CTE تطبیق RF Choke Inductor Ultra Low DCR سطح نصب محرک

محرک مخروطی سفارشی صفر استرس حرارتی CTE تطبیق Ultra Low DCR High Current Bias Tee Eutectic Micro Tip

HACC-CUSTOM-TH: محرک مخروطی CTE با فشار حرارتی صفر با DCR بسیار کم و نوک کوچک Eutectic

طراحی تطبیق CTE با استرس حرارتی صفر

مدارهای هیبریدی و ماژول های RF با استفاده از آلومینا (Al2O3، CTE 6.7 ppm/°C) یا نیترید آلومینیوم (AlN، CTE 4.5 ppm/°C) زیربناها استرس حرارتی قابل توجهی را در رابط قطعات زیربنایی در طول چرخه دمایی تجربه می کنند.. استندرد های مخروطی استاندارد با پایان های فلزی غیر متناسب، ترک های مفصل جوش، بلند شدن اتصال سیم و حرکت انطباقی را پس از قرار گرفتن در معرض حرارت مکرر ایجاد می کنند.HACC-CUSTOM-TH از طریق متاليزاسیون CTE این حالت شکست را از بین می برد: آلیاژ پایانی پایه و پوشش سیم برای مطابقت با CTE بستر مشتری در ± 1.5 ppm / ° C انتخاب می شود. پس از 1000 چرخه حرارتی از -55 ° C تا + 125 ° C، تغییر DCR کمتر از 1٪ حفظ می شود.قدرت کشش باند سیم بالاتر از 3 باقی می ماند..0 g، و هیچ شکافی از مفاصل جوش مشاهده نمی شود با استفاده از روش چرخه حرارتی استاندارد صنعت تأیید شده است.

DCR بسیار کم برای Bias-Tees با جریان بالا

GaN و GaAs با قدرت بالا تقویت کننده تعصب-تیز نیاز به DC-feed induktor به حمل 1A به 2A از جریان تعصب مداوم بدون افت ولتاژ بیش از حد و یا افزایش حرارتی.HACC-CUSTOM-TH DCR را کمتر از 0 بدست می آورد.3 Ohm برای 100 nH و کمتر از 1.0 Ohm برای 500 nH تقریباً 4 6 * کمتر از استنداتورهای مخروطی سیم نازک استاندارد.این از طریق یک گزینه چربی سیم با قطر سیم مس از 0 به دست می آید.10mm تا 0.15mm، برای انعطاف پذیری طلایی شده است. دستکاری جریان مداوم به 2A می رسد با افزایش دمای زیر 20 °C حفظ شده است.استحکام در حدود ±5٪ از 0 mA تا 1A DC تعصب ثابت باقی می ماند بدون سقوط استحکام ناشی از اشباع زیرا معماری هسته هوا به طور ذاتی خطی است.

فلزسازی میکرو تیپ سازگار با euthetics

قله ای شنکه ای که به خط RF متصل می شود، سخت ترین نقطه مونتاژ است. قطر قله های استاندارد 0.48 میلی متر برای جوشیدن دقیق eutectic بیش از حد بزرگ استHACC-CUSTOM-TH با دقت لیزر برش میکرو نوک زیر قطر 0.3 میلی متر، این مشکل را حل می کند.با یک کلاه جوش آوسن (80Au/20Sn) با ضخامت 3 ‰ 5 μm بر روی یک مانع پخش TiW-Auسطح صاف برش لیزر و حجم حلقه کنترل شده تضمین می کنند > 95٪ رطوبت در طول 280 ° Cفلیت جوش قابل بازرسی بدون پیوند جوش به سازه های مجاور. این رابط eutectic micro-tip با تجهیزات خودکار eutectic die attach سازگار است و نیاز به epoxy رسانا در نقطه اتصال RF حیاتی را از بین می برد.

مشخصات کلیدی

درخواست ها

• GaN Power Amplifier Bias-Tees 2A Bias مستمر، DCR <0.3 Ω، 100 MHz 40 GHz، CTE با بستر AlN برای اطمینان حرارتی مطابقت دارد
• مدارهای هیبریدی با قابلیت اطمینان بالا ️ 1000 چرخه حرارتی واجد شرایط ، AuSn eutectic micro-tip ، CTE آلومینیوم متناسب با مجمع هیبریدی mil / aero
• تزریق تعصب ماژول T / R با قدرت بالا ️ سیم چربی 0.15 mm Cu ، 2A مداوم ، افزایش دمای <20 ° C ، جلب خطی در مقابل تعصب DC
• خط های مونتاژ اتوماتیک یوتکتیک ️ <0.3 میلی متر AuSn پیش از قوطی شده با میکرو تیپ، سازگار با چسبیدن یوتکتیک یوتکتیک، > 95٪ رطوبت

با ما تماس بگيريد با CTE سوبسترايت شما، جریان انحراف و الزامات eutectic. CTE-با هم سازي شده اندکتورهای مخروطي با DCR فوق العاده کم و ship eutectic micro-tip در 5-7 روز کاری.