HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| ব্র্যান্ডের নাম: | Hoan |
| মডেল নম্বর: | HACC101S30V101 |
| MOQ: | 10 |
| পেমেন্ট শর্তাবলী: | ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন, টি/টি, ডি/পি, ডি/এ, এল/সি |
HACC101S30V101 ডাবল-সাইডেড বর্ডারড SLC 100pF 100V (0.05-15GHz)
উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি প্রযুক্তিগত সংক্ষিপ্তসার
এইচএসিসি 101 এস 30 ভি 101 একটি উচ্চ-কার্যকারিতা, সমান্তরাল ডাবল-সাইডেড বর্ডারড সিঙ্গল লেয়ার সিরামিক ক্যাপাসিটর (এসএলসি) । এই মডেলটি ব্রডব্যান্ড ডিসি ব্লকিং, আরএফ কাপলিং,এবং বাইপাস ফিল্টারিং পর্যন্ত 15.0 গিগাহার্টজ (ইউএইচএফ, এল, এস, সি, এক্স এবং কু মাইক্রোওয়েভ ব্যান্ড জুড়ে) । একটি স্থিতিশীল 100 পিএফ ± 20% ক্যাপাসিট্যান্স, একটি বৃহত্তর 0.76 মিমি × 0.76 মিমি পদচিহ্ন, এবং 100 ভোল্টেজের একটি উচ্চ ভোল্টেজ রেট,এই ক্যাপাসিটর উচ্চ ঘনত্বের কৌশলগত রাডার সাবসেটগুলির জন্য অত্যন্ত উপযুক্ত, ফাইবার অপটিক ট্রান্সিভার, এবং মাইক্রোওয়েভ হাইব্রিড মাইক্রোসার্কিট।
HACC101S30V101 কে আলাদা করে তোলে তার সমান্তরাল দ্বি-পার্শ্বযুক্ত সীমান্তযুক্ত আর্কিটেকচারটি বৃহত্তর 30 মিলি × 30 মিলি পদচিহ্নের সাথে মিলিত।এই সমতুল্য কাঠামো পিক-অ্যান্ড-প্লেস চলাকালীন উপরের / নীচের দিকনির্দেশের প্রয়োজনীয়তা দূর করে, যা স্বয়ংক্রিয় সমাবেশের থ্রুপুটকে উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করে এবং ম্যানুয়াল ফ্লিপিংয়ের ত্রুটিগুলি দূর করে।
প্রধান পারফরম্যান্স সুবিধা
সিমেট্রিকাল ডাবল-সাইডেড বর্ডার (ডিএসবি): উপরের বনাম নীচের মাউন্টিং ওরিয়েন্টেশন সমস্যাগুলি দূর করে, অতি দ্রুত স্বয়ংক্রিয় ডাই সংযুক্তি এবং পিকিং সক্ষম করে।
ডাবল-সাইড ইপোক্সি ক্লাইম্ব প্রোটেকশনঃ উপরের এবং নীচের উভয় ইলেক্ট্রোডের সিরামিক সীমানা মার্জিনগুলি সাইডওয়ালের উপর আরোহণ থেকে চালক সিলভার ইপোক্সিকে থামানোর জন্য একটি শারীরিক বাঁধ হিসাবে কাজ করে,শর্ট সার্কিট প্রতিরোধ.
অ্যাডভান্সড থিন-ফিল্ম মেটালাইজেশন সিস্টেমঃ উভয় পৃষ্ঠায় একটি অত্যন্ত শক্তিশালী ট্যান / টিআইডাব্লু / নি / আউ পাতলা ফিল্ম স্ট্যাক ব্যবহার করে, ব্যতিক্রমী তাপ স্থিতিশীলতা, অ্যান্টি-মিগ্রেশন সুরক্ষা প্রদান করে,এবং সোল্ডারের প্রতিরোধ ক্ষমতা.
১০০ ভোল্ট নামমাত্র ভোল্টেজঃ এটি একটি শক্তিশালী ৩০ মিলি × ৩০ মিলি (০.৭৬ মিমি × ০.৭৬ মিমি) পদচিহ্নের মধ্যে উচ্চতর ভোল্টেজ হ্যান্ডলিং ক্ষমতা সরবরাহ করে, কম ডায়েলক্ট্রিক অপচয় বজায় রাখে।
উচ্চ কাটিয়া শক্তি এবং তাপীয় ছড়িয়ে পড়াঃ বৃহত্তর 30 মিলি মাউন্টিং বেস বৃহত্তর সংযোগ যোগাযোগের ক্ষেত্র সরবরাহ করে, ব্যতিক্রমী উচ্চ যান্ত্রিক কাটিয়া শক্তি এবং উন্নত তাপ ছড়িয়ে দেয়।
সামগ্রিক মাত্রা
ব্যাপক পরামিতি ডেটা শীট
| বিশেষ উল্লেখ বিভাগ | প্রযুক্তিগত পরামিতির নাম | গ্যারান্টিযুক্ত মূল্য | পরীক্ষার/মাপের শর্তাবলী |
| বৈদ্যুতিক স্পেসিফিকেশন | নামমাত্র ধারণ ক্ষমতা | 100 | pF (+20% Tolerance @ 1kHz,1Vrms, 25°C) |
| নামমাত্র ওয়ার্কিং ভোল্টেজ (DC) | 100 | V (সর্বোচ্চ অবিচ্ছিন্ন ক্ষমতা) | |
| ডিসিপেশন ফ্যাক্টর (ডিএফ) | ≤1.5% | ১ কিলোহার্টজ, ১.০ ভিআরএম, ২৫ ডিগ্রি সেলসিয়াসে পরীক্ষিত | |
| আইসোলেশন প্রতিরোধ ক্ষমতা (আইআর) | ≥104MΩ | নামমাত্র ভোল্টেজ DC, 25°C এ পরীক্ষা করা | |
| প্রস্তাবিত ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ড | 0.০৫-১৫।0 | গিগাহার্টজ (ব্রডব্যান্ড কপলিং এবং বাইপাস ফিল্টারিং) | |
| শারীরিক জ্যামিতি | আকারের রূপরেখা | 0.76 x 0.76 x 0.15 | মিমি (দৈর্ঘ্য x প্রস্থ x উচ্চতা/৩০x৩০x৬ মিলি) |
| ডিজাইন আর্কিটেকচার | ডাবল-সাইডেড সীমান্তযুক্ত | উভয় পক্ষের সমান খালি সিরামিক মার্জিন সীমানা | |
| ধাতবীকরণ স্ট্যাক | উপরের এবং নীচের ধাতুবিদ্যার | TaN/TiW/Ni/Au | উভয় পৃষ্ঠের উপর সমান্তরাল পাতলা ফিল্ম স্ট্যাক |
| বাইরের স্বর্ণের বেধ (আউ) | ≥২5 | উম (সর্বনিম্ন বেধ, ওয়্যার-বন্ড অপ্টিমাইজড) | |
| সমাবেশ প্রক্রিয়া | মাউন্ট অ্যাডেসিয়ন | কন্ডাক্টিভ ইপোক্সি / সোল্ডার | ইপোক্সি সিলভার H20E /AuSn eutectic এর জন্য উপযুক্ত |
| ইন্টারকানেক্ট সংযোগ | গোল্ড ওয়্যার / রিবন বন্ড | থার্মোসোনিক সোনার তারের সংযুক্তি সামঞ্জস্যপূর্ণ | |
| নির্ভরযোগ্যতা ও গুণমান | অপারেটিং তাপমাত্রা | -55 থেকে +125 | °C (শিল্প ও কৌশলগত গ্রেড) |
| স্টোরেজ তাপমাত্রা & RH | ২০-২৫°সি, ৪০-৬০% RH | ক্লিনরুম পরিবেশ | |
| গ্যারান্টিযুক্ত শেল্ফ লাইফ | 1 | বছর (সর্বোত্তম সংরক্ষণের শর্তে) |
সিমেট্রিকাল থিন-ফিল্ম মেটালাইজেশন স্ট্যাক ইঞ্জিনিয়ারিং
ট্যাকটিক্যাল-গ্রেড তাপীয় চক্র এবং উচ্চ আর্দ্রতা অবস্থার অধীনে দীর্ঘমেয়াদী নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করার জন্য, এইচএসিসি 101 এস 30 ভি 101 শীর্ষ এবং নীচে উভয়ই একটি সমান্তরাল, ভ্যাকুয়াম-স্পটারযুক্ত পাতলা ফিল্ম স্ট্যাক ব্যবহার করেঃ
| ধাতব স্তর | উপাদান | স্ট্যান্ডার্ড স্তর বেধ | ধাতুবিদ্যা ফাংশন এবং ইঞ্জিনিয়ারিং মান |
| আঠালো স্তর | ট্যান্টালিয়াম নাইট্রাইড (TaN) | স্পট করা বেস | এটি সিরামিক সাবস্ট্র্যাটে একটি অত্যন্ত স্থিতিশীল, অক্সিজেন-ব্লকিং রাসায়নিক বন্ধন প্রদান করে; তাপীয় চাপের অধীনে পিলিং প্রতিরোধ করে। |
| বাধা স্তর | টাইটানিয়াম-টংস্টেন (টিআইডব্লিউ) | স্পট করা বাধা | এটি একটি উচ্চ ঘনত্বের ছড়িয়ে পড়া বাধা হিসাবে কাজ করে যা নিকেল এবং স্বর্ণের পরমাণুগুলি সিরামিক ডিয়েলেক্ট্রিকের মধ্যে স্থানান্তরিত হতে বাধা দেয়। |
| বাধা স্তর | নিকেল (নি) | ছড়িয়ে পড়া বলিদান | উচ্চ তাপমাত্রা লোডারের রিফ্লো চলাকালীন সোনার লিকিং বা স্কেভিং প্রতিরোধ করে। |
| বন্ধন শেষ | স্বর্ণ (আউ) | ≥2.5 μm | এটি স্বর্ণের তারের থার্মোসোনিক লিঙ্কিং এবং সিলভার ভরা ইপোক্সি সংযুক্তি উভয়ের জন্য অনুকূলিত একটি অত্যন্ত পরিবাহী, অক্সাইড মুক্ত পৃষ্ঠ সরবরাহ করে। |
তুলনামূলক প্রযুক্তিগত ম্যাট্রিক্স (HACC101S30V101 vs অন্যান্য SLC ডিজাইন)
এই ম্যাট্রিক্সটি বিভিন্ন একক স্তরযুক্ত সিরামিক ক্যাপাসিটর ডিজাইনের সমাবেশ এবং বৈদ্যুতিক পারফরম্যান্সের তুলনা করেঃ
| ইঞ্জিনিয়ারিং প্যারামিটার | ডাবল-সাইডেড সীমান্তযুক্ত (HACC101S30V101) | একতরফা সীমান্তযুক্ত এসএলসি | স্ট্যান্ডার্ড বর্ডারলেস এসএলসি |
| সমতা (অরিয়েন্টেশন) | সমতুল্য, উপরের এবং নীচের অংশ একই, কোন ফ্লিপিং নেইদরকার ছিল। | মাউন্ট করার আগে উপরের/নিচের দিকটা নিশ্চিত করতে হবে। | মাউন্ট করার আগে উপরের/নিচের দিকটা নিশ্চিত করতে হবে। |
| উপরের দিকের ইপোক্সি নিরাপত্তা | অসামান্য. খালি সিরামিক মার্জিন ইপোক্সি শর্টিং উপরিভাগ প্রতিরোধ করে. | অসামান্য. খালি সিরামিক মার্জিন স্টপসেক্সি শর্ট শটিং শীর্ষ সারটেস. | স্বর্ণ উপরের 100% ঢেকে রাখে, যা পৃষ্ঠের শর্টসের উচ্চ ঝুঁকি নিয়ে আসে। |
| নীচের দিকে ইপোক্সি নিরাপত্তা | এক্সপোজ করা সিরামিক সীমানা বেসে ইপোক্সি আরোহণ বন্ধ করে দেয়। | মাঝারি। নীচের স্বর্ণ 100% বেস কভার করে;ইপোক্সি সহজে আরোহণ করে। | দরিদ্র. সোল্ডার / ইপোক্সি রস সহজেই রস পার্শ্ব দেয়াল উপরে আরোহণ. |
| স্বয়ংক্রিয় সমাবেশের গতি | উচ্চ গতির পিক-অ্যান্ড-প্লেস কোন ভিজ্যুয়াল ওরিয়েন্টেশন চেক ছাড়া। | মাঝারি, অটোমেশনের জন্য উপরে/নীচে সনাক্ত করার জন্য ক্যামেরা পরিদর্শন প্রয়োজন। | মাঝারি, ওরিয়েন্টেশনের জন্য ভিজ্যুয়াল ইন্সপেকশন প্রয়োজনস্থাপন করার আগে। |
| সোল্ডার লিচ প্রতিরোধের | চমৎকার ফিনিস । | মাঝারি থেকে ভাল (বাধার উপর নির্ভর করে) । | মাঝারি থেকে ভাল (বাধার উপর নির্ভর করে) । |
প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্ন
প্রশ্ন 1: একতরফা সীমানাযুক্ত ডিজাইনের তুলনায় দ্বি-পার্শ্বযুক্ত সীমানাযুক্ত ডিজাইনের প্রধান সুবিধা কী কী?
উঃএর প্রধান সুবিধা হল সিমেট্রিক অটোমেশন। একতরফা সীমান্তযুক্ত ক্যাপাসিটর দিয়ে,সমাবেশ রোবটগুলিকে স্থাপন করার আগে উপরের (সীমান্তযুক্ত) পৃষ্ঠ এবং নীচের (সীমান্তহীন) পৃষ্ঠকে সনাক্ত করতে অপটিক্যাল স্বীকৃতি ব্যবহার করতে হবে. যদি উলটো দিকে স্থাপন করা হয়, ক্যাপাসিটর ব্যর্থ হবে. HACC101S30V101 উভয় উপরের এবং নীচের উপর একই সীমান্তযুক্ত ইলেকট্রোড আছে. এটি বাছাই করা যেতে পারে, স্থাপন, এবং উভয় পক্ষ থেকে bonded,যা সম্পূর্ণরূপে ওরিয়েন্টেশন ত্রুটি দূর করে এবং স্বয়ংক্রিয় উত্পাদন লাইন নাটকীয়ভাবে ত্বরান্বিত করে.
প্রশ্ন ২ঃ ট্যান/টিআইডব্লিউ/নি/আউ পাতলা ফিল্ম সিস্টেম কীভাবে লোডারের লিকিং প্রতিরোধ করে?
উঃইউটেটিক গোল্ড-টিন (আউ-এসএন) সোল্ডারিংয়ের সময়, গলিত সোল্ডার সহজেই খাঁটি সোনার ইলেক্ট্রোডগুলিকে "স্কেভেজ" করে বা সিল করে, পাতলা সোনার স্তরগুলি দ্রবীভূত করে এবং বৈদ্যুতিক ওপেন-সার্কিট সৃষ্টি করে।HACC101S30V101 স্বর্ণের পৃষ্ঠের নীচে একটি ঘন নিকেল (নি) বাধা স্তর রয়েছেNi স্তরটি একটি শক্তিশালী বাধা হিসাবে কাজ করে যা লোডারের অন্তর্নিহিত TiW এবং TaN ফিল্মগুলিতে leaching থেকে বিরত রাখে, এমনকি উচ্চ তাপমাত্রার রিফ্লো চলাকালীনও ইলেক্ট্রোডের অখণ্ডতা বজায় রাখে।
প্রশ্ন 3: HACC101S30V101 এর জন্য প্রস্তাবিত ফ্রিকোয়েন্সি সীমা কত?
উঃএই ক্যাপাসিটারটি 0.05 গিগাহার্টজ থেকে 15.0 গিগাহার্টজ (কিউ-ব্যান্ড) এর জন্য অত্যন্ত অনুকূলিত। এর একক স্তর নির্মাণের জন্য ধন্যবাদ,এটি মাল্টি-লেয়ার সিরামিক ক্যাপাসিটর (এমএলসিসি) এর তুলনায় কার্যত শূন্য পরজীবী ইন্ডাক্ট্যান্স এবং অনেক বেশি স্ব-প্রতিক্রিয়াশীল ফ্রিকোয়েন্সি (এসআরএফ) প্রদর্শন করেএটি পুরো ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ড জুড়ে একটি সমতল, কম সন্নিবেশ-ক্ষতি সন্নিবেশ বক্ররেখা নিশ্চিত করে।
