এয়ার কোর কোণাকার ইন্ডাক্টর ১০০০nH ২৫MHz - ৪০GHz RF চোক ইন্ডাক্টর

HALT50005 আল্ট্রা-ব্রডব্যান্ড কনিক্যাল ইন্ডাক্টর | 1000nH (1.0µH) ±20% মাইক্রো-ওয়্যার বায়াস টি RF চোক (25MHz - 40GHz)

অপটিক্যাল ট্রান্সসিভারের ভিতরে: কেন বায়াস চোক চ্যানেল পারফরম্যান্স নির্ধারণ করে

একটি 400G QSFP-DD ট্রান্সসিভারের ভিতরের বায়াস টি PCB এলাকায় প্রায় 4 mm² দখল করে। সেই স্থানে, এটি একটি 53 GBd PAM4 সিগন্যাল পাথে ডিসি বায়াস কারেন্ট ইনজেক্ট করতে হবে কোনো অ্যামপ্লিচিউড রিপল তৈরি না করে যা আই ডায়াগ্রাম বন্ধ করে দেবে। যে কম্পোনেন্টটি ভারী কাজ করে—চোক ইন্ডাক্টর—সরাসরি সিগন্যাল কারেন্ট লুপে বসে। এর প্যারাসাইটিক ক্যাপাসিট্যান্স ট্রান্সমিশন লাইন লোড করে। এর সেলফ-রেজোন্যান্স একটি S21 নচ তৈরি করে। এর টেম্পারেচার কোএফিসিয়েন্ট বায়াস পয়েন্ট পরিবর্তন করে। এই একটি কম্পোনেন্টের প্রতিটি অপূর্ণতা রিসিভারে ডিটারমিনিস্টিক জিটার-এ রূপান্তরিত হয়।

The HALT50005 এই পরিবেশের জন্য শুরু থেকেই ডিজাইন করা হয়েছিল। এর 1.0 µH নমিনাল ইন্ডাক্ট্যান্স, একটি প্রিসিশন 0.05 মিমি কনিক্যাল ওয়াইন্ডিংয়ের মাধ্যমে অর্জিত, 25 MHz পর্যন্ত সিগন্যাল ব্লক করার জন্য পর্যাপ্ত লো-ফ্রিকোয়েন্সি রিয়েক্ট্যান্স সরবরাহ করে—আধুনিক প্লাগেবল অপটিক্সে বায়াস লাইনে চলাচলকারী সুপারভাইজরি চ্যানেল টোন এবং লো-রেট টেলিমেট্রি কভার করে। 250 mA কন্টিনিউয়াস কারেন্ট রেটিং EML এবং DML ট্রান্সমিটার উভয় প্রকারের লেজার ড্রাইভার বায়াস প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে, যার মধ্যে সিলিকন ফোটোনিক্স Mach-Zehnder মডুলেটর দ্বারা চালিত উচ্চতর বায়াস কারেন্টও অন্তর্ভুক্ত। এবং >40 GHz SRF নিশ্চিত করে যে চোকটি বর্তমান এবং পরবর্তী প্রজন্মের অপটিক্যাল স্ট্যান্ডার্ডের সম্পূর্ণ মডুলেশন ব্যান্ডউইথের জুড়ে সত্যিকারের ইন্ডাক্টিভ—ক্যাপাসিটিভ নয়—থাকে।

50-মাইক্রন স্কেলে প্রিসিশন ওয়াইন্ডিং

0.05 মিমি ব্যাসের তার ব্যবহার করে 1.0 µH কনিক্যাল ইন্ডাক্টর তৈরি করার জন্য প্রচলিত কয়েল-ওয়াইন্ডিং ক্ষমতার চেয়ে বেশি উৎপাদন নির্ভুলতা প্রয়োজন। এই কন্ডাক্টর স্কেলে, ওয়াইন্ডিং টেনশন, টার্ন প্লেসমেন্ট এবং লিড ফর্মেশন বাল্ক মেকানিক্যাল প্রপার্টিসের পরিবর্তে সারফেস ফোর্স এবং মেটেরিয়াল ইলাস্টিসিটি দ্বারা নিয়ন্ত্রিত হয়। Hoan-এর প্রোডাকশন লাইন অপটিক্যালি গাইডেড, ক্লোজড-লুপ ওয়াইন্ডিং সিস্টেমের মাধ্যমে 100% স্বয়ংক্রিয় অপটিক্যাল ইন্সপেকশন সহ এই চ্যালেঞ্জগুলি মোকাবেলা করে:

• টেপার নির্ভুলতা: টার্ন-ডায়ামিটার-বনাম-পজিশন প্রোফাইলটি অবশ্যই সম্পূর্ণ 3.0 মিমি ওয়াইন্ডিং দৈর্ঘ্য বরাবর ±5% এর মধ্যে ডিজাইন টেপারের সাথে সঙ্গতিপূর্ণ হতে হবে। প্রোফাইল বিচ্যুতিগুলি ন্যারোব্যান্ড ক্যাপাসিট্যান্স অ্যানোমালি তৈরি করে যা S21 রিপল তৈরি করে।
• টার্ন স্পেসিংয়ের নিয়মিততা: সংলগ্ন টার্নগুলিকে অবশ্যই অভিন্ন ফাঁক বজায় রাখতে হবে। অনিয়মিত স্পেসিং বিচ্ছিন্ন অবস্থানে প্যারাসাইটিক ক্যাপাসিট্যান্সকে কেন্দ্রীভূত করে, যা রেট করা অপারেটিং ব্যান্ডের মধ্যে অনাকাঙ্ক্ষিত রেজোন্যান্ট মোড তৈরি করে।
• লিড এক্সিট অ্যালাইনমেন্ট: অ্যাপেক্স এবং বেস উভয় ফ্লাইং লিডগুলি কেন্দ্রীয় কোন অক্ষ বরাবর বের হয় তা যাচাই করা হয়। অফ-অ্যাক্সিস লিডগুলি স্বয়ংক্রিয় ওয়েজ-বন্ডিং থ্রুপুট হ্রাস করে এবং ওরিয়েন্টেশন-নির্ভর প্যারাসাইটিক কাপলিং তৈরি করে।
• ইনসুলেশন সারফেসের গুণমান: পলিইমাইড এনামেল কোটিংটি পাতলা স্পট, অ্যাব্রেশন মার্কস এবং পিনহোলের জন্য 100× ম্যাগনিফিকেশনে পরিদর্শন করা হয়। সনাক্ত না হওয়া ইনসুলেশন ত্রুটিগুলি ফিল্ডে দীর্ঘায়িত থার্মাল সাইক্লিংয়ের পরে সুপ্ত টার্ন-টু-টার্ন শর্টস হয়ে যায়।

লট-লেভেল স্ট্যাটিস্টিক্যাল প্রসেস কন্ট্রোল CpK মান 1.67 এর বেশি সহ সমস্ত ক্রিটিক্যাল ডাইমেনশনের জন্য বজায় রাখা হয়। প্রতিটি প্রোডাকশন লট SRF, ইনসারশন লস এবং আইসোলেশন কমপ্লায়েন্স যাচাই করার জন্য একটি ক্যারেক্টারাইজড মাইক্রোস্ট্রিপ ফিক্সচারে স্যাম্পেল-ভিত্তিক VNA অ্যাক্সেপটেন্স টেস্টিংয়ের মধ্য দিয়ে যায়।

বায়াস টি স্পেকট্রাম জুড়ে ভ্যালিডেটেড পারফরম্যান্স

স্পেসিফিকেশন রেফারেন্স

অপটোইলেক্ট্রনিক মডিউল অ্যাসেম্বলি সিকোয়েন্স

1. অ্যাপেক্স সংযোগ: 50-Ω মাইক্রোস্ট্রিপে সরু টিপ। বোর্ডের সাথে লম্বভাবে কয়েল। কৌণিক ত্রুটি 30 GHz এর উপরে S11 অপ্রতিসাম্য তৈরি করে।
2. লিড দৈর্ঘ্য নিয়ন্ত্রণ: সোল্ডার ফিলিট এবং প্রথম টার্নের মধ্যে অ্যাপেক্স ফ্লাইং লিড ≤0.3 মিমি। প্রতি অতিরিক্ত 0.5 মিমি প্রায় 0.3 nH সিরিজ ইন্ডাকট্যান্স যোগ করে, যা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি রিটার্ন লসকে খারাপ করে।
3. বেস থেকে ডিসি সাপ্লাই: বায়াস প্যাডে প্রশস্ত কোন প্রান্ত। 1 মিমি এর মধ্যে 100 pF || 10 nF বাইপাস ক্যাপাসিটর রাখুন।
4. ইপোক্সি স্ট্যাবিলাইজেশন: ওয়াইন্ডিং সাইডে একটি একক মাইক্রো-ডট (≤0.3 মিমি) Epotek H70E। হার্মেটিক অপটিক্যাল প্যাকেজের জন্য, Epotek H70E ASTM E595 লো-আউটগ্যাসিং প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে।
5. সোল্ডার ডয়েল: 280–320°C টিপ, 2 সেকেন্ড সর্বোচ্চ। 50 µm তার মিলিসেকেন্ডে থার্মাল ইকুইলিব্রিয়াম অর্জন করে।

ডিপ্লয়মেন্ট সিনারিও

• 100G/400G/800G TOSA মডিউলে EML/DML লেজার ড্রাইভার ডিসি বায়াস
• ROSA মডিউলে TIA সাপ্লাই বায়াস
• কোহারেন্ট ট্রান্সমিটার সাব-অ্যাসেম্বলিতে সিলিকন ফোটোনিক্স MZM বায়াস টি
• কোহারেন্ট রিসিভারে হাই-স্পিড ওয়েভগাইড ফটোডায়োড রিভার্স-বায়াস
• X/Ku/Ka-ব্যান্ড রাডার ট্রান্সমিটারে GaN-on-SiC SSPA ড্রেন বায়াস ফিড
• 5G NR FR2 ফেজড-অ্যারে অ্যান্টেনা এলিমেন্ট ডিসি ডিস্ট্রিবিউশন

FAQ

প্রশ্ন: HALT50005 অন্যান্য 1000 nH কনিক্যাল ইন্ডাক্টর ভ্যারিয়েন্ট থেকে কীভাবে আলাদা?
উত্তর: সমস্ত HALT50005-সিরিজ ইন্ডাক্টর একই কোর স্পেসিফিকেশন শেয়ার করে: 1000 nH, 0.05 মিমি তার, 25 MHz–40 GHz, 250 mA। HALT50005 ভ্যারিয়েন্টটি বিশেষভাবে অপটোইলেক্ট্রনিক বায়াস টি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য নথিভুক্ত করা হয়েছে, যেখানে ট্রান্সসিভার মডিউল ইন্টিগ্রেশনের জন্য অ্যাসেম্বলি গাইডেন্স, হার্মেটিক প্যাকেজিংয়ের জন্য আউটগ্যাসিং স্পেসিফিকেশন এবং লেজার ড্রাইভার ও TIA বায়াস নেটওয়ার্ক ডিজাইনের জন্য অ্যাপ্লিকেশন নোট রয়েছে।

প্রশ্ন: আমাদের EML-ভিত্তিক TOSA 230 mA লেজার বায়াস ব্যবহার করে। 250 mA রেটিং কি পর্যাপ্ত প্রোডাকশন মার্জিন সরবরাহ করে?
উত্তর: 230 mA তে, কন্ডাক্টর ডিসিপেশন প্রায় 106 mW (সাধারণ DCR 2.0 Ω এর উপর ভিত্তি করে)। ফলস্বরূপ ΔT প্রায় 14°C—15°C সীমার মধ্যে। 20 mA হেডরুম ইউনিট-টু-ইউনিট DCR ভ্যারিয়েশন এবং মডিউল এনক্লোজারের মধ্যে উচ্চ পরিবেষ্টিত অবস্থার জন্য মার্জিন সরবরাহ করে। এই অপারেটিং পয়েন্টে কোনো ডিরেটিংয়ের প্রয়োজন নেই।