| Markenname: | Hoan |
| Modellnummer: | HACC-CUSTOM-CR |
| Mindestbestellmenge: | 10 Stück |
| Zahlungsbedingungen: | L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union |
Wissenschaftliche Instrumente für den Weltraumund Planetenforschung Nutzlasten erfordern HF-Komponenten, die eine kalibrierte Leistung von Raumtemperatur bis zu kryogenen Temperaturen (4 K) im hohen Vakuum (10−9 Torr) aufrechterhaltenDer HACC-CUSTOM-CR ist für diese Umgebung konzipiert und qualifiziert.Die Induktionsverschiebung wird unter 3% von 300 K auf 4 K gehalten . Der au-plattierte Kupferdraht unterliegt keinem Übergang zur Supraleitung und behält einen vorhersehbaren Widerstand bei. Die Materialauswahl folgt den ASTM E595 Abgasgrenzwerten: Gesamtmassenverlust (TML) unter 1.0% und gesammeltes flüchtiges Kondensationsmaterial (CVCM) unter 0.1%. Alle organischen Materialien einschließlich der punktreifenden Epoxide sind Raumqualität, geringe Abgasemissionen, ohne Silikongehalt.Die mechanische Unversehrtheit wird durch 100 thermische Zyklen von 4 K bis 300 K validiert, wobei die Zugkraft der Drahtbindung über 3 gehalten wird..0 g und keine CTE-Missmatch-Risse an der Epoxysubstrat-Schnittstelle.
Bei der Kalibrierung wissenschaftlicher Geräte werden RF-Daten pro Komponente benötigt, nicht ein typisches Datenblattwert.s2p S-Parameterdateien bei 300 K gemessen, 77 K und 4 K von 10 MHz bis 67 GHz; ein Breitband-SPICE-Modell, das frequenzabhängige Induktivität, Wechselstromwiderstand und parasitäre Kapazität bei jeder Temperatur erfasst;ein 3D-STEP-Geometriemodell für die Integration von EM-Simulationen; und XML-Metadaten mit Rückverfolgbarkeit auf die Wafer-Lottie, die Position der Matrize und den Kalibrierstandard.und Induktivität von Kryogenprobenproben mit SPC CpK-Messwerte pro WaferpartieDas digitale Zwillingspaket ist mit Keysight ADS, Ansys HFSS und CST Microwave Studio kompatibel.nicht ein generisches Modell.
Mit der gleichen ultrafeinen Spitzenarchitektur wie die MW-Variante,die HACC-CUSTOM-CR erreicht SRF über 50 GHz bei 300 K ¢ und erstreckt sich aufgrund des verringerten Widerstands der Drahtreihe bei niedrigen Temperaturen weiter auf über 55 GHz bei 77 KDie parasitäre Spitzenkapazität wird unter 0,005 pF gehalten, stabil von 4 K bis 300 K ohne dielektrische Konstante Verschiebung in der strukturellen Epoxide.
| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kryogener Bereich | 4 K·300 K qualifiziert, Induktivitätsverschiebung < 3% |
| Vakuumkompatibilität | 10−9 Torr, TML < 1,0%, CVCM < 0,1% pro ASTM E595 |
| Wärmekreisen | 100 Zyklen 4 K ¥ 300 K, keine mechanische Störung |
| Digitaler Zwillingspaket | .s2p (3 Temps), SPICE-Modell, STEP 3D, XML-Metadaten |
| SRF | > 50 GHz bei 300 K, > 55 GHz bei 77 K |
| Induktivität | 10 nH·200 nH, ± 10% bei 300 K, kryocharakterisiert |
| DCR | < 2,0 Ohm bei 300 K, < 1,5 Ohm bei 77 K, < 1,0 Ohm bei 4 K |
| Frequenzbereich | 10 MHz50 GHz bei 300 K, 55 GHz bei 77 K |
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