1400nH Induttore conico a radiofrequenza a banda larga ultra 20MHz - 40GHz

HALT60005 Induttore conico a banda ultra larga 1400nH Micro-Wire Bias Tee RF Choke Ultra-Wideband Performance 20MHz-40GHz

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L'HALT60005 è un induttore conico a banda larga ottimizzato per le reti di iniezione di corrente continua con bias tee che operano da 20 MHz a 40 GHz.Fornisce 1400 nH di induttanza nominale tramite un avvolgimento conico conico con 0filo di rame senza ossigeno di 0,05 mm, che supporta 200 mA di corrente continua di distorsione di corrente continua in un intervallo di temperatura da -55 °C a +125 °C.La configurazione del filo da 08 mm è disponibile su ordinazione personalizzata per applicazioni che richiedono una gestione di corrente maggiore.

Specifiche tecniche

Configurazione del circuito Bias Tee

In un bias tee, l'induttore di soffocamento si trova tra l'alimentazione DC e la linea di trasmissione RF.e presentano un'elevata impedenza RF sulla larghezza di banda del segnale per evitare che l'energia RF si diffonda nell'alimentazione in CCL'HALT60005 è progettato per questa condizione di funzionamento specifica.

Nodi di circuito:

• Percorso di trasmissione RF:50Ω microstrip o coplanare conduttore d'onda che collega la porta 1 alla porta 2. L'estremità angusta dell'apice dell'induttore è saldata direttamente a questa traccia.
• Input di distorsione di corrente continua:L'estremità larga della base è collegata a un pad di alimentazione DC, una rete di condensatori di bypass a banda larga (100 pF in parallelo con ceramica 10 nF,con un opzionale di 1 μF per il disaccoppiamento a bassa frequenza) shunts RF residua al piano di terra.
• Meccanismo di isolamento:Alle frequenze RF, l'induttanza di 1400 nH genera > 2,0 kΩ di impedenza.

Manipolazione della corrente di bias in CC e analisi termica

Il passaggio di 200 mA attraverso un conduttore da 0,05 mm richiede un'attenta progettazione termica.

• Qualità del conduttore:Il rame ad alta conduttività privo di ossigeno (OFHC, 99,99% Cu) riduce al minimo la resistenza DC. La tipica DCR a 25 ° C è di circa 2,0 Ω, producendo ~ 80 mW di dissipazione I2R a corrente nominale.
• Margine termico:L'aumento della temperatura è limitato a ΔT ≤ 15°C. La resistività del rame ha un coefficiente di temperatura positivo di +0,39%/°C.Il limite di 15°C impedisce il ciclo di feedback positivo in cui una temperatura più elevata aumenta la resistenza, che aumenta la dissipazione, che aumenta ulteriormente la temperatura.
• Meccanismo di raffreddamento:La struttura a nucleo d'aria esposta irradia e convetta naturalmente. Nessun composto di potting intrappola il calore.
• Isolamento della testa:Lo smalto di poliimide è destinato ad un funzionamento continuo a 200 °C, fornendo un margine sostanziale al di sopra della temperatura di giunzione peggiore a +125 °C ambiente con auto riscaldamento a 15 °C.
• Perdite di nucleo zero:A differenza dei ferriti, non c'è isteresi o riscaldamento da corrente vorticale da energia RF.

Procedura dettagliata di montaggio e montaggio

Il corretto montaggio è essenziale per raggiungere le prestazioni nominali di RF. Le seguenti SOP sono state convalidate su apparecchiature di prova a microstrisce caratterizzate:

Fase 1 Allineamento fisico

• Posizionare l'estremità piccola (l'apice) dell'induttore conico puntando verso il basso, perpendicolare (≈90°) alla linea di trasmissione di micro strisce RF.
• Il montaggio fuori perpendicolare introduce un accoppiamento di campo asimmetrico che degrada la perdita di ritorno S11 al di sopra dei 15 GHz.

Fase 2 Apex Lead Connection

• Saldare il piombo volante dell'apice direttamente alla traccia della microstriscia da 50 Ω.
• Il piombo tra il filettino di saldatura e il primo giro di avvolgimento deve essere tagliato il più breve possibile.3 nH di induttanza di serie parassitaria ≈ sufficiente a spostare in modo misurabile la corrispondenza di ingresso.

Fase 3 Base di conduzione al nodo DC

• Saldare il cavo di base ampio al pannello di ingresso di bias DC.
• Il condensatore di bypass (100 pF o 10 nF) deve essere posizionato a meno di 1 mm da questo pad, riducendo al minimo l'area del circuito induttivo tra il blocco e il punto di riferimento RF.

Fase 4  Stabilizzazione epossidica

• Applicare un singolo micro-punto (diametro di circa 0,3 mm) di epossidico non conduttivo e a basso rilascio di gas (consigliato Epotek H70E o H65) sul lato del avvolgimento in cui esso entra in contatto con il substrato.
• Questa fase è obbligatoria, non facoltativa. Senza fissaggio epoxide, la bobina a base d'aria può vibrare a causa di eccitazione acustica o meccanica.Queste vibrazioni su scala micron modula la distanza di rotazione (effetto micronico), introducendo rumore di fase nel segnale RF.
• Non incapsulare l'intera bobina. L'eccesso di dielettrico aggiunge una capacità di shunt indesiderata.

Fase 5 Soldering di profili termici

• Temperatura della punta del ferro: 280 ∼ 320 °C.
• Il rame ultrafine di 0,05 mm raggiunge la temperatura di saldatura quasi istantaneamente; un riscaldamento prolungato può ricottare il rame e modificare la geometria precisione del console.
• Conformità senza piombo: pienamente compatibile con le leghe di saldatura SAC305, AuSn eutectic e PbSn.

Affidabilità ambientale

• Ciclo di temperatura:Non ci sono punti di stress non corrispondenti a CTE. L'avvolgimento in rame è l'unico materiale strutturale; non vi è interfaccia ferrite-rame o ceramica-rame per la rottura sotto il ciclo termico.
• Resistenza alle vibrazioni:La massa della bobina <5 mg mantiene la risonanza meccanica ben al di sopra degli spettri di eccitazione tipici.
• Umidità:Conservare a 40 ∼ 60% RH. I condotti dorati/tinati resistono all'ossidazione durante la durata di conservazione nominale di 12 mesi.
• Sgomberamento:Epotek H70E soddisfa i requisiti ASTM E595 di bassa emissione di gas per i pacchetti ottici ermetici.

Scenari di applicazione per mercato

Domande frequenti

D: Come posso scegliere tra le opzioni di filo da 0,05 mm e da 0,08 mm?
R: Il filo standard da 0,05 mm fornisce la più ampia larghezza di banda con la più bassa capacità parassitaria, a 40 GHz a 200 mA.L'opzione personalizzata da 08 mm riduce la DCR per applicazioni ad alta corrente, ma riduce la larghezza di banda superiore di circa 5 GHz a causa dell'aumento dell'area superficiale tra le curve. Scegli se il tuo progetto è limitato alla corrente o alla larghezza di banda.

D: Questo componente può essere assemblato utilizzando apparecchiature automatizzate per il legame del filo?
R: Sì, i cavi di rame a volo rettilineo e dorato sono compatibili con il legame termossonico automatico e la micro-saldatura automatizzata di precisione.adatti a linee di assemblaggio di microcircuiti ibridi ad alto volume.

D: Qual è la modalità di rottura se viene omesso il passaggio di stabilizzazione dell'epoxide?
A: Senza fissaggio epoxide, la modulazione microfonica della spaziatura di rotazione introduce bande laterali di rumore di fase sul vettore RF.la bobina non supportata può stancarsi nei punti di uscita del piombo nel tempoLa stabilizzazione epossidica fa parte della procedura di montaggio qualificata ed è necessaria per le prestazioni nominali.

D: Come si confronta questo modello con la variante HALT60005A?
R: Le specifiche dell'induttore di base sono identiche. La documentazione HALT60005 fornisce una guida specifica per l'applicazione per la progettazione del circuito di bias tee, l'analisi termica per il funzionamento continuo di bias DC,e una SOP dettagliata di montaggio passo-passoLa documentazione HALT60005A sottolinea la fisica elettromagnetica della geometria conica, l'analisi comparativa della topologia e l'integrazione di uso generale.Selezionare la variante la cui documentazione si adatta al flusso di lavoro.