17nH আরএফ স্টোক কয়েল নিম্ন পরজীবী ক্ষমতা সিলিন্ডারিকাল কোর কয়েল বিকিরণ শক্ত

HALA1200503R 17nH এয়ার কোর ইন্ডাক্টর নিম্ন পরজীবী ক্ষমতা উচ্চ Dielectric শক্তি বিকিরণ কঠোর 12T আরএফ কয়েল

কেন ০.০৫ মিলিমিটার তারের সবকিছু পরিবর্তন করে: ডিসিআর, বর্তমান, এবং ৪০০ এমএ থ্রেশহোল্ড

তারের ব্যাসার্ধ একটি মাইক্রো এয়ার কোর ইন্ডাক্টরের সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ ডিজাইন প্যারামিটার এবং 0.03 মিমি এবং 0.05 মিমি এর মধ্যে পার্থক্য সংখ্যার প্রস্তাবের চেয়ে অনেক বেশি।ব্যাসার্ধের বর্গক্ষেত্রের সাথে ক্রস-সেকশন এলাকার স্কেল: 0.05 মিমি তারের (0.03 মিমি তারের) তামার ক্রস-সেকশন (50/30) 2 = 2.78 * রয়েছে। ডিসি প্রতিরোধের ক্রস-সেকশন এলাকার বিপরীত আনুপাতিক, তাই 0.05 মিমি তারের প্রায় 64% কম ডিসিআর রয়েছে।৪০০ এমএ, 0.03 মিমি HALA1200303R কোন চৌম্বকীয় সীমাবদ্ধতা দ্বারা 200mA সীমাবদ্ধ নয় (বায়ু কোর saturate করতে পারে না), কিন্তু পাতলা তামা ফিলামেন্টের I2R স্ব-গরম।05 মিমি HALA1200503R বর্তমান সিলিং দ্বিগুণ, GaN PA bias নেটওয়ার্কের জন্য পর্যাপ্ত তাপীয় মার্জিন সহ, যা ২৮-৫০ ভোল্ট ড্রেনে কাজ করে 200-400mA bias বর্তমানের সাথে।

দ্যHALA1200503R 17nH ±20% 12 ঘূর্ণন বায়ু কোর ইন্ডাক্টরইচ্ছাকৃতভাবে বর্তমান হ্যান্ডলিং হেডরুমের জন্য সর্বাধিক ইন্ডাক্ট্যান্স ঘনত্ব (26nH 0.03mm সংস্করণের জন্য) বিনিময় করে (400mA বনাম 200mA) ।আরও পুরু তারের একটি সামান্য বৃহত্তর টার্ন-টু-টার্ন পিচও তৈরি করে যা উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে ঘনিষ্ঠতা-প্রভাব এসি প্রতিরোধকে হ্রাস করে১০-২০ গিগাহার্জ ব্যান্ডে যেখানে তামার ত্বকের গভীরতা মাত্র ০.৪৬-০.৬৬ মাইক্রোমিটার, বর্তমান কেবল কন্ডাক্টর পৃষ্ঠের মধ্যে প্রবাহিত হয় এবং ০.৬৬ মাইক্রোমিটারের মধ্যে প্রবাহিত হয়।05 মিমি তারের 0 এর চেয়ে ইউনিট দৈর্ঘ্য প্রতি আরো পৃষ্ঠতল প্রদান করে.03 মিমি তারের, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি ESR আরও হ্রাস। এই কারণেই HALA1200503R এর ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা 20GHz পর্যন্ত প্রসারিত হয় (0.0 এর জন্য 18GHz এর বিপরীতে) ।03 মিমি সংস্করণ) √ ঘন তারের থেকে নিম্ন এসি প্রতিরোধের Q ফ্যাক্টর কে-ব্যান্ডের গভীরে সংরক্ষণ করে.

ন্যূনতম পরজীবী ক্যাপাসিটিঃ একক স্তর বায়ু-স্পেসিং জ্যামিতি

একটি ইন্ডাক্টরের প্যারাসাইটিক ক্যাপাসিট্যান্স ব্রডব্যান্ড অপারেশনের শত্রু। প্রতিটি সংলগ্ন টার্ন প্যারে একটি প্যারাসাইটিক ক্যাপাসিটর গঠন করে; মোট প্যারাসাইটিক ক্যাপাসিট্যান্স এসআরএফকে হ্রাস করে,ফ্রিকোয়েন্সি রেসপন্সকে বিকৃত করেHALA1200503R এই ক্যাপাসিট্যান্সকে তিনটি ডিজাইনের বিকল্পের মাধ্যমে হ্রাস করেঃ

• বায়ু-ডায়লেক্ট্রিক (εr=1.0):সর্বনিম্ন সম্ভাব্য dielectric ধ্রুবক। ফেরাইট চিপ ইন্ডাক্টরগুলির সাথে তুলনা করুন যেখানে রোলিংগুলি সরাসরি εr এর সাথে εr = 10-15 সিরামিক ¢ প্যারাসাইটিক ক্যাপাসিটেন্স স্কেলগুলিতে এম্বেড করা হয়,তাই বায়ু-কোর নকশা একই জ্যামিতি জন্য 10-15 * কম inter-ঘূর্ণন capacitance অর্জন.
• এক-স্তরীয়, ওভারল্যাপিং নয়ঃ১২ টির মধ্যে প্রতিটি বাঁক ঠিক দুইটি প্রতিবেশী বাঁকের সাথে সংলগ্ন। কোন কবর স্তর নেই, কোন ভিয়াস নেই, পাতলা সিরামিক স্তর দ্বারা পৃথক কোন স্ট্যাকড কন্ডাক্টর নেই।প্যারাসাইটিক ক্যাপাসিট্যান্স নেটওয়ার্ক হল ১১ টি ছোট্ট ইন্টার-টার্ন ক্যাপাসিটরগুলির একটি সহজ সিরিজ চেইন ∙ কোন সমান্তরাল কাপলিং পথ নেই যা মোট ক্যাপাসিট্যান্সকে গুণ করে.
• 0০.০৫ মিমি তারের উপর ০.৩০ মিমি ম্যান্ড্রেলঃটার্ন-টু-টার্ন স্পেসিং প্রায় 30-40 মাইক্রোমিটার। 0.05 মিমি কন্ডাক্টর ব্যাসার্ধের সাথে, কন্ডাক্টর আকারের মধ্যে ফাঁকটির অনুপাত প্রায় 0.6-0.8∙ ∙ ∙ ∙ ∙ ∙ ∙ ∙ ∙ ∙ ∙ ∙

উচ্চ ডায়েলেক্ট্রিক শক্তি এবং নিরোধক সততা

HALA1200503R এর ইন্টার-টার্নিং আইসোলেশনটি 0.05 মিমি তামার তারের উপর পলিউরেথান এনামেল লেপ দ্বারা সরবরাহ করা হয়। এই লেপটি একযোগে তিনটি সমালোচনামূলক ফাংশন পরিবেশন করেঃ

• ডিলেক্ট্রিক বাধাঃইমেল লেপটি 100V/μm এর বেশি একটি dielectric শক্তি আছে। প্রায় 3-5μm লেপ বেধ সঙ্গে,পার্শ্ববর্তী বাঁকগুলির মধ্যে ব্রেকডাউন ভোল্টেজ 300V ¢ অতিক্রম করে যে কোনও ব্যবহারিক আরএফ সার্কিটের বাঁক থেকে বাঁক ভোল্টেজ অতিক্রম করে. 17nH এবং 400mA এ, 20GHz এ পুরো 12 টার্ন ইন্ডাক্টর জুড়ে ভোল্টেজ ড্রপ প্রায় j2.14kΩ * 0.4A = 856V শিখর (প্রতিক্রিয়াশীল),প্রায় সমানভাবে 12 ঘূর্ণায়মান জুড়ে বিতরণ করা হয় approximately প্রতি ঘূর্ণায়মান প্রায় 71V>৩০০ ভোল্টের ইন্টার টার্ন ব্রেকডাউন একটি >৪* নিরাপত্তা মার্জিন প্রদান করে।
• পরিবেশ সুরক্ষাঃপলিউরেথান এনামেল হাইড্রোফোবিক, আর্দ্রতা শোষণের প্রতিরোধী যা উচ্চ আর্দ্রতার অধীনে এনামেল পৃষ্ঠ জুড়ে পরিবাহী পৃষ্ঠের ফুটো পথ তৈরি করতে পারে।কনফর্মাল লেপ সহ মিশ্রিত, আইইসি ৬০০৬৮-২-৭৮ অনুযায়ী ৮৫°সি/৮৫% আরএইচ ভিজা তাপ পরীক্ষার প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে।
• তাপীয় স্থিতিশীলতাঃইমেলটি -৫৫ ডিগ্রি সেলসিয়াস থেকে +১২৫ ডিগ্রি সেলসিয়াস অপারেটিং রেঞ্জ জুড়ে তার ডাইলেক্ট্রিক বৈশিষ্ট্য বজায় রাখে। কিছু বিচ্ছিন্নতা সিস্টেমের বিপরীতে যা কম তাপমাত্রায় ভঙ্গুর হয়ে যায় বা উচ্চ তাপমাত্রায় নরম হয়,পলিউরেথেন ফর্মুলেশন নামমাত্র তাপমাত্রা পরিসীমা জুড়ে যান্ত্রিক এবং বৈদ্যুতিকভাবে স্থিতিশীল থাকে.

বিকিরণ প্রতিরোধী নকশাঃ কোন অর্ধপরিবাহী, কোন ক্ষতি

রেডিয়েশন কঠোরতা ঢালাই বা বিশেষ প্রক্রিয়াকরণের মাধ্যমে অর্জন করা হয় না, এটি বায়ু-কোর ইন্ডাক্টরের পদার্থবিজ্ঞানের অন্তর্নিহিত।নিয়ন্ত্রক সমীকরণ L = μ0 * N2 * A / l শুধুমাত্র মুক্ত স্থান ধ্রুবক (μ0) এবং শারীরিক জ্যামিতি (ঘুরিয়ে দেয় N, এলাকা A, দৈর্ঘ্য l) । শত শত কিলোর্যাড পর্যন্ত মোট আয়োনাইজিং ডোজ (টিআইডি) কোনও ফাঁসি চার্জ তৈরি করে না কারণ সেমিকন্ডাক্টর জংশন নেই।স্থানচ্যুতি ক্ষতি কোন গ্রিড ত্রুটি সৃষ্টি করে না যা ইন্ডাক্ট্যান্সকে প্রভাবিত করে কারণ এমন কোনও স্ফটিক গ্রিড নেই যার বৈশিষ্ট্যগুলি μ নির্ধারণ করে. একক ইভেন্ট প্রভাব কোন বর্তমান ক্ষণস্থায়ী সৃষ্টি কারণ কোন সক্রিয় ডিভাইস ট্রিগার করা হয় না. inductor যেমন বিকিরণ-প্রতিরোধী যেমন ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক আইন নিজেদের হয়.

এই অন্তর্নিহিত অনাক্রম্যতা সমস্ত কঠোর পরিবেশের অবস্থার জন্য প্রসারিতঃ তাপীয় শক (-55 ° C থেকে + 125 ° C, 1000+ চক্র), ঘনীভূত আর্দ্রতা, লবণ কুয়াশা এবং নিম্ন চাপ (উচ্চ উচ্চতা) অপারেশন।বায়ু কোর কোন CTE অসম্পূর্ণতা পরিচালনা করতে হবে, কোনও পোরাস উপাদান নেই যাতে আর্দ্রতা শোষণ করা যায় এবং ভ্যাকুয়ামের অধীনে কোনও উদ্বায়ী যৌগগুলি নেই। এমন পরিবেশে স্থাপন করা সরঞ্জামগুলির জন্য যেখানে মেরামত করা কঠিন বা অসম্ভব,HALA1200503R একটি ব্যর্থতা প্রক্রিয়া হিসাবে প্যাসিভ-উপাদান অবক্ষয় নির্মূল করে.

HALA120 তুলনাঃ 0.03 মিমি বনাম 0.05 মিমি তার

মূল বৈশিষ্ট্যাবলী

কেন একই ১২টি ঘূর্ণায়মান ১৭এনএইচ?

এই দুটি HALA120 ভেরিয়েন্ট তুলনা ইঞ্জিনিয়ারদের কাছ থেকে সবচেয়ে ঘন ঘন প্রশ্ন। উভয় 12 ঘূর্ণন আছে, তবুও HALA1200503R 17nH উত্পাদন করে যখন HALA1200303R 26nH উত্পাদন করে। একটি 35% পার্থক্য।উত্তরটি ঘুরতে ঘুরতে পিচিংয়ে রয়েছে. 0.05 মিমি তারের 0.03 মিমি তারের চেয়ে 67% পুরু, যা পার্শ্ববর্তী বাঁকগুলির মধ্যে কেন্দ্র থেকে কেন্দ্রের দূরত্ব বৃদ্ধি করে।এই বৃহত্তর pitch বাঁক মধ্যে পারস্পরিক inductive কাপলিং সহগ (কে) হ্রাস. একটি মাল্টি-টার্ন এয়ার-কোর সোলিনয়েডের মধ্যে, মোট ইন্ডাক্ট্যান্স L = L_self * N2 যেখানে L_self প্রতি টার্নের জন্য স্ব-ইন্ডাক্ট্যান্স এবং সমস্ত টার্ন জোড়ার মধ্যে পারস্পরিক সংযোগ উভয়ই অন্তর্ভুক্ত করে।ঘন তারের থেকে বৃহত্তর পিচ সঙ্গে, পারস্পরিক সংযোগের সময়কাল হ্রাস পায়, এবং মোট ইন্ডাক্ট্যান্স 26nH থেকে 17nH পর্যন্ত কমে যায়। This is not a manufacturing error — it is an intentional trade-off that buys you 2* the current handling (400mA vs 200mA) and 2GHz of additional high-frequency bandwidth (20GHz vs 18GHz) through reduced AC resistance.

সমাবেশের নির্দেশিকাঃ প্রাক-পরিচ্ছন্ন সীলগুলির জন্য মাইক্রো-সোল্ডারিং

• জ্যামিতিক ক্রসস্টক স্কিলিংঃপিসিবি বিন্যাসের সময়, 12 টার্ন কয়েল শরীরের কেন্দ্রীয় অক্ষটি কঠোরভাবে রেফারেন্স মাইক্রোস্ট্রিপ সিগন্যাল লাইনে লম্ব (অর্টোগোনাল, 90 °) অবস্থিত করুন। যখন কয়েলটি ট্রেসের সমান্তরাল হয়,কয়েল জোড়া থেকে সরাসরি ট্রান্সমিশন লাইনে চৌম্বকীয় ফ্লাক্স, যা S21 এবং অবনমিত চ্যানেল বিচ্ছিন্নতার অপ্রত্যাশিত খাঁজ হিসাবে প্রদর্শিত পরজীবী পারস্পরিক অনুঘটকতা তৈরি করে। উল্লম্ব থেকে 15 ডিগ্রি বিচ্যুতি 10GHz এ 2-3dB দ্বারা নিকট-ক্ষেত্রের সংযোজক বৃদ্ধি করে।সোল্ডারিংয়ের আগে অপটিক্যাল পরিদর্শনের সময় উল্লম্বতা যাচাই করুন.
• প্রাক-স্ট্রিপড লিড প্রস্তুতিঃকন্ডিশনগুলি কারখানায় প্রাক-পরিচ্ছদযুক্ত এবং প্রাক-টিনযুক্ত হয় √ লোডিংয়ের আগে কোনও ম্যানুয়াল stripping বা flux প্রয়োগের প্রয়োজন নেই। টিনিংটি টপ থেকে কয়েল রুট পর্যন্ত অবিচ্ছিন্নভাবে প্রসারিত হয়,একটি অভিন্ন সোল্ডারযোগ্য পৃষ্ঠ নিশ্চিত করা, কোন খালি তামা ফাঁক যা আর্দ্রতা এক্সপোজার অধীনে ক্ষয় শুরু করতে পারে.
• ন্যূনতম লিড দৈর্ঘ্যঃট্রিম লোডিংয়ের পরে পরম সর্বনিম্ন দিকে পরিচালিত করে। অতিরিক্ত সীসা ~ 0.8-1.0 এনএইচ / মিমি পরজীবী সিরিজ ইন্ডাক্ট্যান্স যোগ করে।
• মাইক্রো-সোল্ডারিংঃSAC305 বা Sn63/Pb37। টিপ ≤260°C, ≤3s স্থায়ী। 0.05mm তারের 0.03mm এর চেয়ে বেশি তাপীয় ভর আছে এবং সংশ্লিষ্টভাবে সংক্ষিপ্ত তাপমাত্রা ভ্রমণের জন্য আরও সহনশীল।
• ফিক্সিং:আরএফ টিউনিংয়ের পরে, নিম্ন-ডিলেক্ট্রিক আরএফ আঠালো (ইপটেক এইচ 20 ই) এর মাইক্রো-ড্রপলেট। S- পরামিতিগুলি পোস্ট-কুরিংয়ের পরে যাচাই করুন।

অ্যাপ্লিকেশন

• GaN/GaAs PA Bias Tees (28-50V, 200-400mA):শূন্য স্যাচুরেশন এবং কম ডিসিআর সহ 400 এমএ রেটিং নির্ভরযোগ্য ড্রেন বায়াস ইনজেকশন সক্ষম করে।14kΩ এ 20GHz ¢ আইসোলেশন ফ্রিকোয়েন্সির সাথে উন্নতি করে যেখানে PA লাভ সাধারণত বন্ধ হয়.
• SATCOM K/Ka-Band LNB:২-২০ জিএইচজেড ফ্রিকোয়েন্সি কভারেজ মাল্টি-ব্যান্ড এলএনবি ডিজাইন সমর্থন করে। কক্ষপথের পরিবেশের জন্য রেডিয়েশন-ইমিউন অপারেশন।
• 5G FR2 (n257/n258/n260) বায়াস নেটওয়ার্কঃ> ২০ গিগাহার্জ এসআরএফ মার্জিন সহ ৪০০ এমএ ক্ষমতা ২৪-৪০ গিগাহার্জ অপারেটিং ব্যান্ডে পরিষ্কার বিয়ার ইনজেকশন নিশ্চিত করে।
• উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা বহিরঙ্গন বেস স্টেশনঃ-৫৫°সি থেকে +১২৫°সি পরিসীমাতে বিকিরণ প্রতিরোধের সাথে এবং কোনও ফেরাইট বিঘ্নের প্রক্রিয়া নেই, অনিয়ন্ত্রিত পরিবেশে ১০+ বছরের প্রয়োগের জীবনকে সমর্থন করে।

মূল্যায়ন নমুনা, এস২পি টাচস্টোন ডেটা বা আপনার নির্দিষ্ট পক্ষপাত নেটওয়ার্ক প্রয়োজনীয়তা নিয়ে আলোচনা করার জন্য আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।