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広帯域インダクタ
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120nH ブロードバンドインダクタ 円形超ブロードバンドインダクタ 200MHz - 40GHz

120nH ブロードバンドインダクタ 円形超ブロードバンドインダクタ 200MHz - 40GHz

ブランド名: Hoan
モデル番号: HALT20005
MOQ: 10
支払い条件: L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン
詳細情報
起源の場所:
中国
環境基準:
Rohs & Reach に準拠する
Sパラメータの信頼性:
10MHz ~ 40GHz の .s2p ファイル
公称インダクタンス:
120nH±20%
動作周波数帯域幅:
200MHz~40GHz
ターン数:
例:10ターン
取付タイプ:
スルーホールまたは表面実装
芯材:
フェライトまたは空芯
ハイライト:

120nH ブロードバンドインダクタ

,

円形超ブロードバンドインダクタ

,

40GHzブロードバンドインデューサー

製品の説明

HALT20005 120nH 超広帯域コニカル 200MHz-40GHz

 

広帯域コニカルチョークの物理学:円錐形状が重要な理由

超広帯域RFおよびマイクロ波システム、特に高速RFラインにDC電流を注入するために使用されるバイアステイでは、標準的なソレノイドインダクタは機能しません。標準的なコイルは寄生並列容量を示し、マイクロ波周波数で望ましくない共振ディップ(急激な挿入損失スパイク)を引き起こします。

 

HALT20005コニカルインダクタは、そのコニカル(テーパー)形状によりこれを解決します。

コニカル頂点(小端):伝送ラインに接続します。その微細な物理的直径(0.05mmの超細線を使用)は、グランドへの寄生容量を最小限に抑え、チョークを40GHzまでアクティブに保ちます。
コニカルベース(大端):0.08mmのワイヤーで巻かれており、200MHzまで低周波をブロックするために必要な120nHのインダクタンスの大部分を提供します。

 

テーパー遷移は、コイルの特性インピーダンスをスムーズに調整し、200MHzから40GHzという驚異的な範囲でフラットで共振のない(リップルフリーの)周波数応答を提供します。

 

イノベーション:デュアルワイヤーグレーデッド巻線技術(0.08mm & 0.05mm)

1.0.05mmセグメント(高周波端):細いコーンチップに配置されます。高周波アイソレーションを最適化し、伝送ラインの負荷を最小限に抑えます。
2.0.08mmセグメント(低周波/DC入力端):太いコーンベースに配置されます。この太いワイヤーはコイルのDC抵抗(DCR)を低減し、熱過熱なしに最大200mAの連続バイアス電流を安全に処理できます。

 

寸法

120nH ブロードバンドインダクタ 円形超ブロードバンドインダクタ 200MHz - 40GHz

 

詳細技術仕様(HALT20005)

技術パラメータ 認証仕様値 テスト/環境条件
モデル番号 HALT20005  
インダクタスタイル 広帯域コニカルチョーク 段階的テーパーコイル
公称インダクタンス 120 nH ± 20% 標準テスト周波数で測定
動作周波数範囲 200 MHz - 40 GHz フラットでリップルフリーの広帯域応答
巻線径 0.05 mm & 0.08 mm デュアルワイヤーグレーデッド構成
最大定格電流 200 mA アクティブBIAS用の優れた電流処理能力
動作温度範囲 -55℃~+125℃ 戦術および航空宇宙に準拠
互換性のあるアセンブリ リードはんだ付け 高信頼性RFはんだ付け
機械的固定 接着剤/エポキシ必須 組み立て時に接着する必要がある

 

エンジニア向けの重要なRFアセンブリと取り付けガイドライン
HALT20005のフラットで共振のないパフォーマンスを40GHzまで達成するには、組み立てプロセスを厳密に管理する必要があります。

1.取り付け方向:コニカル頂点(小頭)をRF信号伝送ラインに直接はんだ付けします。コイル本体は伝送ラインのトレースに対して垂直に配置する必要があります。
2.頂点リード長を最小限に抑える:頂点側のリードは、高周波応答の劣化を引き起こす寄生リードインダクタンスを防ぐために、できるだけ短く(理想的には0.5mm未満)トリミングする必要があります。3.接着剤固定:テーパーコーンの高いアスペクト比のため、HALT20005は、マイクロフォニックや振動による物理的損傷を防ぐために、組み立て中にベースに非導電性、低誘電率のRFエポキシ/接着剤で固定する必要があります。テストデータ(10MHz-500MHz)テストデータ(10MHz-20MHz)
典型的な超広帯域アプリケーション

 

・高速光ファイバー通信(100G/400G/800Gトランシーバー)

120nH ブロードバンドインダクタ 円形超ブロードバンドインダクタ 200MHz - 40GHz

・広帯域バイアステイ(最大40GHzまでのDCバイアス注入)

120nH ブロードバンドインダクタ 円形超ブロードバンドインダクタ 200MHz - 40GHz

 

・GaAsおよびGaNパワーアンプの高周波チョーキング
・ミリ波(mmWave)テストおよび測定機器
・戦術レーダーおよび電子戦(EW)モジュール