HongAn Microwave Co., Ltd.
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| ब्रांड का नाम: | Hoan |
| मॉडल नंबर: | HALT20008 |
| MOQ: | 10 |
| भुगतान की शर्तें: | एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन |
उच्च-शक्ति आरएफ एम्पलीफायरों को पावर देना: उच्च-धारा 500mA का लाभ
उच्च-शक्ति आरएफ ट्रांसमीटरों और GaAs (गैलियम आर्सेनाइड) और GaN (गैलियम नाइट्राइड) सॉलिड-स्टेट पावर एम्पलीफायरों (SSPAs) के लिए डिज़ाइन किए गए ब्रॉडबैंड बायस टीज़ में, सामान्य माइक्रो-चोक इंडक्टर्स उच्च बायस धाराओं के कारण जल्दी जल जाते हैं या संतृप्त हो जाते हैं।
HALT20008 इस पावर बॉटलनेक को हल करता है। पूरे वाइंडिंग में एक समान, कम-DCR 0.08mm उच्च-शुद्धता तांबे के तार का उपयोग करके, यह न्यूनतम गर्मी उत्पादन के साथ 500 mA तक की निरंतर DC बायस करंट (मानक 40GHz चोक की वर्तमान क्षमता का 2.5 गुना) को सुरक्षित रूप से संभालता है।
यह 130 nH ± 20% इंडक्टेंस प्रदान करता है जिसमें 200 MHz से 22 GHz तक फैले एक फ्लैट, रेजोनेंस-मुक्त ब्रॉडबैंड प्रतिक्रिया होती है, जो पूरे X-बैंड, Ku-बैंड और K-बैंड को निर्बाध रूप से कवर करता है।
आयाम
विस्तृत तकनीकी विनिर्देश (HALT20008)
| तकनीकी पैरामीटर | प्रमाणित विनिर्देश मान | परीक्षण / पर्यावरणीय स्थितियाँ |
| मॉडल संख्या | HALT20008 | |
| इंडक्टर शैली | उच्च-धारा ब्रॉडबैंड शंक्वाकार चोक | एकल तार व्यास टेपर्ड कॉइल |
| नाममात्र इंडक्टेंस | 130 nH±20% | उच्च-आवृत्ति मानक पर परीक्षण किया गया |
| अधिकतम। निरंतर धारा | 500 mA (0.5 A) | सक्रिय शक्ति सर्किट के लिए अनुकूलित |
| ऑपरेटिंग आवृत्ति रेंज | 200 MHz -22 GHz | फ्लैट, रिपल-मुक्त ब्रॉडबैंड प्रतिक्रिया |
| वाइंडिंग तार व्यास | 0.08 मिमी (समान) | अधिकतम वर्तमान घनत्व और कम DCR |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C से +125°C | एयरोस्पेस मानकों के साथ पूरी तरह से अनुपालन |
| लीड असेंबली विधि | सोल्डर करने योग्य प्रक्रिया | उच्च-तापमान विश्वसनीय जॉइनिंग |
| यांत्रिक सुरक्षा | चिपकने वाला/एपॉक्सी आवश्यक | असेंबली के दौरान चिपकाया जाना चाहिए |
तुलना करें: HALT20008 बनाम HALT20005
| सुविधा / मॉडल | HALT20008 (उच्च-धारा मॉडल) | HALT20005 (अल्ट्रा-उच्च आवृत्ति मॉडल) |
| अधिकतम। धारा | 500mA | 200 mA |
| वाइंडिंग प्रक्रिया | 0.08 मिमी समान तार | 0.05 मिमी और 0.08 मिमी ग्रेडित |
| आवृत्ति रेंज | 200 MHz 22 GHz | 200 MHz - 40 GHz |
| इंडक्टेंस मान | 130 nH±20% | 120 nH±20% |
| प्राथमिक लाभ | उच्च शक्ति हैंडलिंग, GaN/GaAs पावर बायस के लिए आदर्श | मिलीमीटर-वेव बैंडविड्थ, 40GHz ऑप्टिकल/RF सिस्टम के लिए आदर्श |
परीक्षण डेटा (10MHz-500MHz)
परीक्षण डेटा (10MHz-20GHz)
माइक्रो-असेंबली और माउंटिंग सर्वोत्तम अभ्यास
यह सुनिश्चित करने के लिए कि HALT20008 अपने नाममात्र 130nH इंडक्टेंस पर काम करता है और आपके उच्च-शक्ति PCB लेआउट पर परजीवी हस्तक्षेप को रोकता है:
1. शिखर (छोटा सिरा) अभिविन्यास: आरएफ ट्रांसमिशन लाइन ट्रेस पर शंक्वाकार शिखर (छोटा सिर) को सीधे सोल्डर करें, कनेक्टिंग लीड को यथासंभव छोटा रखें (आदर्श रूप से <0.5) उच्च-आवृत्ति सम्मिलन हानि स्पाइक्स को रोकने के लिए।2. एपॉक्सी अंडरफिल आवश्यक:
बड़े 0.08mm तार के वजन के कारण, HALT20008 को यांत्रिक थकान और माइक्रोफोनिक्स को रोकने के लिए असेंबली के दौरान इसके आधार पर एक गैर-प्रवाहकीय, कम-ढांकता हुआ RF एपॉक्सी/गोंद के साथ सुरक्षित किया जाना चाहिए।3. गर्मी अपव्यय:
यदि 500mA थर्मल सीमा के पास लगातार काम कर रहे हैं तो कॉइल के आधार में पर्याप्त एयर गैप या गैर-प्रवाहकीय थर्मल पैड स्पेस सुनिश्चित करें।अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
Q1: क्या मैं रुक-रुक कर HALT20008 से 500mA से अधिक चला सकता हूँ?
A:Q2: क्या Vibratac यांत्रिक स्थान योजना के लिए स्टेप मॉडल (.stp) प्रदान करता है? A:हाँ। हम परेशानी मुक्त CAD एकीकरण और RF सर्किट डिजाइन सुनिश्चित करने के लिए 10MHz से 22GHz तक पूर्ण 3D STEP मॉडल और उच्च-आवृत्ति S-पैरामीटर सिमुलेशन डेटा (.s2p) प्रदान करते हैं।
Q3: लीड टार्निश को रोकने के लिए भंडारण आवश्यकताएं क्या हैं?
A:HALT20008 मानक एंटी-स्टैटिक वफ़ल पैक में भेज दिया जाता है। उन्हें 20–25°C और 40%–60% RH पर संग्रहीत रखें। मानक भंडारण स्थितियों के तहत अनुशंसित शेल्फ जीवन 1 वर्ष है।
