ابعاد سفارشی Air Core Coil بدون اشباع مغناطیسی Air Coil Inductors عملکرد خطی نمونه سازی سریع

سلف هسته هوایی سفارشی با ابعاد سفارشی، بدون اشباع مغناطیسی، عملکرد خطی، حداقل تعداد سفارش کم، نمونه‌سازی سریع

HALA-CUSTOM-TD: پلتفرم کامل سلف هسته هوایی سفارشی

چرا یک اندازه در طراحی RF هرگز مناسب همه نیست

هر شبکه تطبیق RF، تی بایاس و توپولوژی فیلتر، محدودیت‌های منحصر به فردی را بر اجزای غیرفعال درون خود تحمیل می‌کند. یک سلف 7 نانوهنری که برای یک شکل‌دهنده پرتو mmWave 5G با فرکانس 28 گیگاهرتز بهینه شده است، شباهت کمی به یک چوک 48 نانوهنری دارد که برای یک LNB باند L با فرکانس 1 گیگاهرتز طراحی شده است. با این حال، اکثر کاتالوگ‌های سلف مهندسان را مجبور می‌کنند تا از بین تعداد معدودی مقدار ثابت انتخاب کنند و مصالحه طراحی را که با قطعات آماده همراه است بپذیرند.

پلتفرم HALA-CUSTOM-TD با تبدیل سفارشی‌سازی ابعادی به گردش کار پیش‌فرض، این مصالحه‌ها را از بین می‌برد. این پلتفرم با تکیه بر پلتفرم سیم‌پیچ خودکار دقیق HALA — همان فناوری تولیدی که سری‌های اثبات شده میدانی HALA060، HALA080، HALA100، HALA120 و HALA200 را تولید می‌کند — نوع CUSTOM-TD به شما امکان می‌دهد قطر سیم‌پیچ، تعداد دور، گیج سیم و مقدار اندوکتانس را برای مطابقت با الزامات دقیق مدار خود مشخص کنید.

ابعاد ساختاری سفارشی: ماتریس سفارشی‌سازی کامل

بدون اشباع مغناطیسی: مزیت هسته هوایی در سطح فیزیک

هر سلف هسته فریت در فرکانس‌های بالاتر از حدود 100 مگاهرتز دارای یک حالت خرابی اساسی است که هیچ مقدار بهینه‌سازی طراحی نمی‌تواند آن را برطرف کند: اشباع مغناطیسی. با افزایش جریان بایاس DC از طریق هسته فریت، نفوذپذیری مغناطیسی μr کاهش می‌یابد و با آن، اندوکتانس فرو می‌ریزد — اغلب 30 تا 80 درصد در جریان نامی. در یک تی بایاس GaN PA که 300 میلی‌آمپر در 28 ولت را حمل می‌کند، یک چوک فریت که 50 درصد از اندوکتانس خود را از دست می‌دهد، امپدانس RF خود را به نصف کاهش می‌دهد، انرژی RF را به منبع تغذیه DC نشت می‌دهد و هم بازده و هم خطی بودن را کاهش می‌دهد.

HALA-CUSTOM-TD این حالت خرابی را به طور کامل از بین می‌برد. با یک هسته هوایی که در نفوذپذیری فضای آزاد بنیادی μ₀ = 4π * 10⁻⁷ H/m کار می‌کند — یک ثابت جهانی که با جریان، دما یا فرکانس تغییر نمی‌کند — منحنی اندوکتانس در مقابل جریان از 0 میلی‌آمپر تا حداکثر جریان نامی کاملاً خطی است. هیچ حوزه فریتی برای اشباع وجود ندارد، هیچ زانوی نفوذپذیری برای پیمایش وجود ندارد و نیازی به جداول کاهش اندوکتانس وابسته به بایاس نیست. آنچه در 0 میلی‌آمپر اندازه‌گیری می‌کنید دقیقاً همان چیزی است که در جریان نامی کامل دریافت می‌کنید — تضمینی که هیچ سلف فریت نمی‌تواند ارائه دهد.

حداقل تعداد سفارش کم و نمونه‌سازی سریع: از مفهوم تا تأیید در عرض چند روز

برنامه‌های مهندسی منتظر زمان تحویل قطعات نمی‌مانند. سرویس نمونه‌سازی سریع HALA-CUSTOM-TD مقادیر ارزیابی را ظرف 5 تا 7 روز کاری پس از تأیید سفارش ارسال می‌کند، با حداقل تعداد سفارش انعطاف‌پذیر از 10 قطعه. همان سیم‌پیچ خودکار دقیق، بازرسی نوری درون خطی و مشخصه‌سازی S2P Touchstone که برای حجم تولید استفاده می‌شود، سفارش نمونه شما را نیز پوشش می‌دهد — تضمین می‌کند که عملکردی که روی میز آزمایش اندازه‌گیری می‌کنید با آنچه در تولید دریافت خواهید کرد یکسان است.

اقلام تحویلی نمونه‌سازی شامل موارد زیر است: نمونه‌های ارزیابی (10 تا 100 قطعه)، داده‌های S2P Touchstone (100 مگاهرتز تا 26.5 گیگاهرتز، 201 نقطه در هر فایل)، یک برگه داده با پارامترهای اندازه‌گیری شده، دستورالعمل‌های نگهداری و مونتاژ، و گواهی انطباق.

مشخصات کلیدی

دستورالعمل‌های مونتاژ

• نصب عمود: محور سیم‌پیچ را در زاویه 90 درجه نسبت به مسیر میکرو استریپ RF قرار دهید. هم‌ترازی موازی، اندوکتانس متقابل پارازیتی ایجاد می‌کند که پارامترهای S و ایزولاسیون کانال را کاهش می‌دهد. انحراف 15 درجه‌ای، جفت شدن میدان نزدیک را در 10 گیگاهرتز 2 تا 3 دسی‌بل افزایش می‌دهد.
• حداقل طول سرب: پس از لحیم‌کاری، سرب‌ها را با لبه پد PCB هم‌سطح کنید. هر میلی‌متر اضافی حدود 0.8 تا 1.0 نانوهن اندوکتانس سری پارازیتی اضافه می‌کند — که نسبت به مقادیر هدف کم نانوهن قابل توجه است.
• لحیم‌کاری میکرو: بدون سرب SAC305 یا Sn63/Pb37. دمای نوک ≤260 درجه سانتی‌گراد، حداکثر 3 ثانیه توقف در هر اتصال. عایق سیم مسی لعاب‌دار در دمای بالاتر از حدود 300 درجه سانتی‌گراد تخریب می‌شود.
• ثابت‌سازی پس از لحیم‌کاری: پس از تنظیم RF، یک قطره کوچک چسب RF با دی‌الکتریک پایین (εr < 3.0، tan δ < 0.005) اعمال کنید تا هندسه سیم‌پیچ بی‌حرکت شود. پارامترهای S را پس از پخت تأیید کنید.نگهداری: بسته‌بندی محافظ رطوبت ESD-safe در دمای 20 تا 25 درجه سانتی‌گراد، رطوبت نسبی 40 تا 60 درصد. سرب‌های قلع‌اندود شده به مدت 1 سال از تاریخ تحویل قابلیت لحیم‌کاری را حفظ می‌کنند. MSL 1 — عمر نامحدود روی میز.
• سوالات متداولس: برای اندوکتانس هدف من به چند دور نیاز دارم؟

پاسخ: با اندوکتانس هدف، باند فرکانسی و نیاز جریان خود با ما تماس بگیرید. مهندسان کاربرد ما ترکیبی بهینه از تعداد دور، گیج سیم و قطر سیم‌پیچ را از پلتفرم HALA توصیه خواهند کرد. به عنوان مرجع: 6 دور ≈ 7 نانوهن، 8 دور ≈ 11 نانوهن، 10 دور ≈ 14 نانوهن، 12 دور ≈ 17 تا 26 نانوهن (بسته به گیج سیم)، 20 دور ≈ 48 نانوهن در پلتفرم با قطر داخلی 0.30 میلی‌متر.

س: عمر قفسه و نگهداری توصیه شده چیست؟
پاسخ: 1 سال از تاریخ تحویل در صورت نگهداری در دمای 20 تا 25 درجه سانتی‌گراد و رطوبت نسبی 40 تا 60 درصد در بسته‌بندی اصلی محافظ رطوبت. سرب‌های از قبل قلع‌اندود شده در این شرایط، قابلیت لحیم‌کاری کامل را طبق معیارهای J-STD-002 حفظ می‌کنند.

س: آیا می‌توانم قبل از سفارش، داده‌های S2P را برای شبیه‌سازی دریافت کنم؟
پاسخ: فایل‌های S2P Touchstone (100 مگاهرتز تا 26.5 گیگاهرتز، 201 نقطه، 2 پورت) در هر بچ تولید ارائه می‌شوند. برای پیکربندی‌های سفارشی، داده‌های مرجع از هندسه‌های مشابه در پلتفرم HALA در مرحله طراحی در دسترس است.

کاربردها
تی‌های بایاس آرایه فازی 5G mmWave:

مقادیر اندوکتانس سفارشی در هر عنصر با اشباع صفر در جریان بایاس کامل آرایه.

• شبکه‌های بایاس تقویت‌کننده توان GaN/GaAs: امپدانس چوک سفارشی برای بایاس درین 28 تا 50 ولت در 200 تا 500 میلی‌آمپر با افت اندوکتانس صفر.
• LNB ها و BUC های باند SATCOM L/S/C/X/Ku: مقادیر اندوکتانس بهینه شده در هر باند با ساختار هسته هوایی مقاوم در برابر تشعشع.
• شبکه‌های بایاس فرستنده نوری (100G/400G/800G): اندوکتانس سفارشی برای تزریق بایاس لیزر EML/DML با پهنای باند مسطح در 25 تا 56 گیگابیت بر ثانیه.
• جلوی تست و اندازه‌گیری پهن‌باند: تلرانس‌های دسته‌بندی شده دقیق و داده‌های S2P در هر بچ برای طرح‌های درجه کالیبراسیون.
• برای ارزیابی سریع امکان‌سنجی و قیمت‌گذاری، با مشخصات هدف خود با ما تماس بگیرید. مقادیر کاتالوگ استاندارد HALA از انبار ارسال می‌شوند؛ پیکربندی‌های سفارشی در 1 تا 2 هفته تحویل داده می‌شوند.