के अनुसार स्क्रीन किया जाता है, कुल द्रव्यमान हानि (TML) 1.0% से नीचे और एकत्र वाष्पशील संघनित सामग्री (CVCM) 0.1% से नीचे प्राप्त होती है। किसी भी सामग्री में सिलिकॉन, फ़ेथलेट्स और हैलोजन का उपयोग नहीं किया जाता है — जिसमें एंटी-माइक्रोफोनिक डैम्पिंग परतें, डॉट-फिक्सिंग एपॉक्सी और वायर प्लेटिंग शामिल हैं। प्रत्येक उपकरण को शिपमेंट से पहले 125 डिग्री सेल्सियस पर 24 घंटे के लिए वैक्यूम बेक-आउट से गुजरना पड़ता है, जिसमें पोस्ट-बेक TML 0.5% से नीचे सत्यापित होता है। प्रत्येक उत्पादन लॉट के लिए मान्यता प्राप्त अंतरिक्ष उद्योग मानकों के अनुसार सामग्री ट्रेसिबिलिटी बनाए रखी जाती है। उपकरण को 72 घंटे के वैक्यूम एक्सपोजर के बाद वाष्पशील संघनित के बिना 10^-9 Torr वैक्यूम के लिए योग्य बनाया गया है।

मल्टी-लेयर नोबल मेटल कंपोजिट प्लेटिंग

Au/Pd/Ni/Cu प्लेटिंग स्टैक — NM वेरिएंट के समान — वाष्पशील धातु सतहों को पेश किए बिना संक्षारण प्रतिरोध और बॉन्डेबिलिटी प्रदान करता है। वैक्यूम बेक के बाद 4.0 ग्राम से ऊपर वायर बॉन्ड पुल स्ट्रेंथ बनाए रखी जाती है, और 125 डिग्री सेल्सियस/24 घंटे बेक-आउट प्रक्रिया के बाद कोई Pd-Au इंटरमेटेलिक वृद्धि नहीं होती है।

मुख्य विनिर्देश

अनुप्रयोग

• अंतरिक्ष यान आरएफ पेलोड — ASTM E595 प्रमाणित लो-आउटगैसिंग, 10^-9 Torr वैक्यूम योग्य, लॉन्च कंपन उत्तरजीविता के लिए एंटी-माइक्रोफोनिक डैम्प्ड
• एयरबोर्न इलेक्ट्रॉनिक डिफेंस सिस्टम — >20 dB माइक्रोफोनिक दमन, यांत्रिक Q <5 प्लेटफॉर्म कंपन प्रतिरक्षा के लिए, ऊंचाई-संक्षारण प्रतिरोध के लिए नोबल मेटल प्लेटिंग
• क्रायोजेनिक वैज्ञानिक उपकरण — वैक्यूम-बेक्ड 125 डिग्री सेल्सियस/24 घंटे, TML <0.5%, डिटेक्टर-संदूषण-मुक्त संचालन के लिए सिलिकॉन-मुक्त सामग्री
• हाई-वाइब्रेशन इंडस्ट्रियल RF — 5 g निरंतर कंपन के लिए डुअल-एक्शन डैम्पिंग, <0.1 माइक्रोमीटर वाइंडिंग विस्थापन, Au/Pd/Ni/Cu संक्षारण-संरक्षित

अपने कंपन वातावरण, वैक्यूम आवश्यकताओं और आउटगैसिंग विनिर्देशों के साथ हमसे संपर्क करें। एंटी-माइक्रोफोनिक डैम्प्ड लो-आउटगैसिंग शंक्वाकार इंडक्टर 5-7 व्यावसायिक दिनों में शिप होते हैं।